脉冲激光沉积制备的HT-LiCoO2薄膜中Li离子表观扩散的研究

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在镀Pt的Si衬底上制备了LiCoO2薄膜,运用XRD、Raman光谱、SEM和循环伏安等方法对其结构与电化学性能进行表征,在此基础上着重采用电位间歇滴定技术(PITT)对其Li离子表观扩散进行了分析.结果表明,600 ℃制备的LiCoO2薄膜为HT-LiCoO2相,呈柱状晶结构,平均晶粒尺寸在100 nm以下,结晶度高,并且具有明显的[001]择优取向,但少量缺Li.伏安循环曲线表明,该LiCoO2薄膜具有良好的电化学可逆性,但只在3.9 V(vs Li/Li )附近出现一对氧化还原峰.PITT测试表明,PLD方法制备的HT-LiCoO2薄膜的Li离子扩散系数在10-8-10-9cm2/s,与其它方法(如射频磁控溅射)制备的HT-LiCoO2薄膜相比,扩散系数高1-2个数量级;并且PLD方法制备的HT-LiCoO2薄膜中Li离子扩散系数与相变有关,在两相共存区,由于相界钉扎的作用,Li离子扩散系数比其它区域小1-2个数量级.     

梯度孔隙率与大孔隙尺寸NiTi形状记忆合金的制备及其相变和超弹性行为

利用低温分解型造孔剂与梯级热等静压烧结和常规烧结的匹配工艺成功制备出了梯度孔隙率与大孔隙尺寸多孔NiTi形状记忆合金.多孔合金的孔隙率为30%-61%,孔隙平均尺寸可根据不同预处理工艺在50-500 μm之间变化,且具有较高的开孔率(最高可达85%).所制备的径向梯度孔隙率多孔NiTi合金具有良好的力学性能,线性超弹性应变大于4%;热分析和XRD分析表明,所制备的多孔合金呈现明显的马氏体转变和逆转变特征,相变特征温度随孔隙率的提高而降低.     

Cu gettering to nanovoids in SOI materials

Silicon-on-insulator (SOI) materials have a number of inherent advantages over bulk silicon substrates owing to their high speed, low power complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) integrated circuits, such as immunity to radiation hardness, high speed, and high tem-perature tolerance [1]. Separation by implantation of oxygen (SIMOX), bonding and etch back (BESOI) and Smart-Cut are the leading technologies for SOI material fabrication. Transitional metal impurities such as Cu, F…     

TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应改善超薄CoSi_2高温稳定性

本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄ＣｏＳｉ２膜的高温稳定性．采用离子束溅射和反应磁控溅射技术制备Ｃｏ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｓｉ、Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ不同结构，在高纯氮气下进行快速热退火（ＲＴＡ），形成ＣｏＳｉ２薄膜．应用四探针薄层电阻测试、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）进行测试．实验结果表明：ＴｉＮ覆盖层和Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ三元固相反应都是有利于形成具有良好高温稳定特性的ＣｏＳｉ２薄膜的有效方法，有望应用于深亚微米接触和互连技术中．     

Fe—Mn—Si形状记忆合金在不同热机械循环条件下γ→ε马氏体…

测定了Ｆｅ－３３．７（ｗｔ）％Ｍｎ－５．２２（ｗｔ）％Ｓｉ形状记忆合金在不同变量和不同回复温度的热机械循环（简称“训练”）条件下的形状记忆效应（ＳＭＥ）。通过电子显微分析观察以应力诱发马氏体均为薄片层组织，在应变量过大或回复不良分的训练过程中，位错的增殖会破坏的这种片层组织并影响晶本学的可逆性，同时使形状记忆效应恶化。     

用于圆筒状零件内表面等离子体浸没离子注入的偏转电场法

等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）为解决束线离了注入所难以解决的圆筒状零件内表面注入处理问题提供了新要可能途径，但在应用中却受到注入能量和注入剂量偏代的限制，本文针对这一问题了偏转电场法用以提高内表面注入的能量和注入剂量，实验结果表明，采用这一方法可以有效地改善圆筒状零件内表面注入的注入情况，注论述工提高了２５％～１００％，注入剂量提高了７３％～１１３％，注入脉冲宽度的延有利于注入离子向部深入，利于     

基于悬浮电极介质阻挡放电的低温等离子体 灭菌实验研究

基于介质阻挡放电原理,该文工作搭建了一种悬浮式电极的低温等离子体装置,并开展了细 菌灭活的实验。实验结果表明,该装置对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌具有显著的灭活效果：作用时间 30 s 内金黄色葡萄球菌和大肠杆菌灭活效率达到 99.99% 以上;作用距离对灭菌效果具有明显影响作 用,其中作用距离为 1 mm 时的灭菌效果最佳。     

钛合金微弧氧化陶瓷膜微观特性的分析

微弧氧化膜存在微米量级宏孔,这些宏孔对氧化膜特征的研究非常重要.研究了微弧氧化中电流密度对微弧氧化膜的生长速率、结构形貌及相组成的影响,并对氧化膜进行了离子束抛光处理,分析了氧化膜和微孔的组织结构.研究表明:电源频率固定为1 500 Hz/5 μs和氧化膜厚为10 μm时,随着氧化电流密度的增大,氧化膜的生成速度和孔径都随之增大,但同一膜厚的氧化层组成成分金红石型TiO2和锐钛矿型TiO2的相对含量无明显变化;离子束抛光后的氧化膜膜层外疏内密,放电通道内表面更是淀积了电解液溶质、氧化膜颗粒及基材等多种物质的纳米微颗粒.     

改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理

对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.     

磁控溅射Zr-Ti薄膜的组织结构与血液相容性

通过直流平衡磁控溅射法在NiTiSMA表面生成Zr-Ti膜,用SEM、XRD和XPS分析证实制备的Zr-Ti膜呈现晶带T型结构,组织保持了细小致密的纤维状特征,与基底结合良好,并且出现了少量生物惰性ZrO2和TiO2陶瓷相。通过测定溶血率研究血小板黏附行为,评估血液相容性。结果表明,与NiTi基底相比,Zr-Ti膜的溶血率更低,表面黏附的血小板数量减少,能够改善NiTiSMA基底的血液相容性。最后,对磁控溅射沉积Zr-Ti膜的成膜机理进行了探讨。