铜导线的短路熔痕与过热熔断熔痕分析

分析了某机电产品火灾事故中的两种铜导线熔痕,观察到一种电流过载引起的铜导线过热熔断熔痕,它由来熔化的再结晶区、融合形成的粗晶粒区以及快速冷却形成的细晶粒区组成,且粗晶粒区和细晶粒区之间有明确的界限.结果表明,该过热熔断熔痕是一次熔痕,是引起火灾事故的直接原因.     

纯氮气氛下铜制活性屏离子渗氮试验

铁-氮化合物微粒被认为是活性屏离子渗氮过程中活性氮原子的主要输运载体,试验采用既不吸附氮也不与氮反应生成化合物的铜制活性屏和纯氮气氛,在没有铁-氮化合物微粒的情况下,对45钢试样进行渗氮处理.结果表明,在此条件下,45钢存在渗氮层,渗氮过程除依托铁-氮化合物输运外,活性氮原子还有其它重要的不可忽视的输运方式.     

气相传输涂层过程中金属的输运介质初探

自蔓延燃烧气相传输涂层是一种新型的表面涂层技术,对涂层过程中金属的输运介质进行了进一步的试验研究.试验表明:卤素单质或C6Cl6不是金属的输运介质,它们与活泼金属反应生成的低熔点、高蒸汽压的卤化物(如AlCl3)具有把金属元素从高温处输运到低温处的功能,可能是真正的输运介质.     

温差对CaMnO_3和Ca_3Co_4O_9热电器件输出功率的影响

在低温端散热条件不变的情况下,在较宽的测试温度范围内分别测试了CaMnO3（n-type）和Ca3Co4O9（p-type）单臂热电器件的输出功率,实验结果显示其最大输出功率与温差的平方有较好的线性关系。通过进一步的分析表明,其比例系数正比于Seebeck系数的加权平均值（加权函数为温度梯度函数）的平方与电阻率的平均值之比,是热导率、电导率和Seebeck系数等热电材料性能参数的综合表现,能够方便地测量,可在较宽的温度范围内近似地表征热电材料或器件的性能。     

Sr_2Al_6O_(11):Eu~(2+),Dy~(3+)蓝色发光材料制备

用高温固相法合成Sr2Al6O11:Eu2+,Dy3+蓝色发光材料,研究了合成温度、保温时间、B2O3加入量对该材料物相组成和发光性能的影响。结果表明,只有在掺入一定量的B2O3(5%~15%)的条件下,通过控制温度(1000℃~1150℃)和保温时间(1h~2h)能够合成Sr2Al6O11:Eu2+,Dy3+蓝色发光材料。     

活性屏离子氮化过程中氮的输运机理分析

将活性屏离子氮化过程中活性氮原子的输运方式分为无输运介质的扩散输运与有输运介质的吸附输运两种,指出扩散输运是活性氮原子的重要输运方式之一。此外,还重新分析了文献报道的活性屏离子氮化实验结果,阐述了活性屏材质等因素对氮化效果的影响。     

富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性

用改进的垂直气相法生长的富镉CdSe单晶,其电阻率为107Ω*cm量级,电子陷阱浓度为108cm-3量级,且能将注入其中的部分电荷储存起来.分析认为,晶体的高电阻率及储存电荷的能力都是由Se空位引起的.     

FeCrAlTi高温抗氧化涂层的制备与性能

化学反应气相传输涂层是一种表面涂层新技术,用这种方法制备出了致密的FeCrAlTi高温抗氧化涂层,对涂层的性能进行了初步测试.结果表明涂层与基体之间有良好的结合力和较好的抗氧化能力.     

垂直布里奇曼法生长碘化铅单晶体

碘化铅（PbI2）晶体的平均原子序数较高，有较宽的禁带宽度，作为一种新型室温核辐射探测器材料有着广阔前景．以高纯Pb和I2单质为原料，采用两温区气相输运法（TVM）成功合成出单相PbI2多晶原料，并以此为原科，用垂直布里奇曼法（VBM）生长了3种不同颜色的PhI2单晶体．研究表明：晶体生长工艺参数对晶体的质量有重要影响，适当调整温度场和安瓿在生长炉中的位置，可有效地避免或减轻晶体富碘现象，从而生长出优质的黄色PbI2单晶体。     

碘化铅多晶合成与单晶体生长研究

碘化铅 (PbI2 )的平均原子序数较大 ,碘化铅晶体有较宽的禁带宽度 ,作为一种新型的室温核辐射探测器材料有广泛的前景。本文对碘化铅原料的合成与晶体生长工艺进行了初步研究 ,用垂直布里奇曼法生长出了直径达 2 0mm、长约 3 0mm的完整半透明的碘化铅单晶体