阳极氧化铝底层对SmTbCo薄膜磁性能与结构影响的研究

采用两次阳极氧化法制备了孔洞排列有序的多孔氧化铝基底,并在其上用磁控溅射法制备了SmTbCo垂直磁化膜. 振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,加入阳极氧化铝底层后可以将SmTbCo薄膜的矫顽力从370kA/m提高到530kA/m,并且随着氧化铝底层孔洞直径的减小,上层SmTbCo磁性薄膜的矫顽力与剩磁矩形比随之增大. 由薄膜断面的扫描电镜(SEM)照片可以看出,阳极氧化铝底层由于其自组织效应所形成规则密集的六角边形多孔结构能够明显促使上层的SmTbCo磁性薄膜生成柱状结构. 这一柱状结构提高了薄膜的矫顽力,从而拓宽了SmTbCo薄膜材料在超高密度垂直磁记录中的应用.     

铁电薄膜存储器底电极Pt/Ti的制备及性能研究

应用射频磁控溅射方法 ,在Si基片上采用不同的溅射工艺制备了铁电薄膜底电极Pt/Ti,并分析了在不同温度下退火后材料的电导率性能和粘结力性能 ,从理论和实验上分析了不同的溅射工艺和退火处理对底电极性能的影响。     

测量静态磁光参数的盘温测控系统研制

本文介绍了磁光静态磁参数测量用盘温控制系统的软硬件研制方法。硬件部分以8031单片机为核心包括数据采集、测量处理的温度控制部分，并利用单片机和上位机之间的双向通讯功能实现温度设定及显示；软件部分采用C语言和MCS51汇编语言编制，控温范围为0～1000℃，控温精度为±0．8℃。     

SrTiO3(111)衬底上KTa0.65Nb0.35O3薄膜的取向生长研究

以乙酸钾、乙醇钽、乙醇铌为前驱体，在SrTiO_3（111）衬底上取向生长了KTa_（0.65）Nb_（0.35）O_3薄膜.通过DTA-TG分析，确定了预烧工艺，发现钙钛矿结构KTN在高温（＞950℃）下可分解，产生缺钾中间相K_2Ta_4O_11．单层凝胶膜预热处理（＞450℃），多层覆盖，慢速升降温（1～2℃／min），750℃保温2h，可得到晶粒大小分布均匀，平均直径约0．2μm、致密的薄膜．升高温度、延长时间，晶粒长大，甚至团聚，产生气孔、裂纹，烧结温度应控制在950℃以下．     

基于磁旋转编码器定位控制系统的研究

文章提出一种磁旋转编码器方法用于热连铸轧钢生产线从卷取机上卸载并输送带钢的小车测控。介绍磁旋转编码器测控系统的原理,包括:磁旋转编码器的工作原理、放大整形电路的设计、倍频电路的设计、单片机接口和测控软件的设计。该系统的特点是能抗恶劣环境、可靠性高、精确度高、结构简单、使用寿命长。     

GdFeCo/AIN/DyFeCo静磁耦合多层薄膜磁化方向转变的研究

对GdFeco／AIN／DyFeco静磁耦合多层薄膜变温磁化方向变化进行了研究。结果表明读出层GdFeCo随温度上升从平面磁化转变成垂直磁化，转变过程中受饱和磁化强度(M)和有效各向异性常数影响，但主要受饱和磁化强度(M)的影响。在高温时读出层的磁化强度很小，退磁场能减小，在静磁耦合作用下，使GdFeCo读出层的磁化方向发生转变，而且磁化方向的转变在较小的温度范围内变化较快。     

沉积在Pt电极上的铁电PZT薄膜特性

研究了射频磁控溅射沉积在Pt电极上的Pb（Zr0．53Ti0．47）O3薄膜特性。经过不同温度退火处理后得到了钙钛矿结构的PZT薄膜。在对其结构的形成和变化进行研究的基础上，探讨了薄膜PZT相的形成机理。其电性能的测试表明，这种铁电PZT（53／47）薄膜具有较好的铁电性能和疲劳特性。在600℃下PZT薄膜的剩余极化强度Pr为24．8μC／cm2，矫顽场强度Ec为70kV／cm。210kV／cm的电场下，疲劳循环直到4×108次时，最大极化强度仍有20．6μC／cm2，降低了约34％，其剩余极化强度保持为10μC／cm2左右。     

Co-Cr垂直记录软磁盘的研究

本文论述了用射频磁控溅射方法制备Co-Cr垂直记录软盘及其特性。Co-Cr介质的耐磨性与淀积期间的氩气压(PA_r)有很强的依赖关系。我们研制成功的3.5英寸聚酰亚胺/CoCr软盘,当写入电流为4mA时,读出幅度对于500 kHZ频率为320～350 mV,对于1 MHz频率为300 mV。分辨力为85％～93％。     

非晶Sm-Co溅射膜的垂直各向异性

非晶稀土(RE)-过渡金属(TM)膜的一个共同特征是具有单轴各向异性,这个单轴各向异性的强度和取向,主要取决于非晶膜的成分、基片温度和膜的制造方法。非晶Sm_(25)Co_(75)溅射膜在控制溅射条件下可获得大的垂直各向异性。非晶膜的磁各向异性的起源可以有若干个机构,主要有磁各向异性微结构和原子对有序(短程有序)机构等。本文具体讨论了非晶Sm-Co溅射膜的垂直各向异性的来源可能有三个方面:(1)柱状微结构的形状各向异性;(2)负偏压的作用导致原子对有序和柱状微结构的细化;(3)垂直静磁场感生的垂直单轴各向异性。     

TbCo／Cr非晶垂直磁化膜的磁特性

在 SPF-430H 溅射系统上采用不加偏压的射频磁控溅射法制备了 TbCo 非晶垂直磁化膜, 并就 Cr 底层对 TbCo 非晶垂直磁化膜磁性能的影响进行了研究。结果表明,Cr 底层的存在能够增强 TbCo 非晶垂直磁化膜的磁各向异性,并使得其矫顽力增加。分别采用 VTBH-1 型高感度振动样品磁强计和 MTL-1 磁转矩系统测量了 TbCo薄膜的磁滞回线和磁转矩曲线。结果发现,厚度为 120 nm,并带有 180 nm 厚度 Cr 底层的 Tb31C69 薄膜的矫顽力和磁各向异性能分别高达 51.2×104 A/m 和 0.457 J/cm3;没有带 Cr 底层的同样厚度的 Tb31C69 薄膜的矫顽力和磁各向异性能分别只有 35.2×104 A/m 和 0.324 J/cm3。Hitachi X-650 型扫描电镜的观测结果表明,带有 Cr 底层的TbCo 薄膜具有柱状结构,这一柱状结构导致了磁各向异性能的增强以及矫顽力的提高。