金属氧化物掺杂对ZnO气敏特性的影响

掺杂金属氧化物可大大提高ZnO的气敏特性,目前对这种性质的研究成为了研究热点.本文综述了掺杂金属氧化物对ZnO气敏特性的主要影响及机理;总结了目前研究中所掺杂的多种金属氧化物,并就各种掺杂物对ZnO气敏特性的作用进行了具体分析.     

一种新型智能气敏传感器的研究与设计

研究并设计了一种新型智能气敏传感器.简要介绍了TiO2气敏元件及气敏机理.将拥有ARM7内核的LPC2131微处理器做为主控制器,实时监测电源电压,实现对温度准确控制,同时测量气敏薄膜的电阻,经元件阻值和气体浓度的校准后,显示被测气体浓度,同时提供一个友好的用户界面,并具备报警功能,实现了气敏传感器智能化,具有动态测量范围大(1～500 MΩ),精确度高(精确度优于0.5%),功耗低、体积小、成本低、可重复利用等特点.     

TiO2薄膜制备及其氧敏特性

采用直流磁控溅射法制备TiO2薄膜,在不同温度下对薄膜进行退火,研究了薄膜晶体结构随退火温度的转化情况.对TiO2薄膜氧敏器件特性进行了测试,结果表明,在400℃下灵敏度随氧分压增加最快,并且在400℃具有最高的灵敏度.得到的激活能为0.41eV,并对TiO2薄膜氧敏器件的氧敏可逆性进行了讨论.     

无学习率权值调整神经计算法拟合范德堡多项式

提出了一种新的神经计算的方法,其最大的特点是在进行特定的权值调整时无须加入学习率.计算开始时先给出一组随机的权值作为被拟合多项式的系数,由这组权值得到的拟合点上被拟合多项式值与期望值的各误差绝对值之和.依据其小分数的负值直接来调整权值,使各误差之绝对值不断减小,通过反复迭代计算,最终当各误差都在规定范围内时便得到期望的权值.在实际的计算中利用这种方法进行曲线拟合能方便地求出拟合多项式的系数,便于编程,简化了计算过程.将这种方法应用到范德堡函数的多项式拟合中,得到了范德堡函数f=1 0.03237714η-0.04037678η2 0.00857881η3-0.00077693η4 0.00002604η5并画出了曲线.     

基于牛顿插值法的智能气体体积分数测量装置

介绍了一种新型、高精度的智能气体体积分数测量设备.该设备将ARM7应用到电路中,利用其强大的数据计算处理能力及控制能力,设计出了显示气体体积分数值的测试电路.传感器输出的电信号采用牛顿插值法进行转换,有效地校正传感器的非线性,提高测量的精度.通过C语言编程实现该算法,经测试,该装置的精度误差保持在±1.5%,能够准确地对环境中的气体进行监控,并具有到限报警功能.     

计数式测力计打印记录系统软硬件设计

讨论了进行疲劳实验装置的软硬件设计,并给出了对夏利车门实验的实验结果。     

二氧化锡薄膜的最佳掺杂含量理论表达式

二氧化锡薄膜应用广泛。本文讨论掺锑和掺氟的二氧化锡透明导电薄膜的最佳掺杂含量问题,建立模型并给出理论表达式,得出的最佳掺杂含量值和实验数据相符。     

A-氧化铁气敏纳米晶锡掺杂最佳含量的理论计算

应用与晶体结构和掺杂上关的最佳掺杂含量的理论表达式,对氧化铁气敏纳米晶粉体中锡掺杂最佳含量进行理论计算。定量计算的结果与实验数据相符合。该理论经适当的修改和解释后也适用于某些其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题。     

四探针Mapping自动测试仪中电阻率温度系数的规范化拟合多项式的应用

本文回顾了单晶硅及扩散硅的电阻率温度系数(TCR)的实验结果,认为美国ASTM的TCR曲线是比较完整,确切的.利用我们开发的规范化多项式拟合方法,可将它表示成五阶多项式.将它存入具图像识别四探针定位功能自动测试系统的计算机中后,可以立即得到折合到23℃的硅单晶断面的电阻率分布.本文阐述了规范化拟合的原理,给出了单晶硅的TCR的拟合结果.     

硅芯片封接用PbO、ZnO、B2O3三元系易熔玻璃特性与封接工艺的关系

对淬火态及重熔再凝固态两种粉末进行DSC、红外吸收光谱及X射线衍射谱分析,实验表明,淬火态的软化点低,在500～510℃下完全熔化,有利于芯片的低温封接.重熔再凝固态的熔点高(630℃)、热稳定性好,有利于器件的使用.进一步研究表明,淬火态为无序态,再凝固态为结晶态,其中存在Pb2ZnB2O6的晶体相.无论是在无序态中还是在结晶态中,[BO3]3-离子团都不会破裂,均出现其分子振动的特征简正模.