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1.
研究了野菊花天然染料的提取工艺及其对棉织物的染色工艺,并对染色后织物进行了相关性能测试。结果表明,较优提取工艺为以水为提取剂,提取温度为100℃,提取时间为90min,pH值为9,物料比为1∶40。较优染色工艺如下:以明矾为媒染剂,浴比为1∶20,染液pH值为4,染色温度为50℃,染色时间为50min,后媒时间为30min,后媒温度为50℃。经优化工艺染色的织物的干、湿摩擦牢度分别为4~5级和4级;日晒、皂洗牢度分别为3级和3~4级;织物的抗紫外性能良好(UPF50+)。  相似文献   
2.
MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对超声换能器阵列中阵元密度难以提升和工艺重复性差等问题,提出了一种基于硅-硅键合技术的MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法,并采用该方法制备了阵元间距小至150μm的密排二维换能器阵列。阵列中每个声学单元均为由上电极、压电材料(PZT)层、下电极和支撑层组成的多层膜结构,并通过其弯曲振动模式实现超声波的发射和接收。制备样品的测试结果表明,采用该方法制作MEMS压电超声换能器阵列,具有阵元间距小、工艺流程可靠、成品率高、一致性好、工作频率(2.45MHz)与设计值(2.5MHz)的吻合度高等优点,适用于医学成像等高频超声成像系统。  相似文献   
3.
微电机和微动力MEMS   总被引:4,自引:0,他引:4  
微执行器是微电子机械系统是一个重要的分支,本文了微执行器中的微电机,微发电机和微涡轮发动机。  相似文献   
4.
改进了传统稳态加热法的测试结构,设计了带隔离槽的全对称悬空薄膜测试结构,并使用有限元工具对测试结构进行了优化.测量了室温下50和80nm厚度的单晶硅薄膜的横向热导率,分别为32和38W/(m·K),其相对体硅热导率(148W/(m·K))有明显下降,实验结果与BTE(Boltzmann transport equation)的理论预测曲线吻合得很好.  相似文献   
5.
硅基COZrO铁氧体磁膜结构RF集成微电感   总被引:1,自引:0,他引:1  
制作了一种新型磁膜结构射频集成微电感.该电感使用溶胶-凝胶法制备的CoZrO铁氧体作为磁性薄膜;采用平面单匝形式的金属线圈,从而形成"SiO2绝缘层/磁膜层(CoZrO)/SiO2绝缘层/Cu线圈"的结构,具有结构简单、制作工艺与常规集成工艺兼容等特点.同时,采用相同工艺同批制作了无磁膜微电感作为对比样品,并取各项结构参数与磁膜电感相一致.测试结果表明,2GHz处,磁膜结构微电感的感值(L)为1.75nH、品质因数(Q)为18.5,与无磁膜微电感相比,L和Q的值分别提高了25%和23%.  相似文献   
6.
基于MEMS技术的微麦克风的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
7.
研制了一种用于WDM光通信系统的多层介质膜Fabry-Perot腔结构式光开关,面积为1.5mm×1.5mm.光开关采用多层复合膜消除内应力,防止产生过度变形;中心的十字复合梁有利于提高机械灵敏度,降低驱动电压.体硅腐蚀出的硅杯既减小了光开关的插损,又便于端面输入输出光纤的精确对准与固定,有效降低封装成本.制成的开关转换电压为20V,关态隔离度为87%,开态插损为0.15dB.其结构和工艺简单,易于与IC工艺相结合形成规模生产,如增加膜的层数便能制成基于F-P干涉仪结构的滤波器.  相似文献   
8.
利用红外吸收(IR)谱和X射线光电子谱(XPS)对富氧氮氧化硅(oxygen-rich SiOxNy)及其在600、750和900℃下退火后样品的微结构进行了研究.实验中除观察到N、H的释放外,首次发现退火会导致SiOxNy中O的释放,同时还发现退火温度不同,H、O、N元素的释放量以及微结构的变化都不相同,根据这些现象,提出了5个化学反应过程并予以解释.  相似文献   
9.
张庆鑫  刘理天 《电子器件》1997,20(1):518-521
本文提出了一种新型的双桥结构压力传感器两个灵敏度不同的敏感电桥被制作于同一芯片上,通过双桥间的线补,可有效地消除压力传感器的零位和灵敏度温漂。文中给出了具体的算法及相应的实验结果2。  相似文献   
10.
介绍了以硝酸锆、醋本以铅和钛酸四丁酯为原料用溶胶-凝胶(sol-gel)方法在硅衬底上制备Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电膜的工艺流程。对铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状态等性质进行了分析,结果表明硅基PZT薄膜形成了良好的钙伏矿结构,并在此基础上实现了制备PZT铁电薄膜的低温改进工艺。  相似文献   
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