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1.
空间调制型全偏振成像系统利用 Savart偏光镜能够将被探测目标的4个 Stokes参数 S0~S3调制在同一幅干涉图像中,从而通过单次采集便可获得完整的偏振信息。在该系统中,半波片和检偏器的角度误差对 Stokes参数的测量精度有着不可忽略的影响。文中首先给出了包含上述两种角度误差的干涉强度调制方程,根据实际系统参数,在角度误差模型的基础上分析了当入射光为自然光、0/90线偏振光、45/135线偏振光和左/右旋圆偏振光时,角度误差对空间调制型全偏振成像系统的 Stokes参数测量精度的影响。利用这四种基态偏振光的偏振测量误差,给出了任意偏振态和偏振度的入射光偏振测量误差的表征方法,最后,文中以系统测量矩阵条件数为优化目标函数,经仿真计算得出当 Savart板厚度为 23 mm时系统测量矩阵条件取得最小值为 2.06,半波片和检偏器耦合角度误差对系统偏振测量精度的影响程度最小。 相似文献
2.
针对高硅铝合金电子封装材料难加工、封焊问题,提出制备功能梯度材料。本文采用粉末冶金热压法制备出Sip/Al功能梯度材料(FGM)。相比其他工艺,热压法制备的功能梯度材料具有体积分数可调控(40%~65%Sip/Al),压制时间短,压力小等特点。热压法制备Sip/Al功能梯度材料,通过热等静压(HIP)处理后,得到的材料密度约为2.4~2.5g/cm3,增强体颗粒细小,各层含量分布均匀,热膨胀系数和热导率分别11.7×10-6/K,121 W·m-1·K-1,抗弯强度为228MPa,各层硬度分别为132HB、151HB和170HB。 相似文献
3.
介绍了多角度偏振辐射计的光机系统组成及其工作原理.根据仪器的工作原理,进行了光学系统的设计,从保证偏振测量精度和满足光学设计要求出发,重点解决了集束系统光轴平行性、视场对准的一致性问题,给出了多角度偏振辐射计的光机设计结果. 相似文献
4.
5.
温州市城市化和城市规划的思考与对策 总被引:1,自引:0,他引:1
概述了温州城市化进程中城市规划建设存在的主要问题,并分析其原因。并就如何解决好这方面的矛盾与困难,提出了若干对策建议。 相似文献
6.
采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的Ⅰ-Ⅴ、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电流密度为5nA/cm2),光电流比暗电流高3个数量级以上.其光谱响应表明,单器件在电压为20V时的响应度约为0.09A/W,比400nm时的比值均大5000倍,说明探测器具有良好的紫外可见比. 相似文献
7.
航空多角度偏振成像仪采用面阵CCD探测器进行画幅式成像,分时获取三个偏振方向图像的工作方式,并最终解析出偏振信息.光学系统设计充分考虑了该系统的特点,设计出了全视场80°的像方远心超低畸变的镜头,满足了航空多角度偏振成像仪的系统要求. 相似文献
8.
室温下采用RF磁控溅射技术在石英衬底E制备了多晶ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,通过XRD,AFM,AES,Hall效应及透射光谱等测试研究了RF溅射功率、氩气压强对薄膜的结构、电学和光学性能的影响.分析表明:在最优条件下(溅射功率为250W,氩气压强为1.2Pa时),180nm AZO薄膜的电阻率为2.68×10-3 Ω·cm,可见光区平均透射率为90%,适合作为发光二极管和太阳能电池的透明电极.所制备的AZO薄膜具有c轴择优取向,晶粒问界中的O原子吸附是限制薄膜电学性能的主要因素. 相似文献
9.
空间外差光谱仪系统设计 总被引:12,自引:3,他引:9
围绕空间外差光谱仪系统参数设计进行了理论分析和实验研究。介绍了空间外差光谱仪系统的基本结构和原理,并针对其光学系统设计,详述了系统的主要指标:光谱分辨率极限、分辨能力、光谱范围与关键光学器件:光栅、探测器、成像系统等参数的匹配关系。给出了一个完整的系统参数设计实例,并根据光学系统参数对干涉图进行了理论仿真。以搭台的方式建立空间外差光谱仪原理试验装置,并进行了典型光谱实验验证,系统检测结果表明光谱分辨能力在591 nm达到了17 700,光谱范围为574~591 nm。实验结果与仿真结果比较还表明,系统的光谱范围、光谱分辨率等指标达到了设计要求,验证了设计方法的可行性。 相似文献
10.
采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.研究结果表明,对Cu,Ni金属,适当的退火温度能提高其与4H-SiC所形成的Schottky势垒高度,改善理想因子,但若退火温度过高,则会导致接触的整流特性退化.器件在退火前后,反向漏电流都较小.热电子发射是其主要的输运机理.所制备的金属半导体接触界面比较理想,无强烈费米能级钉扎. 相似文献