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本实验的ITO薄膜样品是利用直流磁控溅射技术在玻璃基片上沉积而成的。通过改变溅射功率,研究不同溅射功率对ITO薄膜光学性能的影响。经各实验测试后发现:在实验给定的功率区间内,ITO薄膜的厚度随着溅射功率的增加而增加,其可见光透过率则随之降低。 相似文献
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混合集成电路铜功率外壳气密性失效分析 总被引:2,自引:0,他引:2
玻璃封接金属管壳是集成电路封装中的1类主要组件,该管壳是将玻璃与可伐合金封接而成的绝缘子钎装在铜管座上制成的。本文研究了PM型混合电路铜功率外壳气密性失效问题,产品高温老化后,气密性可由10^-8Pam^3/s降到10^-5Pam^3/s。结合对失效产品的解剖,以及与国外不漏气的同类型功率管的对比分析,分析了影响玻璃封接金属管壳气密性的因素以及生产工艺对封接质量的影响,提出若干改进建议,并指出提高产品质量的有效途径。 相似文献
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为了制造性能良好的陶瓷金卤灯,保证陶瓷放电管和金属电极引线之间形成牢固的气密性封接是一个关键,和石英管不同,陶瓷管无法在加热软化后通过挤压与金属电极引线粘合在一起,为了完成放电管和电极的密封,必须采用合适的封接材料将它们封接起来,因此对陶瓷金卤灯的关键材料Al2O3-Dy2O3-SiO2系封接材料膨胀系数进行了研究。 相似文献
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利用物理气相沉只(PVD)真空蒸镀法,研究镍钛合金饰膜。结果表明,在玻璃基片上蒸镀的镍钛合金膜,不仅个有良好的光学性能,而且耐蚀、耐磨、附着力强,可用于建筑装饰琪等领域。 相似文献
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引线框架材料对铜合金与锡铅焊料界面组织的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用老化试验、金相分析、扫描电镜(SEM)及能谱分析(EDX)等手段对引线框架铜合金与SnPb共晶焊料界面组织进行了分析研究。结果表明,引线框架材料对铜合金与SnPb共晶焊料界面组织有很大的影响,焊点在160℃高温老化300 h后,CuCrZr系合金和CuNiSi合金与SnPb的界面金属间化合物为Cu6Sn5,其厚度在5~10 mm; 而C194合金与SnPb的界面金属间化合物为分布有Pb颗粒的Cu6Sn5,厚度已高达60~70 mm,同时还发现有微小空洞存在,影响焊点的可靠性。与C194合金相比,CuCrZr系合金和CuNiSi合金具有更好的焊接可靠性。 相似文献
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陶瓷基板化学镀铜预处理的研究 总被引:8,自引:0,他引:8
为提高封装基板铜导体层与陶瓷基板的结合强度,研究了在氧化铝和氮化铝的基板上进行化学镀铜,对表面进行粗化和改性,经过优化工艺条件后,氧化铝与镀层的结合强度可以达到27MPa,氮化铝与镀层的结合强度可以达到22MPa。 相似文献