闭孔泡沫铝的导热性能

研究了孔隙率、孔径对闭孔泡沫铝合金导热系数的影响，结果表明，由于大量孔洞的存在，泡沫铝的导热系数较同样成分的实体材料显著下降，孔隙率在0．80—0.93范围内，约为实体材料的1／30—1／80，随着孔隙率的增加，导热系数迅速下降，而孔径对泡沫铝的导热系数影响不大．从串-并联和并-串联模型出发，分析了孔隙率对泡沫铝材料导热系数的影响，发现串-并联模型更能反映泡沫铝的结构特征，与实测值吻合更好。     

闭孔泡沫铝的电磁屏蔽性能

采用粉末冶金发泡法制备闭孔泡沫铝,通过调整发泡剂含量、发泡温度、粘度、保温时间等手段,制得孔隙率可调、孔洞分布均匀的闭孔泡沫铝样品,并测试了不同孔隙率、孔径泡沫铝样品的电磁屏蔽性能.结果表明:在100～1000MHz内,泡沫铝的电磁屏蔽性能在60～90dB之间,且随着孔隙率、孔径的增加,泡沫铝的电磁屏蔽性能下降.     

ZnO基材料的压电、铁电、介电与多铁性质研究进展

ZnO是一种纤锌矿结构的第三代宽带隙半导体材料,在光电和铁电器件领域具有优良的应用前景.本文综述了近年来ZnO材料在制备与诸如压电、铁电、介电与多铁等物理性质方面的研究进展,指出了ZnO在铁电、介电与多铁性质研究方面中存在的问题,并提出解决的思路.     

低品质余热蒸发雾滴冷却空气压缩方法

工业余热主要集中于能源密集型行业,量大且利用率低或直接排放;同时,压缩空气广泛且大量应用于能源密集型行业,能耗消耗量大。结合二者各自特点,以工业低品质余热产生水蒸气进而凝结产生雾滴为出发点,在压缩时向压缩空气中喷入微米级水雾,吸收压缩空气的压缩热,减小压缩空气温升,实现近等温压缩。对比蒸气凝结产生雾滴的功率与高压产生雾滴的功率,得出水蒸气凝结雾滴的压缩节能效率更接近于等温压缩节能效率。通过余热回收和水蒸气冷却凝结雾滴的方式能够提高压缩空气制取的能源效率,降低企业生产压缩空气成本,减少工业二氧化碳排放,改善气候环境。     

六方YMnO_3纳米棒的制备、微结构及磁性研究

采用水热法成功合成了YMnO3纳米棒,利用XRD、SEM、EDS、HRTEM和SAED对产物进行了表征。实验结果表明,产物为六方纯相YMnO3纳米棒,高分辨电镜图片显示晶面间距为0.298nm,对应(004)面间距,结合XRD及选区电子衍射结果,可以得出纳米棒沿[001]方向生长,并初步分析了纳米棒的形成机理。测试了YMnO3纳米棒的M-T曲线,观察到了由表面未补偿自旋引起的自旋玻璃态。     

湿化学法制备氧化硅超薄膜及其成份和厚度的SRPES测定

用C2H5OH溶液氧化H钝化的Si表面(H-Si)得到一层氧化硅超薄膜.原子力显微镜(AFM,Atomic Force Microscope)的结果显示,氧化前后的表面均非常平整.同步辐射光电子能谱(SRPES,Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy)的测试结果表明,氧化膜的主要化学成份为SiO2,其平均厚度为0.24 nm.衬底温度为500℃时,在此氧化膜表面制备出面密度达9.5×1010 cm-2,尺寸集中为(25±5)nn的Ge量子点.初步的生长实验表明,湿化学法制备的氧化硅超薄膜作为外延衬底,可减小Ge量子点的尺寸,提高其面密度.     

C面蓝宝石衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征

采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了CsHs气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C3Hs气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制,而后受质量输运控制.所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜,其摇摆曲线半高宽为0.6°,已经达到单晶水平.没有使用A1N过渡层,制备出结晶质量更好的SiC薄膜,表明对于蓝宝石衬底上SiC薄膜的生长,起决定性因素的是温度,过渡层不是影响SiC薄膜结晶质量的主要因素.     

Si(111)衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征

在Si(111)衬底上,采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延出结晶质量良好的SiC薄膜.低温光致发光谱表明该薄膜属于6H-SiC多型体.X射线衍射图表明该薄膜具有高度的择优取向性.扫描电子显微镜图表明该薄膜由片状SiC晶粒组成.拉曼光谱和透射电子衍射谱的结果进一步表明该薄膜具有较高的结晶质量.对Si(111)衬底上6H-SiC薄膜的生长机制进行了初步探讨.     

硅衬底碳化对异质外延SiC薄膜结构的影响

用LPMOCVD方法在P—Si（111）衬底上异质外延生长SiC，用碳化方法生长出具有单晶结构的3C—SiC薄膜，研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响．结果表明，在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解，不能形成很好的过渡层；碳化时丙烷流量过大会造成碳污染，碳化时间过长使过渡层的结晶质量降低．最佳的碳化条件为：开始碳化温度1150℃，碳化时间和碳化时丙烷的流量分别为8min和2sccm．     

钼氮共掺杂TiO2的制备及其光催化活性

采用简单的溶胶-凝胶法制备了一系列不同钼掺杂比例的钼氮共掺杂TiO2光催化剂,并通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis DRSs)及光致发光光谱(PL)等手段对催化剂进行了表征,并通过降解亚甲基蓝(MB)对催化剂光催化活性进行了评价.结果发现,掺杂后TiO2在可见光区吸收...