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1.
PZN—PT—PMN电致伸缩陶瓷的介电性质 总被引:3,自引:0,他引:3
对(1-x-y)PZN-xPT-yPMN陶瓷的电致伸缩与介电特性进行了系统的研究。利用XRD定性分析了在相同工艺条件下,组成及K^+,La^3+,Y^#+,W^^+等掺杂离子对微观结构,电致伸缩及介电性质的影响。 相似文献
2.
采用溶胶-凝胶法和快速热处理工艺,分别以不锈钢(SS)和镍合金(NC)为基片,成功制备了表面均匀、无裂纹的锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,简写为PZT)薄膜.为了缓解金属基片与PZT薄膜之间由于晶格常数和热膨胀系数不同所造成的不匹配状态,引入了镍酸镧(LaNiO3,简写为LNO)薄膜作为过渡层.XRD和SEM结果表明,经过600℃下30min的晶化,PZT薄膜已经由无定型转化为钙钛矿相.以LNO为过渡层,在NC金属基片上制备的PZT薄膜具有较高的介电常数和较低的损耗(1kHz下ε=717,tanδ=0.08),较低的漏电流(50kV/cm下J=2.6×10-7A/cm2)以及较好的铁电性能(+Pr=90μC/cm2,-Pr=14
μC/cm2,Ec=32.5kV/cm).同时,在SS基片上,通过引入LNO过渡层,制备的PZT薄膜也具有比较好的性能. 相似文献
3.
4.
对(1-x-y)PZN-xPT-yPMN(0<x<0.1,0<y<1)陶瓷的电致伸缩与介电特性进行了系统的研究。利用XRD定性分析了在相同工艺条件下,组成及K~+,La~(3+),Y~(3+),W~(6+)等掺杂离子对微观结构、电致伸缩及介电性质的影响。分析表明:施主、受主离子掺杂对钙钛矿相的生成有不同的作用,掺杂后的材料介电常数均减小;而电致伸缩系数增大,其中适当掺K~+和过量MgO可使应变量得到提高;而过量ZnO使应变量减小。PZN-PT-PMN的应变性质和温度特性均优于PZN,三元系的电致伸缩特性与各组成含量有关,其中铁电相含量的增大是应变量增大的原因。 相似文献
5.
6.
梯度功能材料的研究现状与展望 总被引:30,自引:1,他引:29
回顾了梯度功能材料(FunctionalyGradientMaterials,FGM)的诞生背景,综述了FGM的表征技术,制备方法和研究现状。FGM的应用领域不再局限于结构材料,已扩展到其它功能材料,成为国际材料科学研究的前沿课题。本文重点介绍FGM在电子材料和光学工程方面的应用,并对FGM的未来进行了展望。 相似文献
7.
涂覆扩散型SrTiO3基陶瓷晶界叠加势垒模型 总被引:5,自引:0,他引:5
根据涂覆扩散型SrTiO3基陶瓷的晶界结构特点,势扩散分布与压敏电压的关系,提出了两晶粒之间的n-n‘-i-n’-n的物理模型以及晶界叠加势垒模型。以此模型推导晶势垒高度与扩散层深度的公式,对实验数据,晶界势垒高度及其在晶界的分布进行了模拟,其结果明确地说明了摭用层浓度增加,晶界势垒高度提高从而VlmA提高、并证明了叠加势垒模型比Schottky势垒模型更加合理。 相似文献
8.
9.
研究了镍酸镧(分子式LaNiO3,简称LNO)导电薄膜的制备,及其与性能之间的关系。实验结果表明热处理制度和热处理过程中通氧是LNO薄膜获得良好电性能的关键。实验发现LNO薄膜在退火温度5500C时就已经晶化,并且随着退火温度的升高,薄膜电性能也随之提高,但是当温度高于860℃后,LNO薄膜发生了结构相变并伴有NiO的析出,因此导致了薄膜电阻率的升高。较短的预处理时间和较长的退火处理时间有助于薄膜晶粒的长大,从而提高薄膜的电性能。同时也讨论了LNO薄膜电阻率和工作温度的关系。 相似文献
10.
Sol-Gel制备Ba1-x Srx TiO3系铁电薄膜的介电、调谐性能* 总被引:12,自引:0,他引:12
用sol-gel工艺制备Ba1-xSrxTiO3系铁电薄膜(1-x=0.3,0.5-0.9)。实验证实,在制备溶胶过程中,提高加热温度能有效增加BST薄膜的介电调谐百分率。室温下,100kHz,各组分薄膜的介电常数(ε)和介电调谐百分率(Tunability%)均呈现较高的值。其中,Ba0.8Sr0.2TiO3的介电常数和调谐百分率达到最大分别为:678和39%,比国际上同类文献报道的数据高。BST的ε-E曲线呈良好的单值函数关系。介电温谱出现明显宽化,调谐曲线峰值点对应的温度较居里温度低20-30℃,本文并对上述现象作出解释。 相似文献