三大进展和三大措施

大规模集成电路制造装备及成套工艺重大专项领导小组紧紧围绕党中央国务院有关要求,以科学发展观统领,把科技带动产业良性发展,推动产业综合实     

依靠自主创新推动新能源产业快速发展

分析了我国发展新能源面临的形势和发展机遇，总结了新能源发展取得的成绩，提出把新能源作为国家能源领域战略规划的重中之重，加大对新能源技术研发的支持力度．积极推动新能源并网发电，从技术层面解决可再生能源大规模接入电网，加大对智能电网关键技术和装备的研发投入．在全国展开示范推广工程，推进我国新能源产业持续、健康和快速发展。     

紫外ICCD辐射定标的研究

国内至今尚未见有紫外增强型CCD(UV-ICCD)探测器定标的相关研究报道，为保证紫外测量数值结果的准确性和电力电晕探测等应用提供直接的技术支持，有必要对UV-ICCD的辐射定标技术进行研究，以建立输入辐照度和探测器数字化输出之间的响应特性。推导了辐射定标的原理，并对UV-ICCD探测器进行了基于标准氘灯的辐射定标，标准光源由美国国家标准和技术研究所(NIST)标定，其不确定度为5％。实验标定了在固定积分时间和MCP增益情况下UV-ICCD探测器的响应以及UV-ICCD探测器响应与MCP增益之间的关系。初步的定标数据显示，UV-ICCD探测器的响应是线性的，MCP增益与输出的图像平均灰度值成正比。最后，对影响定标结果的不确定度进行分析，分析结果表明辐射定标的最大误差约为7.94％，满足精度要求。     

氧化锌基薄膜晶体管制备与研究

以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长.利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管.SiO2 被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达到氧化锌薄膜晶体管 (ZnO-TFT) 成功运作目的.ZnO-TFT 的电流开关(on/off)比达到104以上.ZnO-TFT 在可见光区平均光透过率大约为80%.以上表明利用ZnO 替代传统 Si 材料作有源层材料制备透明薄膜晶体管是可能的.     

软X射线投影光刻原理装置的设计

首先介绍了投影光刻技术发展的历程、趋势和软X射线投影光刻技术的特性,其次介绍了软X射线投影光刻原理装置的研制工作.该装置由激光等离子体光源、掠入射椭球聚光镜、透射掩模、镀有多层膜的Schwarzchild微缩投影物镜、涂有光刻胶的硅片及相应的真空系统组成.0.1倍的Schwarzchild微缩投影物镜具有小于0.2μm的分辨率.     

LD泵浦的室温运转内腔倍频473nm全固态蓝激光器

从理论上分析了准三能级系统固体激光器室温运转的条件以及实现方法,同时给出了实现473nm蓝光发射的方案.报道了用波长808.5nm,功率为2W的半导体激光器泵浦Nd:YAG,采用内腔倍频的方法,在室温下获得946nm波长准三能级连续红外激光输出120mW,以及用BBO晶体倍频获得473nm波长10mW的连续蓝色激光输出.     

13nm投影光刻用激光等离子体软X射线源

软X射线投影光刻能够制作出特征线宽小于0．1μm的线条。激光等离子作源的研究是软X射线投影光刻中几项关键技术之一。本文报道了13nm投影光刻用激光等离子体软X射线源。对Sn（Z＝50）靶的激光打靶条件进行初步优化，测定了其在10～20nm波段范围内的辐射相对强度分布。     

让我们记住这一时刻

让我们记住这一时刻@曹健林     

软X射线多层膜光栅

详细介绍了软X射线多层膜光栅的国内外发展概况和广阔的应用领域，全面分析了它的制作工艺，并指出制作多层膜光栅的关键技术及解决方案。