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1.
采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2( GDH)高κ薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层.结果表明Al2O3界面钝化使漏电流密度降低了两个数量级,并改善了回滞窗口和平带电压的偏移.高温N2退火对堆栈层电学性能影响明显:随着温度的增加,界面性能逐步改善,退火温度为900℃时,回滞窗口小于20 mV,积累区趋势平缓并且单位面积电容值增大,薄膜介电常数为20.  相似文献   
2.
This work described the electrical characteristics of a kind of amorphous Gd2O3-doped HfO2 insulator for high-k metal-oxide-semiconductor(MOS) capacitors.Compared with pure HfO2,the doped HfO2 with an optimum concentration of Gd2O3 as MOS gate dielectric exhibited a lower leakage current,thinner effective oxide thickness and less fixed oxide charges density.The result indicated that Gd2O3 doping power of 60 W exhibited the best electrical characteristics,maximum capacitance,lowest leakage current of 9.35079...  相似文献   
3.
采用粉末冶金的方法制备了TiZrV合金吸气剂,研究了烧结温度、 激活温度和激活保温时间对吸气剂性能的影响.采用XRD测定TiZrV合金的相结构,用SEM观察烧结型TiZrV吸气剂的表面形貌,用EDS分析其表面的成分,用定压法吸气性能测试台测试其吸气性能.结果表明,TiZrV吸气剂的最佳激活温度为400 ℃,最佳烧结温度为700 ℃.  相似文献   
4.
王磊  杜军  毛昌辉  杨志明  熊玉华 《表面技术》2005,34(5):32-34,42
采用射频反应溅射法制备SnO2导电薄膜,用AFM、XRD、XPS研究了薄膜的结构与表面化学组成对导电性能的影响,同时分析了衬底温度对薄膜导电性能的影响.结果表明:采用射频反应溅射制备的SnO2薄膜是具有(211)择优取向的多晶结构氧空位导电的n型半导体,衬底温度对于SnO2薄膜的微观结构和表面组成影响巨大,在低温衬底下制备的SnO2薄膜具有最佳的导电性能.  相似文献   
5.
研究了K4169高温合金在各种工艺条件下及向熔体中加入复合细化剂时的晶粒组织。结果表明,降低浇注温度和加入复合细化剂可以明显细化冷凝后基体的晶粒和提高铸件断面等轴晶的比例。在通常的浇注温度1400℃下加入复合细化剂。对合金熔体进行或不进行过热处理时,可使圆柱锭的晶粒分别细化至ASTM1.7级和ASTM3.2级;断面等轴晶的比例分别达96%和99%以上。当浇注温度为1420℃、加入复合细化剂并对合金熔体进行过热处理时。可使圆柱锭晶粒细化至ASTM M10.5级,断面等轴晶的比例达90%以上。提出了晶粒细化的机理并对晶粒细化后断面等轴晶比例增大的现象进行了分析。  相似文献   
6.
大块非晶合金的研究进展   总被引:9,自引:0,他引:9  
回顾了大块非晶的发展历史、形成机制、制备及应用前景,并特别介绍了密度最小、比强度最高的镁基大块非晶合金的研究进展。  相似文献   
7.
采用低温碱性化学镀方法制备镍包覆钛复合细粉,利用XRD,SEM,EDS和吸气性能测试台对样品的相结构、表面形貌、表面成分和吸气性能进行分析和表征。结果表明:表面镍层以结晶态包覆于Ti表面,镀层均匀,镀层中的Ni对H2具有催化解离作用,促进了Ti的吸氢速率,在较低温度450℃激活时,镍包覆钛复合细粉的吸氢性能较纯Ti粉有了明显的提高。  相似文献   
8.
Al—Cu合金等轴枝晶组织形成的模拟及计算机可视化   总被引:3,自引:1,他引:2  
通过解用热焓法处理结晶潜热的二维不稳定热传导方程模拟凝固温度场,利用连续形核模型和枝晶尖端生长的动力学模型,即KGT模型模拟Al-4%Cu合金等轴晶的形成,将凝固温度场的模拟和晶粒组织形成的模拟相耦合,计算了该合金的凝固等轴晶组织特征值,包括晶粒密度和平均晶粒尺寸,并在计算机上实现了晶粒形成过程的可视化;与实验结果进行比较表明,模拟结果与实验结果基本吻合。  相似文献   
9.
采用R.F反应溅射法制备SnO2导电薄膜,用XRD、AFM、XPS研究了薄膜的结构和组成对导电性能的影响。XRD和AFM研究表明,随着衬底温度的增加,SnO2薄膜从非晶向多晶结构转变,表面粗糙度减弱,薄膜的表面电阻大幅增加。采用XPS对薄膜表面成分进行分析,时不同衬底温度下Sn3d5/2拟合发现,薄膜表面存在Sn^2+和Sn^4+两种混合价态。随着村底温度的增加,Sn3d5/2能谱位置与峰宽并没有变化。对O1s能谱进行Gaussian拟合后发现,薄膜表面的氧以晶格氧(略)和化学吸附氧(Oahs^-)两种方式存在。实验证明,Oabs^-含量与SnO2表面电阻成正比关系。  相似文献   
10.
ZrVFe吸气剂激活过程研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过X射线光电子能谱仪(XPS)对ZrVFe吸气剂的激活过程进行了研究。结果表明:暴露于大气的吸气剂表面覆盖着一层CO2,O2及碳氢化合物,合金表面中的锆和钒主要以氧化态存在。当吸气剂置于高真空进行激活时,钒的氧化物在较低的温度(200~300℃)下被还原,并且还原比例高于锆的氧化物。在激活温度为300℃至340℃的过程中,表面大量的ZrO2和VO2逐渐减少而被还原为亚氧化物和金属态。激活过程还导致了在表面近金属态锆的富集,以及部分金属碳化物的生成。  相似文献   
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