基于磨损行为的单晶硅片化学机械抛光材料的去除特性

为了掌握化学机械抛光（CMP）过程中硅片表面材料的去除行为,根据CMP过程中硅片表面材料的磨损行为,建立了硅片CMP时的材料去除率构成成分模型,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除率实验,得出了机械、化学及其交互作用所引起的材料去除率.结果显示,机械与化学的交互作用率为85.7%～99.1%.磨粒的机械作用率为69.5%～94.0%,磨粒的机械与化学交互作用率为55.1%～93.1%.由此可见,磨粒的机械作用是化学机械抛光中的主要机械作用,磨粒与抛光液的机械化学交互作用引起的材料去除率是主要的材料去除率.研究结果可为进一步研究硅片CMP时的材料去除机理提供理论参考依据.     

制造业CAPP技术的应用与发展

阐述制造业CAPP的发展状况及趋势；分析CAPP发展中存在的关键技术问题并提出相应对策。     

基于磨粒运动轨迹的硅片化学机械抛光材料去率研究

硅片化学机械抛光（CMP）是机械作用与化学作用相结合的技术,硅片表面的化学反应层主要是由抛光液中磨料的机械作用去除,磨粒对硅片表面的摩擦和划擦对硅片表面材料的去除起着重要作用。磨粒在硅片表面上的划痕长度直接影响硅片表面的材料去除率。本文首先在实验结果的基础上分析了硅片CMP过程中磨粒的分布形式,然后根据运动学和接触力学理论,分析了硅片、磨粒及抛光垫三者之间的运动关系,根据磨粒在硅片表面上的运动轨迹长度,得出了材料去除率与抛光速度之间的关系,该分析结果与实验结果一致,研究结果可为进一步理解硅片CMP的材料去除机理提供理论指导。     

硅片化学机械抛光表面材料去除非均匀性实验

化学机械抛光技术已成为超大规模集成电路制造中实现硅片全局平面化的实用技术和核心技术。CMP的最大问题之一是硅片材料去除的非均匀性,它是集成电路对硅片表面平坦化需求的一个重要指标。文章提出了硅片表面材料去除非均匀性计算公式,在CP-4实验用抛光机上进行了硅片化学机械抛光实验,并用美国ADE公司生产的WaferCheck-7200型非接触式电容厚度测量设备对单晶硅片的厚度进行高精度检测,经过计算,得出了不同抛光速度下硅片表面材料去除非均匀性的数据,为理解硅片CMP材料去除非均匀性形成机理,进一步揭示硅片CMP材料去除机理提供了理论依据。     

Cr12MoV钢镀钛催渗氮碳共渗工艺研究

介绍了Cr12MoV钢表面强化及局部强化工艺方法,通过实验验证了这一工艺方法的可行性,分析了氮碳共渗表面强化及钛催渗局部强化的强化机理,通过实例说明了此工艺在生产中的应用。     

基于尺寸链图的零件假废品分析

以测量尺寸为增环的尺寸链为侧,阐述了零件产生假废品的原因,提出了基于尺寸链图的假废品分析方法,并指出了零件假废品出现的区域.这种方法简单直观,易于理解掌握.     

用立式铣床加工链轮

<正>一般都是采用链轮滚刀在滚齿机上加工链轮,这对某些新产品试制来说成本太高。而普通万能铣床上利用圆柱立铣刀加工链轮的方法简单、实用,非常适合单件生产或小型企业进行链轮加工。     

用0.618法优化冷硬铸铁辊的加工

用０．６１８法对冷硬铸铁辊的加工进行优化,解决了生产中的问题。     

一种智能型流苏线统制机的设计方案

针对当前国内流苏线绕制过程中存在的诸多问题，采用单片机技术和步进电机细分技术开发设计一款结构简单、力矩大、可靠性高、低成本的智能绕制控制系统，实现了流苏线绕制过程中对力矩、转向、速度、圈数和捻度等参数的精确控制，提高了流苏的生产质量和效率。     

自适应圆锥体端面直径测量装置

圆锥体由于结构的特殊性导致其端面直径不易测量,设计的自适应圆锥体端面直径测量装置,可在机直接测量,不需计算,数显直读,且结构简单,测量范围大,有效地解决了生产现场检测锥体端面直径的问题,也可用于间接测量锥体的锥度.