脉冲激光沉积法生长Zn1-xMgxO薄膜

采用脉冲激光沉积法,生长出没有组分偏析,晶体质量好的Zn1-xMgxO薄膜(x=0.2).研究了衬底温度对Zn0.8Mg0.2O薄膜晶体质量、晶粒度大小的影响,发现最佳衬底温度为650℃左右.对Zn0.8Mg0.2O薄膜进行了光致发光分析,发现相对ZnO晶体有0.4eV的蓝移.     

新颖的硅基光电材料

光电集成是未来信息技术发展的重要方向之一,硅基光电集成具有巨大的应用前景,在硅基材料及集成方面源头创新空间很大。论述了新颖的硅基材料研究现状及应用前景。     

UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究

本文利用超高真空化学气相沉积系统 (UHV CVD)在 72 0℃Si(10 0 )衬底上进行了实时B掺杂的硅外延。采用二次离子质谱仪 (SIMS) ,傅立叶红外光谱 (FTIR) ,扩展电阻仪 (SRP)对外延层的性能进行研究。研究表明 :72 0℃生长时已经实时掺入了B原子 ,10 0 0℃退火 5分钟后 ,外延层中B原子被激活 ,浓度达到 10 17～ 10 18cm-3 ,且过渡层分布陡峭     

Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金的热氧化物的生长动力学及光学特性

利用椭偏仪、荧光光谱和X光电子谱研究了Si1-x -yGexCy合金在 90 0℃干O2 气氛下所形成的氧化物的生长动力学及其光学特性。结果表明 :随着合金中碳含量的增加 ,氧化速率逐渐下降 ;而氧化物中 383nm附近的发光带是由于氧化薄膜中与 (SixGe1-x)O2 有关的缺陷引起的     

UHV／CVD外延生长锗硅碳三元合金的应变研究

用真高真空化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长掺C高达2．2％的Si1-x-yGexCy合金薄膜,外延层质量良好。用高分辨透射电子显微镜,X射线衍射,傅立叶红外吸收光谱以及拉曼光谱对外层进行了检测,结果表明：替代位C的加入,9明显缓解了宏观上的应变,但在合金中仍存在着微观应变。     

氧化铝模板法制备Ge纳米线

采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出Ge纳米线.在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂,合成了Ge纳米线.采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对Ge纳米线进行了分析.Ge纳米线的直径约为30nm,长度超过600nm.对Ge纳米线的生长机理进行了探讨.     

氧化铝模板法制备Ge纳米线

采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径约为 30 nm,长度超过 6 0 0 nm.对 Ge纳米线的生长机理进行了探讨 .     

Microstructure of ternary Zn1-xCdxO films on silicon substrate

Ternary Zn1-x CdxO alloying films were deposited on silicon substrates by a reactive magnetron sputtering method. The structures of the films were characterized by transmission electron microscopy(TEM) and X-ray diffraction(XRD) analysis, respectively. The XRD measurement shows that the wurtzite-type structure of Zn1-xCdxO can be stabilized up to Cd content of x=0.53 without a cubic CdO phase separation. The TEM measurement shows that the films have a columnar structure and the grains are highly c-axis oriented perpendicularly on silicon substrate although some grain boundaries are slightly tilted. High resolution TEM observation indicates that a native layer of amorphous SiO2 exists at the ZnCdO/Si interface and that ZnCdO grains with c-axis preferred orientation nucleate directly on substrate surface.     

退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响

研究了退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响.ZnO薄膜由直流反应磁控溅射技术制得,并在O2气氛中不同温度(200～1000℃)下退火,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对其结晶性能进行了研究,提出了一个较为完善的ZnO薄膜退火模型.研究表明:热处理可使c轴生长的薄膜取向性增强;随退火温度的升高,薄膜沿c轴的张应力减小,压应力增加;同时晶粒度增大,表面粗糙度也随之增加.在640℃的应力松弛温度(SRT)下,ZnO薄膜具有很好的c轴取向,沿c轴的应力处于松弛状态,晶粒度不大,表面粗糙度较小,此时ZnO薄膜的结晶性能最优.     

硅基LiNbO3薄膜的微结构研究

利用透射电子显微镜及X射线衍射，研究脉冲激光沉积技术(PLD)在Si(001)衬底上生长LiNbO3薄膜的微结构．结果表明，在600℃的衬底温度、30Pa的氧分压条件下，在硅片表面5nm厚的非晶氧化层上生长的薄膜，为c轴择优取向的单相LiNbO3晶体，本文还讨论了获得c轴择优取向LiNbO3薄膜的生长机理．