热等静压对铍铝合金组织及性能的影响

采用精密铸造技术制备铍铝合金,研究了Ag、Co、Ge等添加元素在铍铝合金中的分布特点和作用,分析了热等静压对合金微观组织、力学性能和断口形貌的影响。结果表明,Ag、Ge分布于铝相中强化铝相,Co元素存在于铍相和铝相中,主要强化铍相。通过热等静压处理可以改善合金力学性能,提高延伸率,增加相界面厚度,但对合金的微观组织和断裂模式不产生影响。     

铍室温变形过程中的孪生及织构演变

利用万能试验机在室温下对等静压铍材进行不同应变量的压缩试验,并采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术分析了铍材的孪生形成情况和织构演变。结果表明:铍在室温压缩变形时只发生{1012}拉伸孪生,在拉伸孪生的演变过程中,孪生萌生和长大过程对晶粒发生大角度转变和新织构{0001}的形成有着很大的促进作用;孪生后期对铍滑移变形的协调作用减少,单轴压缩力偶对新织构{0001}的形成也起着重要作用。     

宇航精密仪表及零件用金属材料的尺寸稳定性

综述了宇航精密仪表及零件用铝，钛，铍等金属和合金的尺寸稳定性，分析了影响尺寸稳定性的因素，并针对各种不同金属材料的特点，提出了改善尺寸稳定性的途径。     

Influence of grain size on mechanical properties of isostatically pressed beryllium materials

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＢｅｒｙｌｌｉｕｍｈａｓｉｔｓｏｗｎｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ:ｌｏｗｄｅｎｓｉ ｔｙ,ｈｉｇｈｍｅｌｔｉｎｇｐｏｉｎｔ ,ｈｉｇｈｅｌａｓｔｉｃｍｏｄｕｌｕｓ ,ｅｓｐｅ ｃｉａｌｌｙｈｉｇｈｓｐｅｃｉｆｉｃｓｔｉｆｆｎｅｓｓ (ｍｏｄｕｌｕｓ/ｄｅｎｓｉｔｙ) ,ｇｏｏｄｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｓｔａｂｉｌｉｔｙ ,ｅｔｃ .Ｓｏｉｔｉｓａｇｏｏｄｍａｔｅｒｉａｌｆｏｒｉｎｅｒｔｉａｌｇｕｉｄａｎｃｅｓｙｓｔｅｍａｎｄｏｐｔｉｃａｌｓｙｓｔｅｍ[1～ 3 ] .Ｐｏｗｄｅｒｍｅｔａｌｌｕ…     

Internal Mechanism Analysis of Modeling on Particles Size Distribution Characteristics of Impact Attrition Beryllium Powders

基于铍(Be)冲击制粉颗粒的形貌特征,建立了一个描述Be粉颗粒尺寸分布的物理模型,该模型仅含一个物理意义明确的参数。模型中考虑了2种重要的内在影响机制:具有不同初始动能的颗粒在完成冲击后的存在状态应该遵从Maxwell-Boltzmann分布,即大颗粒具有高的能量,状态不稳定,在冲击过程中容易碎成小颗粒,这一影响可以用颗粒尺寸的负指数函数来描述;获得低表面能的倾向又使得颗粒尽可能具有大的体积,这一影响可以用颗粒尺寸的立方函数来描述。实际的颗粒尺寸分布是这2种影响竞争的结果。计算结果与实验数据符合得很好。     

铍冲击粉颗粒尺寸分布特征建模的内在机制分析（英文）

基于铍(Be)冲击制粉颗粒的形貌特征,建立了一个描述Be粉颗粒尺寸分布的物理模型,该模型仅含一个物理意义明确的参数。模型中考虑了2种重要的内在影响机制:具有不同初始动能的颗粒在完成冲击后的存在状态应该遵从Maxwell-Boltzmann分布,即大颗粒具有高的能量,状态不稳定,在冲击过程中容易碎成小颗粒,这一影响可以用颗粒尺寸的负指数函数来描述;获得低表面能的倾向又使得颗粒尽可能具有大的体积,这一影响可以用颗粒尺寸的立方函数来描述。实际的颗粒尺寸分布是这2种影响竞争的结果。计算结果与实验数据符合得很好。     

片式钽电容器的研究现状与发展趋势

综述了近期国内外片式钽电容器的研究现状，并对今后钽电容器的技术发展进行了展望，指出提高电容量或在相同容量下缩小体积，以及改进性能，特别是降低ESR将是今后钽电容器发展的方向，铌电容器的问世将拓宽钽电容器的应用范围，并成为电容器的一个新品种。     

ITO透明导电薄膜的研究进展

介绍了ITO薄膜的基本特性和透明导电原理,综述了ITO薄膜主要的制备技术及其研究进展,并指出了不同制备方法的优缺点.还对ITO薄膜晶格常数畸变、载流子浓度上限和最佳掺杂量、红外反射率、光吸收边的移动等基础理论研究进展进行了归纳.今后,还需要在低温或室温ITO薄膜的制备、ITO薄膜的导电机理、纳米尺度ITO材料的特性等方面加强研究.     

片式钽电容器的研究现状与发展趋势

综述了近期国内外片式钽电容器的研究现状,并对今后钽电容器的技术发展进行了展望,指出提高电容量或在相同容量下缩小体积,以及改进性能,特别是降低ESR将是今后钽电容器发展的方向,铌电容器的问世将拓宽钽电容器的应用范围,并成为电容器的一个新品种.     

硫化锌掺杂二氧化硅靶材致密化研究

硫化锌掺杂二氧化硅(以下简用ZnS+SiO2表示)靶材主要用于CD-RW,DVD-RAM光盘,它通过溅射方法在光盘上形成一层保护膜,以保证光盘的记录性能不受外界条件的影响.靶材的密度越高,溅射形成的膜的质量越好.ZnS+SiO2靶材可通过热等静压工艺或热压工艺获得,本实验采用真空热压工艺对ZnS+SiO2靶材致密化进行了研究,分析了主要热压工艺参数对ZnS+SiO2靶材密度的影响.最适宜的热压温度为1 250℃,压力为36 MPa,时间为3 h,采用此工艺参数制备的靶材相对密度达99.2%.