英寸级少层MoS2薄膜的低温可控制备

大面积二硫化钼(MoS2)薄膜的可控制备是其走向应用的关键环节,尤其是少层及P型电导的MoS2,对于器件应用具有重要意义,但鲜有文献报道.本工作采用室温射频(RF)磁控溅射法,在玻璃衬底上制备了英寸级的少层MoS2薄膜,并经低温退火,实现了大面积较高质量的MoS2薄膜可控制备.原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和紫外可见吸收光谱(UV-vis)分析结果表明:所制得的大面积超薄薄膜为3层的多晶膜,厚度约2.2 nm,且均匀、平整、可控,薄膜结晶性好、稳定性高.使用同样的工艺在Si/SiO2基片上制备少层MoS2薄膜,并将其制成背栅场效应晶体管(TFT),电学表征表明该薄膜呈现P型导电特征,载流子迁移率为0.183 cm2·V-1·s-1.本工作提供了一种大面积少层MoS2薄膜的可控制备方法,而且制备温度低,工艺简单且兼容性强,易实现大规模工业化生产.     

保护遗址净化环境———重庆歌乐山烈士陵园保护规划初探

在文物遗址保护中，对用地规模巨大、文物遗址分散、遗址状况复杂的具有纪念性和教育性的遗址类现场博物馆，采用多方位、多层次、系统综合的遗址保护体系，进行文物遗址保护的构想     

HVO2薄膜相变的特性及热稳定性

采用射频溅射磁控溅射技术在Ar+H_2气氛下,以V_2O_5为溅射靶材在玻璃基片上制备了H掺杂VO_2(HVO_2)薄膜,研究了H_2流量和退火处理对HVO_2薄膜的结构、光电性能和热稳定性的影响。结果表明:H_2流量可以控制薄膜中H的含量,微量H的掺杂使HVO2薄膜相变温度降低到室温附近,过量的H掺杂会使薄膜处于金属态。当500℃下退火3 h后,薄膜物相、相变等特征明显变化,此时薄膜中的H不能稳定存在于VO_2晶格而溢出薄膜。当退火温度≤450℃、退火时间≤6 h时,薄膜保持较高的稳定性,这为室温附近使用HVO_2薄膜提供了基础。另外,随H_2流量增加,薄膜的平均透射率小幅度增加,最终稳定在37%左右。随着退火温度的增加,未引入H_2制备的VO_2薄膜的平均透射率在400℃退火后为30.9%,在450和500℃退火后为35.8%左右。H_2流量为0.1～0.5 m L/min时制备的样品在3种退火温度下的透射率均保持在38%左右。     

氢气与Cu中间层对GZO薄膜光电性能的影响

采用磁控溅射方法,在H2/Ar混合气氛下制备了GZO薄膜和在Ar气氛下制备了GZO/Cu/GZO多层结构薄膜,分别研究了H2流量和Cu层厚度对薄膜透明导电性能的影响。在此基础上,在H2/Ar混合气氛下制备了GZO/Cu/GZO多层结构薄膜,对Cu层厚度对其性能的影响进行了研究。结果表明,沉积气氛中引入H2能有效降低GZO薄膜的电阻率而提高其透光率,在H2流量为20 sccm时GZO薄膜具有最佳性能。随着Cu厚度的增加,GZO/Cu/GZO多层结构薄膜的电阻率和平均透过率显著下降。在H2/Ar混合气氛下制备的氢化GZO/Cu/GZO多层结构薄膜的电阻率普遍低于Ar气氛下制备的GZO/Cu/GZO多层结构薄膜,但其透光率却随Cu层厚度的增加而显著降低。另外,薄膜的禁带宽度随H2流量的增加而增加,随Cu层厚度的增加而减小。     

激光烧结纳米ZnO 气敏传感器制备及其气敏特性研究

以激光-感应复合加热法制备的纳米ZnO为原料，用激光烧结法制成的气敏传感元件，对乙醇、丙酮等五种挥发性有机化合物的敏感性进行了测定，同时又对所制成的传感元件作了SEM分析。实验表明，采用激光烧结的纳米ZnO较之电炉烧结的敏感度高，孔洞细小、孔隙率增多；且随着激光加工功率的提高，达到最大敏感度的温度却有所降低。     

插入NiCr合金层对SnO2/Ag/SnO2多层结构透明导电薄膜热稳定性的影响

室温下通过磁控溅射技术制备了SnO₂/Ag/SnO₂（SAS）、SnO₂/Ag/NiCr/SnO₂（SANS）和SnO₂/NiCr/Ag/NiCr/SnO₂（SNANS）三类多层膜。采用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、霍尔效应测量仪和紫外-可见分光光度计研究了大气和真空退火温度与薄膜结构、形貌和透明导电性能的关系。结果表明,随着退火温度升高,薄膜的结晶程度及透明导电性能先增强后下降,薄膜的粗糙度先下降后上升。插入NiCr合金层提高了薄膜的热稳定性,且在Ag层两侧插入厚的NiCr合金层时薄膜热稳定性最优。而薄膜在真空环境下比在大气环境下的热稳定性更优。450℃真空退火后,SNANS（1 nm NiCr）薄膜平均透光率（400～800 nm）为90.31%,电阻率为8.21×10^-5 Ω·cm,品质因子为3.87×10^-2Ω^-1。     

保护遗址净化环境：重庆歌乐山烈山陵园保护规划初探

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激光熔覆层开裂问题的研究现状

分析激光熔覆层应力的产生和分布状态,描述了熔覆层纹的形成和形貌,归纳了目前掏纹产生的方法。对解决熔覆层开裂问题提出了一些建议。     

Ag层沉积速率对SnO2/Ag/SnO2三层膜透明导电性能的影响

以射频磁控溅射方法在两种沉积速率下(0.065和0.750 nm/s)制备单层Ag膜,研究了沉积速率对Ag膜结构的影响。以同样的两种速率制备Ag层,并变化Ag层厚度,研究了制备的SnO_2/Ag/SnO_2 3层膜的透明导电性能。结果发现:高速沉积的Ag膜晶粒粗大、表面粗糙度低,也即其结晶性更好且易于连续成膜,该结果很好地解释了当Ag层膜厚较薄时(6 nm),高速沉积Ag层制备的SnO_2/Ag/SnO_2 3层膜表现出更高的品质因子。当Ag层膜厚较厚时(6 nm),低速沉积Ag层制备的3层膜的品质因子更高,并且在Ag层厚度为8 nm时获得的最高的品质因子(4.73×10~(-2)/Ω),大于Ag层高速沉积且膜厚为6 nm时,获得的最高品质因子(3.45×10~(-2)/Ω),这可能与Ag层较厚时,粗糙表面的Ag层表现出更高的透光性有关。