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Journal of Materials Science -  相似文献   
3.
Photonic Network Communications - In the present work, a high-speed optical encoder is proposed based on two-dimensional photonic crystal ring resonator using coupled mode theory and resonance...  相似文献   
4.
Anzaldo  Alexis  Andrade  Ángel G. 《Wireless Networks》2022,28(8):3613-3620
Wireless Networks - Beyond five generation (B5G) systems will demand strict and heterogeneous service requirements for the emerging applications. One solution to meet these demands is the dense...  相似文献   
5.
相邻工作面开采会导致复杂的漏风情况,浮煤易自燃,增大防火工作的难度。为明确相邻采空区自燃“三带”分布特征及确定最佳注氮防灭火参数,以贵州某矿4244工作面为背景,结合现场实测,应用Fluent流场分析软件,模拟研究不同注氮方案下采空区氧气浓度场分布规律。结果表明,实测结果与模拟相吻合,验证了模拟的可靠性;当注氮位置为X=50 m,注氮流量为100 m3/h时,采空区进、回风巷侧氧化带宽度分别为7 m和38 m,能明显减少本采空区氧化带面积,且能防止氧化带距工作面太近;此工作面进风侧注氮对相邻采空区氧化带影响范围较小,这要求在回采过程中需要对煤柱进行加固,降低孔隙率,控制漏风,减少氧气进入相邻采空区,降低煤自燃风险。模拟结果为相邻采空区灾害防治工作提供了的理论指导。  相似文献   
6.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - The Co1?xZnxFe2O4 (Co–Zn) ferrite nanoparticles with x varying from 0.0 to 0.4 have been manufactured by facile chemical...  相似文献   
7.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - The ZnO and TiO2 nanopowders have been prepared by means of the pulsed laser reactive ablation of metallic (Zn, Ti) targets. The Structural,...  相似文献   
8.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - Non-volatile organic memory devices were fabricated using polystyrene sulfonate (PSS)?+?nitrogen-doped multi-walled carbon...  相似文献   
9.

InN thin films are grown on sapphire substrates by remote plasma-assisted metal organic chemical vapor deposition while varying the indium pulse length and substrate temperature. The effects of the indium pulse length and temperature on the structural, morphological, electronic, and optical properties of the thin films are studied. The structural parameters are determined by X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy and the effects of incorporating oxygen atoms in the structure is described. The N K-edge X-ray absorption spectroscopy (XAS) and X-ray emission spectroscopy (XES) measurements are used to determine the band gap and it is found to be 1.80?±?0.25 eV for all samples. A complementary measurement namely, X-ray excited optical luminescence measurement is performed to confirm the band gap value obtained from XAS and XES measurements. O K-edge XAS measurements are performed to determine the presence of oxygen impurities in the samples. Meanwhile, we carry out the density functional theory calculations for Wurtzite InN, hypothetical Wurtzite-type InO0.5N0.5, and InO0.0625N0.9375 structures. We find that the measured N-edge spectra agree well with our Wurtzite InN calculations and the measured O K-edge spectra agree better with hypothetical Wurtzite-type InO0.0625N0.9375 than Wurtzite-type InO0.5N0.5.

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10.
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - In the recent years, metal oxides have attracted more interest for researchers because of their applications in energy and...  相似文献   
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