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1.
高功率底发射VCSELs的制作与特性研究   总被引:8,自引:4,他引:4  
研究制作了大面积底发射氧化限制面发射激光器,并分析了器件特性.通过增加有源区面积,改进制作工艺,采用Al2O3作钝化膜和多层复合HfO2作增透膜等方法,提高了激光器输出功率.分析了最大输出功率与有源区直径和注入电流之间的依赖关系.结果表明:有源区直径分别为500μm和600μm的单管,室温下均达到连续输出功率1.95W,这也是目前国际上所实现的单管室温连续输出最高功率;实验所得最大输出功率与有源区直径和注入电流之间的依赖关系与理论计算所得结果一致.并特别讨论了直径200μm的器件的近场和远场光强分布,获得单横模工作.  相似文献
2.
氧离子辅助法沉积ITO透明导电膜的研究   总被引:5,自引:1,他引:4  
论述了ITO膜的导电及生长机理,讨论了离子辅助(IAD)电子枪蒸镀ITO膜的方法中,膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ITO膜光电性能的影响,在选择合适的工艺条件下制备ITO膜,电阻率约3×10-4Ω·cm,可见光平均透过率高于80%。并用原子力显微镜(AFM)对溅射及蒸发膜进行了表面面型测试。  相似文献
3.
68.5 W连续输出1 060 nm波段半导体激光列阵模块   总被引:4,自引:4,他引:0  
利用InGaAs/InGaAsP应变量子阱外延层材料制作出高功率半导体激光列阵模块。激光芯片宽1 cm,腔长1200 μm,条宽200 μm,填充密度为50%,前后腔面光学膜分别为单层Al2O3和Al2O3/5(HfO2/SiO2)/HfO2,室温连续输出功率达到68.5 W,器件光谱中心波长为1 059 nm,光谱宽度(FWHM)为9 nm。  相似文献
4.
808nm和980nm半导体激光迭阵波长耦合技术   总被引:4,自引:2,他引:2  
为提高半导体激光器输出光功率,可将多个半导体激光器输出光束耦合成一束激光直接输出或者由光纤耦合输出,以提高半导体激光源的亮度及光束质量.本文采用波长耦合技术进行激光合束,将两种不同波长的半导体激光束通过非相干技术经波长耦合器件耦合输出以实现大功率高效率输出.介绍了非相干耦合技术中波长耦合原理及关键技术,根据波长需要设计了耦合器件,并自行设计光学系统对光束进行扩束聚焦.实验将808 nm和980 nm两半导体激光迭阵光束通过上述技术进行合束, 最终实现了更高功率输出,耦合效率达70%,光斑大小为3 mm×3 mm,可满足将半导体激光器直接应用于熔覆、焊接等场合的要求.  相似文献
5.
渗碳钢制件的锻造余热正火   总被引:3  
重要机器零件的加工工序通常为:锻造→正火(退火)→切削加工→淬火(包括渗碳或碳氮共渗淬火)→回火。其中:锻造、正火、淬火(渗碳或碳氮共渗)等,都需要将钢件加热到800~1250℃之间的高温,消耗了大量能源。锻造是为了毛坯成形;正火是为了改善锻造组织和调整硬度,便于切削加工;淬火是为提高钢件的硬度、强度和耐磨性能。  相似文献
6.
基于半导体激光短阵列的976 nm高功率光纤耦合模块   总被引:3,自引:1,他引:2  
采用12只出射波长为976 nm的传导冷却半导体激光短阵列为发光单元,研制出了百瓦级高功率光纤耦合模块.首先,利用光束转换器(BTS)和柱透镜对每只半导体激光短阵列进行光束整形,使得快慢轴方向光束质量接近并且发散角相同;然后,应用空间合束技术将每6只半导体激光短阵列在垂直方向上叠加,形成一个激光组,并利用偏振分束器(PBS)将两个激光组偏振合束;最后利用优化设计的三片式聚焦镜将激光耦合到光纤中.实验结果表明:该光纤模块的连续输出激光功率可达418.9 W,光纤芯径仅为400 μm,数值孔径(NA)为0.22,由此可得到激光亮度为2.19 MW/(cm2·str).利用Matlab软件分析光纤出射的光束形貌为平顶分布,显示其适合用于金属材料的硬化和焊接等领域.最后测量了模块的光谱,电流从20 A增加到50 A时,激光的峰值波长漂移了6.8 nm,并且在50 A时光谱宽度为4.12nm,表明该光纤耦合模块散热良好.同其它类型激光器相比,本激光模块电光转换效率和出光功率高,适用于材料加工和泵浦光纤激光器等领域.  相似文献
7.
808nm千瓦级高效大功率半导体激光光源   总被引:2,自引:2,他引:0  
提出了一种新型光束整形技术,该技术通过平行平板玻璃堆实现光束的分割、平移、重排,从而改善半导体激光的光束质量。该试验采用自主设计的中心波长为808 nm,连续输出功率为60 W/bar,填充因子为30%,具有19个发光点,每个发光点尺寸为1μm×135μm的20层半导体激光叠阵,通过望远镜系统对慢轴方向进行扩束后用一个聚焦镜同时对快慢轴聚焦,最终在焦平面上得到了1 kW输出,且聚焦光斑达到1 mm×1 mm,耦合效率达到90%,基本满足激光熔覆和激光焊接的要求。  相似文献
8.
半导体激光器列阵的smile效应与封装技术   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了减小半导体激光器列阵在封装过程中引入热应力而产生的smile效应,提高半导体激光器列阵光束质量,利用对半导体激光器列阵发光点成像放大的方法,准确测量了半导体激光器列阵的smile效应,测量误差为±0.1 μm。由于smile效应的准确测量能客观地比较减小smile效应的各种技术与方法,本文根据分析测量结果,提出了通过优化封装半导体激光器列阵焊接回流曲线的方法,使smile效应值控制在±0.5 μm内。该方法减小了半导体激光器列阵的smile效应值,提高了激光器列阵光束质量,为下一步研制小芯径、高光束质量半导体激光器列阵光纤耦合模块提供了基础条件。  相似文献
9.
808 nm含铝半导体激光器的腔面镀膜   总被引:2,自引:1,他引:1  
研究了高功率808 nm量子阱脊型波导结构含铝半导体激光器在空气中解理时不同镀膜方法对输出激光功率的影响,讨论了半导体激光器的灾变性光学镜面损伤机理及其腔面钝化薄膜的选择特性。对半导体激光器管芯前后腔面不镀膜,前后腔面镀上反射膜和前后腔面先镀上钝化薄膜再镀腔面反射膜方法进行了对比,测试了半导体激光器的输出功率。结果表明,先镀上钝化薄膜的器件比只镀上腔面反射膜的器件输出的激光功率高36%。只镀腔面反射膜的半导体激光器器件在电流为5 A时就失效了,而镀钝化膜的器件在电流为6 A时仍未失效,说明镀钝化薄膜的器件能有效地防止灾变性光学损伤和灾变性光学镜面损伤。在半导体激光器芯片腔面镀上钝化薄膜是提高大功率半导体激光器输出功率的有效方法。  相似文献
10.
一种新型可卧立电动轮椅的研制与设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用模块化设计思想,提出了一种新型可卧立可爬梯电动轮椅的总体设计方案,并依次给出了助行模块、爬梯模块和卧立模块3个核心模块及多功能模块的设计.并在此基础上,利用键合图法建立该车的动力学模型,对其进行了动力学特性仿真,验证了整个系统的可行性和有效性.  相似文献
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