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分析了制备工艺过程、球磨设备、试样放置时间以及球磨时间对NaAlH4放氢性能的影响。其中除了试样3是采用高能球磨机外,其它所有试样均采用行星式球磨机。结果表明,这些因素对NaAlH4放氢性能的影响非常明显。试样在球磨过程中经过上下翻转后,其放氢量明显比不翻转高出了50%(质量分数)。不同球磨设备研究结果显示,试样3经过高能振动球磨机球磨后,其放氢量比行星式球磨机制备的试样的放氢量明显提高了。试样放置时间与试样球磨时间的研究结果显示,制备好的球磨试样经过24 h放置后,其放氢量明显提高。此外,试样经过不同时间球磨后,其放氢量也有明显的不同。经研究发现,球磨80 min试样的放氢量比球磨100 min和球磨40和60 min试样的放氢量要高,但和其它的影响因素相比,球磨时间对NaAlH4放氢性能的影响相对较小 相似文献
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钛酸钡是应用和研究最多的铁电体之一。本文从实验和理论上对钛酸钡铁电临界尺寸的研究进展进行了综述。 相似文献
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主要通过PCT设备研究了掺杂Y2O3的LiAlH4试样的放氢性能。结果显示,随着Y2O3掺杂量的增加,LiAlH4的放氢量增加,然而,当掺杂量达到某一值时,LiAlH4的放氢量随着掺杂量的增加而降低。和LiAlH4原样相比,掺杂Y2O3的试样初始放氢时间提前。此外,关于Y2O3对LiAlH4放氢速率影响的研究还发现,所有掺杂试样的放氢速率都比未掺杂原样的放氢速率快。并且所有掺杂试样的放氢速率的变化趋势都是相似的,即:随着时间的延长,放氢速率快速增大之后逐步降低。 相似文献
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在阐述Bi2Te3基本特性的基础上,分别介绍了掺杂Se、TeI4、RE、SiC对BiTe材料热电性能的影响;介绍了BiTe基合金的制备技术。通过结构的优化、组分的调整及制备技术的改进,可以进一步提高材料的热电性能。 相似文献
5.
烧结助剂对反应烧结氮化硅陶瓷的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
以Si粉和C粉为主要原料 ,在氮气流量为1.2L·min- 1,氮化温度为 1380℃ ,保温时间为 2 0h的条件下 ,研究了分别以 10wt%的MgO、Al、Al2 O3和Al2 O3+Y2 O3粉为烧结助剂对反应烧结氮化硅陶瓷的影响。结果表明 :以MgO粉作烧结助剂时 ,试样的主要成分是MgSiO3,另外还有Si2 N2 O ,但没有Si3N4 生成 ;以Al粉作烧结助剂时 ,试样的主要成分是SiO2 ,仅有少量Si3N4 存在 ;以Al2 O3作烧结助剂时 ,试样的主要成分是β Si3N4 和α Si3N4 ;以 2wt%Al2 O3+8wt%Y2 O3作烧结助剂时 ,试样的主要成分为 β Si3N4 ,同时含有少量α Si3N4 。 相似文献
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采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过广义梯度近似电子结构计算对NaxCoO2(x=0.5,0.6)进行了研究。结果表明Na0.5CoO2为直接能隙的P型半导体,带宽为1.52ev;而Na0.6CoO2为间接带隙的P型半导体,带宽为1.23ev。Co3d电子晶场的分裂,使体系呈现铁磁性,得到Na0.5CoO2和Na0.6CoO2的净磁矩分别是6μB和4μB。此外,费米面附近Na0.5CoO2的态密度较Na0.6CoO2的大且体系存在较宽的赝隙,这使得Na0.5CoO2较Na0.6CoO2有更大的Seebeck系数和电导率。 相似文献
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通过PCT设备和SEM分析方法主要分析了CeO2对LiAlH4放氢性能的影响。结果显示,掺杂CeO2明显缩短了LiAlH4的氢分解时间。在所有的试样中,掺杂2 mol%CeO2的试样开始放氢时间最早。有关放氢量的研究发现,掺杂1 mol%CeO2的试样具有最大的放氢量。并且随着掺杂量从1 mol%到5 mol%增加,试样的总放氢量表现出一个下降趋势。进一步有关微观结构的研究发现,掺杂CeO2没有引起LiAlH4微观结构的变化,所有的试样都显示出一种絮状结构。 相似文献
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本文研究制备Na2O-B203-Si02-Al203多元系基玻璃料,并配制成低温陶瓷结合剂,研究发现:耐火度为685℃,流动性为110%~130%,线膨胀系数为5.35×10-6℃-1的低温陶瓷结合剂具有优异的性能.制备的陶瓷结合剂金刚石砂轮在725℃烧成后,磨具的抗弯强度和洛氏硬度达到最佳值,分别58.61 MPa和77.9.用其磨削PCD刀片时锋利性好,磨削中间不需修整,砂轮耐用度高.运用扫描电子显微镜(SEM)分析了陶瓷结合剂金刚石磨具的断面形貌、磨削后磨削面形貌,表明结合剂对磨粒黏结牢固,断面组织均匀. 相似文献
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BiFeO3对0.02PNW-0.07PMnN-0.91PZT低温烧结陶瓷微观结构和压电性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了BiFeO3对950℃烧结Pb0.94Sr0.06(Ni1/2W1/2)0.02(Mn1/3Nb2/3)0.07(Zr0.51Ti0.49)0.91O3(0.02PNW-0.07PMnN-0.91PZT)陶瓷微观结构和压电性能的影响。结果表明:少量BiFeO3可加速致密化过程、促进晶粒长大,并导致准同型相界(MPB)向富Ti区移动和晶胞收缩;过量BiFeO3对晶粒长大起到抑制作用,并在晶界处引入较多气孔。微观结构的变化使性能曲线表现出转折点,最优的压电性能在10mol%BiFeO3处获得。 相似文献
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