铁磷和硼硅酸盐熔体对耐火材料的腐蚀性能

耐火材料的选择对放射性核废料的玻璃化过程是至关重要的,本文采用动态耐火材料腐蚀速度技术比较了铁磷模拟放射性核废料熔体和硼硅酸盐熔体DWPF的腐蚀性质,测量在1000至1300℃之间进行。在铁磷熔体中,致密氧化铝和氧化铬耐火材料有最低的熔线腐蚀速度,二氧化硅、锆英石和AZS耐火材料的腐蚀速度比较高。同时,氧化铝和氧化铬耐火材料在铁磷熔体中的腐蚀速度小于它们在硼硅酸盐熔体DWPF中的腐蚀速度。对氧化铬耐火材料来说,其在三种含有模拟HLW废料的铁磷熔体中的熔线腐蚀速度小于0.1mm/day。按照DWPF熔化器的设计标准,Alumina和Zircon商品耐火材料可以用来熔化多种HLW废料。     

CdS薄膜的生长和结构分析

使用化学浴沉积(CBD)在硫酸镉-硫脲的氨溶液中,成功地制备出了高质量的CdS薄膜.用扫描电境(SEM)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见-近红外光谱仪对其进行了测试分析,结果表明,NH3摩尔浓度对生成CdS薄膜的表面致密性影响很大,当NH3摩尔浓度比较大时,无法生成连续致密的胶体颗粒薄膜,反应体系中S2-和Cd2 溶液的摩尔浓度增加,CdS胶体粒度增大.在相同NH3摩尔浓度下,随着S2-和Cd2 摩尔浓度比值([S2-]/[Cd2 ])的增大,CdS胶体粒子粒度减小;透过光谱的峰位随着胶体粒子尺寸的减小向短波方向移动,当NH3摩尔浓度变化时,在一定的范围内改变CdS膜的透过率.将化学浴沉积(CBD)过程的研究从薄膜厚度优化改进为胶体粒子尺寸优化,促进了CBD技术的发展.     

Al-1.5Cu-3Zn合金的溶质分凝因数的实验和模型研究

采用液态金属冷却技术淬火得到了温度梯度在80K／cm时Al-1．5Cu-3Zn合金的固液界面,使用光学显微镜观察了界面形貌,发现在生长速度为0．1和7．1pμm／s时试样分别为胞状生长界面和枝晶生长界面。用SEM和EDS测量了溶质分配,计算出了A1-1．5Cu-3Zn合金中Cu和Zn的平衡分凝因数为0．31和0．58。采用活度模型和浓度模型进一步计算了平衡分凝因数,发现两个模型计算出的Cu和Zn的平衡分凝因数一致,并讨论了模型计算值和试验值之间的差异。     

银铜纳米枝晶的生长及光学吸收性质

通过电沉积法制备出了Ag - Cu纳米枝晶,并表征了样品的晶体结构、微观形貌以及光学吸收特性.结果表明:当Ag+:Cu2＞1时,制备出银铜纳米单相合金,Ag+:Cu2+＜ 1/4时,制备出银铜纳米双相合金.当E=-0.2V时,形成单个银铜纳米粒子和粒子团簇,吸收峰位于402 nm处:随着沉积电位的增加,形成纳米枝晶,且光学吸收峰发生蓝移.在不同成分的银铜合金中,当Ag+Cu2+=4:1时,形成银铜纳米枝晶,吸收峰在358 nm处,随着铜元素的增加,枝晶尺寸减小,光学吸收峰红移.结合电结晶理论和经典枝晶生长理论解释了Ag - Cu纳米枝晶的形成机制.     

