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高精度钨器件的应用及加工 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了高精度钨器件在医用CT准直器、探测器及半导体离子注入设备中的应用,并对高精度钨器件的关键生产工艺及加工技术进行了分析,提出了钨加工材的未来发展趋势,即向着高技术、高附加值产品及钨的应用产品方向发展。 相似文献
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进行了烧结、轧制工艺对比试验,研究了粉末粒度、形貌和烧结工艺对大型钼烧结板坯组织和性能的影响;轧制方式对LCD溅射靶材用大尺寸钼板微观组织、织构以及性能的影响,探讨了影响LCD溅射靶材用大尺寸钼板组织、织构及性能的主要因素。结果表明:制备大型烧结钼板坯可选用颗粒大小较为均匀、分布疏松、粗细搭配合理的中等粒度钼粉;相比普通钼板坯而言,通过延长保温时间,1900℃高温氢气中频烧结,可制备轧制大尺寸钼靶材用大型钼板坯;LCD溅射靶材用大尺寸钼板轧制总加工率需大于70%;采用1火次多道次单向轧制工艺,正常轧制的LCD溅射靶材用长条形钼板再结晶退火后可得到均匀细小的等轴晶粒组织;由于纵向开坯轧制阶段的不均匀变形(非正常轧制),导致包覆横轧得到的LCD溅射靶材用宽幅矩形钼板再结晶退火后组织不均匀,细晶粒和粗大晶粒并存;单向正常轧制的LCD溅射靶材用长条形钼板再结晶退火后近表层无明显优先织构取向。纵向开坯轧制,然后用包覆换向横轧得到的LCD溅射靶材用宽幅钼板再结晶退火后近表层存在较强的{0,0,1}〈1,-1,0〉、{0,0,1}〈6,-1,0〉和{0,1,1}〈1,0,0〉织构。 相似文献
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进行了烧结、轧制工艺对比试验,研究了合金粉末粒度、烧结温度、中间热处理工艺对TZM合金微观组织、性能以及轧制过程的影响,探讨了影响大功率陶瓷发射管用TZM薄板表面质量的主要因素。结果表明:减小TiH2和ZrH2粉末粒度和适当提高烧结温度,可生产适合轧制TZM薄板的板坯,在后续冷轧过程中可明显减少起皮缺陷的产生;TZM烧结板坯于1350—1450℃开坯可保证轧制正常进行;轧制总加工率达到70%,板材厚度约8mm时,进行1550℃退火处理,可避免后续冷轧过程中分层现象的产生;按上述工艺生产的大功率陶瓷发射管栅极用TZM薄板室温和高温力学性能满足要求。 相似文献
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通过轧制温度、轧制方式实验,以及织构和力学性能分析,研究了轧制工艺对液晶显示背光源用的深冲钼带的组织和性能的影响。结果表明:采用低温开坯,然后低温两次交叉轧制,再进行一次交叉轧制的工艺,使钼带在1000℃退火后具有很强的{001}〈011〉板织构和弱的〈111〉丝织构;钼带纵、横向组织几乎完全一致,都为细小均匀、相互搭接的纤维状组织;钼带经过消除应力退火后,纵、横向不仅都具有较高并相近的延伸率,而且强度也相近,杯突值较高。由于强度和硬度适中,各项性能形成了很好的匹配,使钼带各向异性大大减弱,深冲性能良好。 相似文献
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通过轧制温度、轧制方式实验,以及织构和力学性能分析,研究了轧制工艺对液晶显示背光源用的深冲钼带的组织和性能的影响.结果表明:采用低温开坯,然后低温两次交叉轧制,再进行一次交叉轧制的工艺,使钼带在1 000℃退火后具有很强的{001}〈011〉板织构和弱的〈111〉丝织构;钼带纵、横向组织几乎完全一致,都为细小均匀、相互搭接的纤维状组织;钼带经过消除应力退火后,纵、横向不仅都具有较高并相近的延伸率,而且强度也相近,杯突值较高.由于强度和硬度适中,各项性能形成了很好的匹配,使钼带各向异性大大减弱,深冲性能良好. 相似文献
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轧制工艺对深加工用温轧钼板材组织和性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过改变轧制加工率、轧制温度及轧制方式,研究了轧制工艺对深加工用温轧钼板材组织和力学性能的影响,结果表明:采用大加工率开坯和低温交叉轧制工艺,钼板材的纵向、横向组织及性能相近,能够很好地满足深加工需要. 相似文献
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