热式MEMS流量传感器的设计及测试

根据已有的热式MEMS气体微流量传感器芯片的各部分热敏电阻热串扰现象严重,造成很大的测量误差,改进设计了一种MEMS热式流量传感器,将加热电阻和上下游测温电阻采用悬臂梁隔离结构,并相互隔离,有效的避免了热膜流量传感器各部分热敏电阻间相互热串扰现象。基于改进的MEMS热式流量传感器,设计了流量传感器的测试系统,包括恒温差电路、桥式测量电路及放大、滤波电路,所采集的流量信号经过滤波放大后输入AD模块进行模数转换,最后经过单片机处理,利用单片机与计算机串口通信功能,在不同流速下打印出不同的电压值;通过Matlab对所测出的数据进行拟合,完成对传感器性能的检测。测量结果表明:在一定的流量范围内,该流量传感器具有测量精度高、响应速率快、输出信号平滑等特点,能够广泛应用于工业、医疗领域的流量测量。     

鲜黄姜生产工业皂素的成分分析与工艺改进

用色-质联用技术分析了以新鲜黄姜为原料生产的工业薯蓣皂素的组成物。实验证明,新鲜黄姜中存在油酸、十六酸等脂肪酸。在现有生产工艺条件下,这些脂肪酸伴随皂素一起进入了工业皂素中。经甲酯化后皂素产品中十六酸甲酯的相对含量为 8. 2%,油酸甲酯的相对含量为10. 5%。正是这些脂肪酸的存在,使得工业皂素产品的熔点偏低。建议以新鲜黄姜为原料生产工业薯蓣皂素的生产厂家改进生产工艺以保证工业薯蓣皂素产品的质量和企业自身的经济效益。     

互通D匝道桥墩加固分析

河源互通D匝道在设置桥面铺装前出现了支座脱空的现象,文章通过计算加强后桥墩的验算,提出了补强措施的建议。     

充油MEMS压力传感器研制

设计了一种基于MEMS压力传感器芯片的充油芯体MEMS压力传感器。在不同的温度、压强环境下对传感器进行了系列实验测试,线性度达到0.2%左右,性能指标优良,可以应用于各种场合,包括恶劣的腐蚀性介质环境。     

小鼠精子发生过程中的Ca￣（2＋）及Ca￣（2＋）－ATPase定位

利用电镜细胞化学方法，定位观察精子发生过程中的Ｃａ￣（２＋）及Ｃａ￣（２＋）－ＡＴＰａｓｅ变化，发现精原细胞的核内外均有弥散性的Ｃａ￣（２＋）分布，精母细胞，圆型精子细胞Ｃａ￣（２＋）主要分布在核膜，线粒体，胞质小囊，内质网，及细胞质膜上；变态期精子Ｃａ￣（２＋）则分布于精子顶体内膜与核膜之间。Ｃａ￣（２＋）－ＡＴＰａｓｅ在精子发生过程中则出现两次，一次是在精母细胞期，另一次是在变态期精子。     

小鼠精子附睾成熟过程中Ca^2＋及Ca^2＋—ATPase的研究

利用焦锑酸钾方法和电镜酶组织化学定位方法，研究了小鼠精子在附睾成熟过程中的Ｃａ＾２＋及Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ变化。结果发现：附睾头中的精子内元Ｃａ＾２＋或极低，而Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ活性极强，可能是由于Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ的作用将Ｃａ＾２＋从精子内排出了精子外；在附睾体中，精子Ｃａ＾２＋－ＡＴＰａｓｅ活性降低，而Ｃａ＾２＋浓度迅速上升，并且发现Ｃａ＾２＋来自于附睾管细胞；到了附睾尾部，精     

沙棘治理侵蚀沟效果佳

沙棘是耐干旱、耐水湿、耐贫瘠的树种，无论什么土壤条件的侵蚀沟，都适合栽植沙棘。治沟的第一步是修沟头谷坊。为了防止侵蚀沟向上扩展，在沟头用石头和水泥修上永久性的谷坊，把沟头困住，谷坊迎水面与地面平行，顺水面修成台阶，阶面的长度宜长些，台阶高30厘米一40厘米，台阶延伸到沟底，台阶的个数视沟深而定。第二步是削坡呈阶梯形整地。整地最好在秋季进行，沟壁两侧削坡后，修成阶梯形，阶梯数量团沟深而定，阶梯的宽和高各70厘米一脱厘米，植树坑径深30厘米X30厘米，株距1米，底层台阶距离沟底1米一1．5米。第三步是造林。春季在…     

鲜黄姜生产工业皂素的成分分析与工艺改进

用色-质联用技术分析了以新鲜黄姜为原料生产的工业薯蓣皂索的组成物。实验证明，新鲜黄姜中存在油酸、十六酸等脂肪酸。在现有生产工艺条件下，这些脂肪酸伴随皂素一起进入了工业皂素中。经甲酯化后皂素产品中十六酸甲酯的相对含量为8．2％，油酸甲酯的相对含量为10．5％。正是这些脂肪酸的存在，使得工业皂素产品的熔点偏低。建议以新鲜黄姜为原料生产工业薯蓣皂素的生产厂家改进生产工艺以保证工业薯蓣皂素产品的质量和企业自身的经济效益。     

压力传感器波纹膜片设计的力学性能分析

利用ANSYS有限元软件,对压力传感器波纹膜片的有关结构参数与力学性能的关系进行了分析:对均布载荷和集中载荷作用下,波纹膜片中心位移的有限元解与解析解进行了比较,验证有限元模型和结果的精度;根据ANSYS分析结果,对不同型面结构的波纹膜片,比较波纹形状对膜片力学性能的影响;讨论了正弦型波纹膜片的膜片厚度、波纹高度、波纹数目对其性能的影响,为波纹膜片结构的优化设计提供依据.     

一种GaAs PHEMT器件的失效分析

随着Ga As PHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)器件的广泛应用,器件的可靠性及失效分析方法越来越受到人们的重视。该文采用半导体参数分析仪、聚焦离子束(FIB)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能谱仪(EDX)等分析方法对一种PHEMT器件进行失效分析,为实际生产和加工过程中的失效分析提供了参考。