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采用CCl_2F_2/O_2的高深宽比硅槽的刻蚀 总被引：2，自引：0，他引：2
本文通过实验和对样品上钝化层成分的分析，提出了ＣＣｌ２Ｆ２／Ｏ２混合气体对单晶硅的各向异性刻蚀机理：在一定功率下，ＣＣｌ２Ｆ２离解出大量的ＣＦｘ粒子和Ｃｌ粒子，在前者对样品的轰击下后者与轰击出的Ｓｉ原子反应生成挥发性的ＳｉＣｌ４，产生刻蚀．Ｏ２的加入一方面形成钝化层ＳｉｘＯｙＦｚ保护侧壁，另一方面通过消耗ＣＦｘ粒子减少其与Ｃｌ粒子的再结合而达到加速目的．探讨了在一定条件下压力和ＩＣＰ功率对刻蚀速率和各向异性的影响．在大量实验的基础上优化各刻蚀参数，在ＩＣＰ７９０设备上刻出了宽３μｍ，深１６μｍ的窄槽， 相似文献
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非线性模型参数估计的一种方法及应用＊姚雅红黄俊钦（北京航空航天大学自动控制系北京１０００８３）０引言本文提出一种非线性模型参数估计的方法，主要对Ｇａｕｓｓ＿Ｎｅｗｔｏｎ法在初值、修正值和解矛盾方程组三方面作了改进。将其应用于函数记录仪的时域动态性能测... 相似文献
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函数记录仪动态数学模型的研究 总被引：1，自引：0，他引：1
函数记录仪动态数学模型的研究＊姚雅红黄俊钦（清华大学精密仪器与机械学系北京１０００８４）（北京航空航天大学自动控制系北京１０００８３）０前言函数记录仪的主要动态性能指标是工作频带［１］：幅值误差为±１０％的ｆｇ１和±５％的ｆｇ２。由于实验中存在测量噪... 相似文献
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