氧离子辅助法沉积ITO透明导电膜的研究

论述了ITO膜的导电及生长机理,讨论了离子辅助(IAD)电子枪蒸镀ITO膜的方法中,膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ITO膜光电性能的影响,在选择合适的工艺条件下制备ITO膜,电阻率约3×10^-4Ω·cm,可见光平均透过率高于80％。并用原子力显微镜(AFM)对溅射及蒸发膜进行了表面面型测试。