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This work described the electrical characteristics of a kind of amorphous Gd2O3-doped HfO2 insulator for high-k metal-oxide-semiconductor(MOS) capacitors.Compared with pure HfO2,the doped HfO2 with an optimum concentration of Gd2O3 as MOS gate dielectric exhibited a lower leakage current,thinner effective oxide thickness and less fixed oxide charges density.The result indicated that Gd2O3 doping power of 60 W exhibited the best electrical characteristics,maximum capacitance,lowest leakage current of 9.35079... 相似文献
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铸造工艺参数和细化剂对K4169高温合金铸态组织的影响Ⅰ.晶粒组织及晶粒细化机理 总被引:8,自引:0,他引:8
研究了K4169高温合金在各种工艺条件下及向熔体中加入复合细化剂时的晶粒组织。结果表明,降低浇注温度和加入复合细化剂可以明显细化冷凝后基体的晶粒和提高铸件断面等轴晶的比例。在通常的浇注温度1400℃下加入复合细化剂。对合金熔体进行或不进行过热处理时,可使圆柱锭的晶粒分别细化至ASTM1.7级和ASTM3.2级;断面等轴晶的比例分别达96%和99%以上。当浇注温度为1420℃、加入复合细化剂并对合金熔体进行过热处理时。可使圆柱锭晶粒细化至ASTM M10.5级,断面等轴晶的比例达90%以上。提出了晶粒细化的机理并对晶粒细化后断面等轴晶比例增大的现象进行了分析。 相似文献
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采用R.F反应溅射法制备SnO2导电薄膜,用XRD、AFM、XPS研究了薄膜的结构和组成对导电性能的影响。XRD和AFM研究表明,随着衬底温度的增加,SnO2薄膜从非晶向多晶结构转变,表面粗糙度减弱,薄膜的表面电阻大幅增加。采用XPS对薄膜表面成分进行分析,时不同衬底温度下Sn3d5/2拟合发现,薄膜表面存在Sn^2+和Sn^4+两种混合价态。随着村底温度的增加,Sn3d5/2能谱位置与峰宽并没有变化。对O1s能谱进行Gaussian拟合后发现,薄膜表面的氧以晶格氧(略)和化学吸附氧(Oahs^-)两种方式存在。实验证明,Oabs^-含量与SnO2表面电阻成正比关系。 相似文献
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ZrVFe吸气剂激活过程研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过X射线光电子能谱仪(XPS)对ZrVFe吸气剂的激活过程进行了研究。结果表明:暴露于大气的吸气剂表面覆盖着一层CO2,O2及碳氢化合物,合金表面中的锆和钒主要以氧化态存在。当吸气剂置于高真空进行激活时,钒的氧化物在较低的温度(200~300℃)下被还原,并且还原比例高于锆的氧化物。在激活温度为300℃至340℃的过程中,表面大量的ZrO2和VO2逐渐减少而被还原为亚氧化物和金属态。激活过程还导致了在表面近金属态锆的富集,以及部分金属碳化物的生成。 相似文献