浅谈软基处理沉降监测对码头陆域形成施工的指导意义

在水工建筑物码头陆域施工过程中运用沉降观测技术指导后续施工加强监控,可避免工后因不均匀沉降原因造成水工建筑物结构的破坏或产生影响结构使用功能的裂缝。     

单晶硅基体上紫外光诱导生长铜微纳米粒子薄膜

在室温条件下,通过紫外光诱导方法在n型单晶硅表面成功地生长出长度为1.66~5.80μm、宽度为1.27~2.84μm、厚度在0.24~0.73μm之间变化的铜微纳米粒子。采用电子显微镜(SEM)观察到单个铜粒子表面光滑,并出现数个粒子聚集形成K或L形状的粒子团聚现象。结果表明:改变溶液组分浓度和光照时间可以对铜微纳米粒子的尺寸和致密度进行有效控制。以浓度为1×10-5 mol/L罗丹明6G作探测分子,对制备的铜微纳米粒子薄膜的表面增强拉曼散射(SERS)效应进行研究,证实经过铜微纳米粒子修饰后的单晶硅对其表面吸附分子的拉曼信号确实有增强作用,这是因为铜粒子的表面等离子体效应能够提高样品表面局域场的电场强度。     

铁磷和硼硅酸盐熔体对耐火材料的腐蚀性能

耐火材料的选择对放射性核废料的玻璃化过程是至关重要的 ,本文采用动态耐火材料腐蚀速度技术比较了铁磷模拟放射性核废料熔体和硼硅酸盐熔体DWPF的腐蚀性质 ,测量在10 0 0至 130 0℃之间进行。在铁磷熔体中 ,致密氧化铝和氧化铬耐火材料有最低的熔线腐蚀速度 ,二氧化硅、锆英石和AZS耐火材料的腐蚀速度比较高。同时 ,氧化铝和氧化铬耐火材料在铁磷熔体中的腐蚀速度小于它们在硼硅酸盐熔体DWPF中的腐蚀速度。对氧化铬耐火材料来说 ,其在三种含有模拟HLW废料的铁磷熔体中的熔线腐蚀速度小于 0 1mm day。按照DWPF熔化器的设计标准 ,Alumina和Zircon商品耐火材料可以用来熔化多种HLW废料。     

氧化还原比对钠铁磷熔体电阻率的影响

用电导率电池测量了钠铁磷熔体的电阻率 ,并分析了相应玻璃的穆斯堡尔谱 ,计算了铁离子的价态和氧化还原比 ,分析了温度、时间和氧化钠含量对熔体电阻率和玻璃氧化还原比的影响。发现在Na2 O含量低的熔体中 ,升温和降温过程的电阻率的变化是不可逆的 ,随着Na2 O含量增加 ,不可逆性消失 ,熔体的电阻率随时间轻微下降。同时发现Na2 O含量低的铁磷熔体的导电机理是电子性的 ,并用氧化还原比解释了其电阻率 -温度曲线的不可逆性     

铜基银枝晶的制备和氧还原电催化性能

通过迦尔瓦尼置换反应在不同的Ag+溶液中制备出了铜基银枝晶,采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和电化学工作站分别对样品的结构、微观形貌以及电化学性能进行了表征。结果表明,随着溶液中Ag+浓度和反应时间的增加,银的形貌从团簇状向树枝状转变,氧还原电催化性能也增强;在相同浓度Ag+溶液中,SO42-比NO3-更能促进枝晶的生长,但当阴离子是NO3-时比阴离子是SO42-时所制备的银枝晶的氧还原电催化性能更好;在10 mmol/L AgNO3溶液中,反应时间为1800 s时制备的银枝晶电极使H2O2的还原峰电流最大,在0.1 mol/L Na2SO4+5mmol/L H2O2溶液中,恒电位为-0.32 V时,其稳态电流密度可达2.83 mA/cm2。初步提出了银枝晶的生长机制和H2O2的氧还原催化机制。     

单分散SiO2微球的合成及胶体晶体的生长

对传统的"Stober-Fink"合成SiO2微球的工艺进行了改进,运用"籽晶生长法"合成了单分散SiO2微球,该法可以准确地控制微球尺寸,提高微球的球形度.采用垂直沉积法制备了胶体晶体,并对样品的结构和光学性能进行了表征.研究了微球尺寸对垂直沉积SiO2胶体晶体光子带隙的影响,结果表明,通过控制微球粒径,可调节光子晶体的带隙位置.