立方氮化硼表面硬化层的制备及性能

用渗硼和新型的等离子体浸没式氮离子注入技术（PⅢ）对Cr12MoV钢进行复合处理，制备出了含有立方氮化硼的表面硬化层。经X光电子能谱和X射线衍射分析发现硬化层中的组织主要是立方氮化硼（c-BN）、六方氮化硼（h-BN）、FeB和Fe2B。在与单独渗硼处理的Cr12MoV钢试样进行对比时，对立方氮化硼表面硬化层进行了维氏显微硬度和滑动摩擦试验。结果表明：硬化层具有高达48GPa的高硬度和优良的摩擦性能。     

基于小世界网络的PSO算法在电力系统中的应用

针对发电机的阀点效应,电力系统机组优化组合属于复杂的具有混合型变量的组合优化问题,基于小世界网络(Small World Network,SWN)的邻域模型构造,最优化原理和基本粒子群算法(ParticleSwarm Optimization,PSO),以24个时间段所有机组总耗量最小为目标函数,建立了发电机组优化组合的数学模型.提出了将"平均最短路径小,聚集系数大"的小世界网络邻域结构引入到粒子群算法中,以机组的输出功率作为粒子的位置,给出了算法的具体实现方法.在10机系统中分别采用了SWN-PSO算法和遗传算法进行了仿真计算.算例结果表明:所提出的算法不仅有利于粒子之间的信息共享,并且可以更快、更准确地收敛到全局最优解,具有一定的实用性.     

PIII技术在制备c-BN硬化层中的应用

采用一种新型的等离子体浸没式离子注入技术 (PIII)在渗硼后的 5 0Mn钢试样上制备出了厚度为 0 .15～ 0 .2mm的立方氮化硼 (c BN)表面硬化层。经X射线电子能谱 (XPS)和X射线衍射分析 (XRD) ,发现硬化层中的组织有立方氮化硼 (c BN)、六方氮化硼 (h BN)、B2 O3,FeB和Fe2 B。在表层 60nm的深度范围内 ,c BN的含量较高。采用球盘式无润滑滑动摩擦实验和维氏显微硬度实验分别对渗硼 PIII复合处理以及单独渗硼的 5 0Mn钢试样的性能进行了对比实验。结果表明 :与单独渗硼的试样相比 ,经渗硼 PIII复合处理的试样具有高得多的硬度 (高达HV0 .1N44GPa)和耐磨性     

Boost问答录

回想起第一次听到对 Boost 的介绍,维护着 Boost 在国内的镜像,在日常的编程中字里行间与 Boost 这个字眼的亲密接触,参与 Boost mailing lists 的讨论,看着周围使用 Boost 的人越来越多,恍惚间竟已两年。其间更有 Stanley Lippman 加入 Microsoft Visual C++编译器组时的郑重承诺,BorlandC++ Builder X 分发 Boost 库……技术和商业巨子的推崇,让Boost 为越来越多的程序员所关注。Boost,一个集泛型技术之大成者的库。本身的发展得益于泛型技术的进步。同时其中许多颇具试验性质的库,又令 Boost的使用者对其“出神入化”泛型技巧感到瞠目结舌。如何正确理解 Boost 这个功能强大的库,确实是摆在我们开发者面前的一道难题。     

溪洛渡送电广东同塔双回高压直流输电系统谐波不稳定研究

溪洛渡右岸电站送广东输电系统是世界上首个同塔双回高压直流输电工程(DCT-HVDC)。首先介绍了该输电系统交、直流侧交互作用的复杂性,运行方式的多样性,然后利用电磁暂态仿真程序PSCAD/EMTDC对多种运行方式下该系统送端的谐波不稳定问题进行了仿真研究。经过频率扫描分析、故障仿真验证,结果表明,溪洛渡送电广东直流系统不会发生谐波不稳定现象。     

细胞神经网络超混沌同步系统性能分析及应用

构造状态观测器可实现混沌同步.常规的研究方法是通过任意配置极点来达到同步,但对同步系统的性能分析较少.设计了一个新的五维细胞神经网络超混沌同步系统,研究分析表明极点配置与同步速度密切相关.为最大限度地减少噪声对收发双方同步误差的干扰,提出了选择反馈矩阵和补差值相结合的方法,并将其应用于多通道图像保密通信系统,仿真结果表明该设计方法可实际应用于多媒体保密通信之中.     

UML状态图在回归测试中的应用

基于UML状态图的测试是一种系统测试技术,也是基于需求的回归测试方法的扩展。该文通过依赖性分析,生成基于依赖性分析的UML状态图和依赖图,将修改前和修改后的UML状态图进行比较,为回归测试中待测试的程序的理解、发现和修改错误提供一种方法,并运用SATM实例讨论该技术在回归测试中的应用。     

基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制

本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制.采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段.结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用.薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力.