金刚石基微机电系统制备方法的研究进展

金刚石由于其独特的物理、化学和电学性质,以及以薄膜形式生长的可行性,是制造可靠、长寿命,微机电/纳米机电系统（MEMS/NEMS）材料的理想选择。近年来化学气相沉积金刚石薄膜生长的进展促进了金刚石在微机电系统的应用,实现了基于金刚石的MEMS和NEMS开发的新时代。但是由于其难以精确加工,目前仍未能大规模应用。本文对当前金刚石基MEMS的研究进展进行了阐述,主要探讨了当前主要应用的金刚石基MEMS系统的加工方法,并进行了进一步的展望。      

高掺杂Si/BDD薄膜电极的制备及电化学性能

近年来,掺硼金刚石(BDD)膜因具备独特的优异性能而作为电极材料已经受到很大的关注.本文通过MPCVD法在高掺杂硅衬底上生长掺硼金刚石膜,并用四探针、扫描电镜、激光拉曼和电化学工作站对其进行了检测,发现所制备的掺硼金刚石膜电导率达10-2Ω·cm,同时发现金刚石膜质量因硼原子的掺入而有所下降,采用循环伏安法研究其电化学...     

Growth of Aligned Carbon Nanotubes through Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

Aligned carbon nanotubes (CNTs) were synthesized on glass by microwave plasma chemical vapor deposition (MWPCVD) with a mixture of methane and hydrogen gases at the low temperature of 550~C. The experimental results show that both the self-bias potential and the density of the catalyst particles are responsible for the alignment of CNTs. When the catalyst particle density is high enough, strong interactions among the CNTs can inhibit CNTs from growing randomly and result in parallel alignment.     

微波等离子刻蚀CVD金刚石膜提高机械研磨效率

针对低温低压化学气相沉积(CVD)金刚石膜表面粗糙且厚薄不均,普通的方法抛光金刚石膜效率低的现象,采用空气等离子刻蚀金刚石膜与机械研磨相结合的抛光工艺,提高了金刚石膜的抛光加工效率.并与纯机械研磨法比较,通过观察样品的表面形貌,说明等离子刻蚀的作用.     

复合卷材防水屋面施工技术

简述了SBC1 2 0复合卷材的技术性能 ;详细介绍了防水屋面的施工技术要点     

小型水库的除险加固技术

小型水库的消险加固依其具体情况，可考虑加高大坝与拓宽溢洪道相结合，加高大坝同非常溢洪道相结合等方案，工程规模可通过调洪演算确定。组合方案往往有较大的优越性，应予重视。文章就小型水库险加固中的几个技术问题作了简要总结。     

倒挂井法修建防渗墙设计

倒挂井是由在坝轴线上若干个拱圆井组成,自上而下开挖、浇筑井壁,自下而上回填黏土或混凝土而形成连接的防渗墙的一种方法,这种方法不需要大型设备和专业队伍,易于推行。     

射频等离子体制备类金刚石薄膜及其表征

采用射频等离子体技术,以CH4和H2为反应气体,在单晶硅片和载玻玻璃片上成功制备出了高质量的类金刚石薄膜.采用扫描电镜、原子力显微镜、Raman光谱、红外光谱、显微硬度计表征了类金刚石薄膜的表面形貌、微观结构、光学性能和复合硬度.结果表明,制备出的类金刚石薄膜表面十分平整光滑,表面粗糙度极低,平均粗糙度Ra为0.492 nm;薄膜中含有sp2,sp3杂化键,具有典型的类金刚石结构特征;光学透过率比较高,薄膜的复合硬度可以高达507.3 kgf/cm2.     

甲烷浓度对金刚石薄膜(100)织构生长的影响

以H2和CH4的混合气体为气源,用微波等离子体辅助化学气相沉积法(MPECVD)在1 cm×1 cm S i(100)基体上沉积了金刚石薄膜。研究了不同的甲烷浓度对金刚石薄膜(100)织构生长趋势的影响。分别采用扫描电子显微镜(SEM),Ram an光谱对金刚石膜的表面形貌、质量进行了分析。结果表明,当基体温度为750℃,气压为4.8×103Pa,甲烷浓度为1.4%时,薄膜表面为(100)织构。     

CVD金刚石薄膜半导体材料的研究进展

含Ⅲ族与Ⅴ族元素掺杂的金刚石是宽禁带的半导体材料,同时具有优异的物理和化学特性,在电子器件与光电子器件方面的应用具有极大潜力,成为近几年来国内外研究的热点之一。介绍了目前常用的掺杂方法、技术水平及金刚石半导体的应用前景。