PVA对沉淀法制备PZT钙钛矿粉体相形成和自由聚集的影响（英文）

用添加PVA合成的凝胶前躯体制备出了尺寸分布窄并近似自由聚集的PZT钙钛矿粉体。分别用热失重和差热分析(TG/DTA),X射线衍射(XRD)及场发射扫描电镜(FESEM)研究其热行为,表征其相成分,观察其形貌。为了研究PVA对产物的影响,进行了改变PVA单体和金属离子摩尔比的一系列实验,结果表明,PVA的氧化作用和密封作用促进了PZT粉体的相形成并增加了粉体的团聚。     

Ti5Si3电极层表面沉积BST薄膜及其介电性能研究

使用溶胶-凝胶法在涂覆有Ti5Si3电极层的玻璃基板上成功制备了Ba/Sr为64的BST薄膜,并对该薄膜在600℃进行了热处理.使用XRD,阻抗分析仪对薄膜进行了测试,研究了不同热处理条件对薄膜介电性能的影响.结果表明,由于非氧化物Ti5Si3电极层中氧空位等缺陷含量少,因此可成功制备缺陷少,质量良好的BST薄膜.快速升温可得到的薄膜晶相含量较多,多次重复热处理使薄膜中晶相的缺陷相对较少;控制薄膜的热处理条件,可以控制薄膜的电容和损耗.     

膜层厚度对CuPc/ZnS多层复合薄膜光电性能的影响

为了找到制备CuPc ZnS多层复合膜薄膜最佳光电导性能的参数 ,本文研究了CuPc ZnS多层复合膜的CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列的光电导性能和结构 ,利用表面电位衰减仪、紫外 -可见光谱仪和X射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系 ,探讨了改变CuPc、ZnS膜层的厚度对CuPc ZnS多层复合膜薄膜的光电导性能和结构的影响     

在氯仿中合成纳米羟基灰石的研究

采用卵磷脂作为乳化剂，在氯仿-水所形成的乳液中制备纳米羟基磷灰石(HA)晶粒，并研究了卵磷脂对HA在氯仿中分散性的影响．FTIR及TEM分析结果表明，卵磷脂能吸附在HA晶粒表面，起着表面改性作用．通过分液除去水分后，HA仍能均匀地分散于氯仿中，没有产生团聚．因而，通过该法能制备出颗粒度在100nm左右、分散性好、能稳定存在的HA的氯仿悬浮液．在该悬浮液中加入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)能形成HA／PMMA复合材料，并且HA晶粒在基体中分散均匀．因此，本文的制备方法对于制备具有良好两相分布形貌和具有高强力学性能的有机无机复合材料有着重要意义．     

金属诱导晶化法制备多晶硅薄膜研究进展

本文介绍了金属诱导晶化非晶态硅制备多晶硅薄膜的新方法，综述了制备金属/非晶态硅复合薄膜的各种方法与晶化结果，着重介绍了金属低温诱导的机理及其在器件应用方面的可行性。     

气敏材料的研究进展

从气敏材料种类，制备方法，改善气敏材料缺陷的手段等方面介绍了气敏材料的研究进展，论述了气敏材料研究中的新动向，展望了它的未来发展。     

两步沉淀法合成锆钛酸铅相形成的反应机理

用X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)研究了两步沉淀法合成钙钛矿相锆钛酸铅(PbZrxTi1-xO3,PZT)的相形成机理和准结晶学相界.结果显示:两步沉淀法合成的PZT粉体为纯钙钛矿相,低温煅烧时,优先形成菱方相PZT.XRD分析结果表明:900℃煅烧合成的PZT粉体,摩尔组成在0.47≤x≤0.55范围时,菱方相和四方相共存,两相相等的组成点为x=0.515.基于PbO-PZT和PZT-ZrxTi1-xO3(ZT)2个反应界面以及离子扩散,提出了关于两步沉淀法合成PZT相形成反应机理的模型.     

钙钛矿/钨青铜两相复合BSTN陶瓷的形成与性能研究

设计了特殊配方0.7BaO.0.3SrO·(1-y)TiO2·yNb2O5,通过过量组成控制,制备了钙钛矿相和钨青铜相共存的复相陶瓷.用XRD和阻抗仪测试了相结构及介电常数.结果表明,在形成以钙钛矿为主相的体系中,Nb2O5过量6mol％以上时开始形成钨青铜相;在形成以钨青铜为主相的体系中,BaO和SrO过量11mol％以上时开始形成钙钛矿相.两相含量相当的体系中,钙钛矿相几乎不固溶Nb2O5,而钨青铜相固溶一定量TiO2.复相陶瓷的介电性能具有BST和SBN两相的特点.BSTN复相体系中钨青铜相的铁电/顺电转变温度随固溶TiO2量增加而降低,随钙钛矿相增加而升高,其最低转变温度约在200℃,比纯SBN相下降90℃.     

基板温度对SnO2:Sb薄膜结构和性能的影响

以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性质,详细研究了基板温度对薄膜结构和光电性能的影响。实验表明 550℃以上制备的样品为多晶薄膜,并保持四方相金红石型结构;在 650℃下沉积的薄膜具有最低的方块电阻值,为 72Ω/□;在可见光区域薄膜透射率和反射率随着基板温度的提高均有所下降。     

掺Tb3+钛酸铅粉末的制备和结晶行为

采用溶胶喂胶法制备了Tb^3 掺杂钛酸铅(PbTiO3，PT)超细粉末，分别用差热分析、透射电子显微镜、X射线衍射仪对其相结构、形貌特性以及晶粒粒径等进行了分析测试。结果表明：这种粉末在约600℃热处理温度下，由非晶基体转变形成钙钛矿相的过程已逐步完成，其晶粒平均尺寸约为18nm，比未掺Tb抖的PT粉末中的钙钛矿晶粒尺寸略小。形成的钙钛矿结构中，Tb^3 取代Pb^2 进入晶格位置，产生阳离子空位，诱发晶格畸变，使钙钛矿相的析晶能力比相同热处理条件下未掺杂Tb^3 的PT低。另外，掺Tb^2 的PT中钙钛矿相的晶轴比c／a比未掺Tb^3 的PT中的低，这类似于产生了赝立方结构，降低了从立方相向这种四方相转化的势垒，有效地抑制了较高温下焦绿石相的产生，使掺Tb^3 的PT中焦绿石相稳定存在的温度比未掺Tb^3 的PT中低约100℃。