非互易波导光栅的滤波特性与应用

根据磁光材料的非互易特性和波导光栅的滤波特性,介绍了一种磁光波导光栅的非互易滤波特性及其应用.该磁光波导光栅采用法拉第旋转系数为4800°/cm的掺铈钇铁石榴石(Ce:YIG)材料、单模的脊型补偿墙截面结构和cosine型变迹光栅结构的设计.利用有限差分法和等效折射率法模拟该磁光波导光栅非互易效应的大小,同时结合耦合模理论和转移矩阵法对该磁光波导光栅的非互易滤波特性进行分析.结果表明,对于TE模和1550 nm波段,该磁光波导光栅正反向传输的中心波长偏移0.8 nm,带宽0.4 nm(-20 dB).这种非互易滤波特性可以用来实现波长选择光隔离器和光分插复用器(OADM)等集成光学器件.     

基于InP高Q值微碟谐振腔原理分析及应用

对微谐振腔Q值相关机理进行模型分析,提出利用定向耦合原理对微谐振腔和总线波导之间的耦合分析。利用微碟谐振腔的高Q值理论对基于InP半导体材料的光开关设计并进行性能分析,设计的微碟光开关自由频谱范围(FSR)为3.4nm,光开关消光比可达20dB左右。此外负耦合(negative gap)结构使微碟与总线波导耦合的效率明显提高。     

基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率分析

初步分析了基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率变化规律,利用自洽方法计算了光生载流子浓度对传输光的折射率改变量。当805nm的控制光注入强度为6×103W/cm2(8×103W/cm2)时,在垂直材料表面内1μm深度处,对1.55μm(1.31μm)的传输光可以达到-1-0 2的折射率变化量级。与GaAs体材料相比,量子阱材料所需控制光强度能够减少约20%,有助于降低全光开关与全光调制器的功耗。     

新型聚合物光可变衰减器阵列

光可变衰减器是密集波分复用网络中的重要器件之一.介绍了一种新型聚合物光可变衰减器(VOA)的设计方法,利用聚合物的热光效应,动态范围可达25dB.这种新型聚合物VOA不仅体积尺寸小,插入损耗小,功耗低的优点,而且表现出良好的偏振独立性,对该器件进行了相关性能的分析和模拟.     

非对称Y分叉全内反射型全光开关

基于全内反射原理和光生载流子注入效应,研究了一种Y分叉全内反射型全光开关.当控制光(波长为805nm)的强度达到150W/mm2时,对于1310nm波长,其开关的消光比可以达到18dB,并对光注入开关机理做了简单的探讨.     

非对称Y分叉全内反射型全光开关

基于全内反射原理和光生载流子注入效应,研究了一种Y分叉全内反射型全光开关.当控制光(波长为80 5 nm)的强度达到1 5 0 W/ m m2时,对于1 31 0 nm波长,其开关的消光比可以达到1 8d B,并对光注入开关机理做了简单的探讨     

氯甲烷的气相色谱分析方法

氯甲烷气体分析,一般采用量气管测定样品气被乙醇吸收的数量来计算含量的方法。该方法操作比较繁琐,误差较大。为此,我们选择气相色谱法进行了研究,初步确立了一个比较快速,简便气相色谱法。     

行波电极型BOA光开关的研制

设计了行波电极型GaAs异质结材料BOA光开关;采用谱域法分析和设计了平面微带线结构(PMS),并应用转移矩阵理论和有效折射率法计算和分析了电极结构与器件半波电压和串音度的关系。结果表明,采用PMS结构器件的3dB带宽可达到20GHz;电极位置的对称性对器件串音度起决定性的影响,采用本文提出的电极对准工艺,能够得到小于—40dB的串音度。     

液晶型圆偏振调制器

设计了一种液晶（LC）型光圆偏振调制器（CPM），利用LC材料的电控双折射特性得到出射光的2种圆偏振态。对器件的工作原理进行了详细的说明，进而对器件的特性进行了测试和分析。该LC型光CPM具有小于10V的低驱动电压、ms量级的响应速度和体积小的特点。测试结果表明，该光CPM输出光圆偏振度高达98．8％。     

LiNbO3 1×2非对称电极Y分叉数字光开关的研究

文章提出一种关于非对称电极低串扰数字光开关的新型设计方案,在Y分叉后端引入S弯曲波导,通过在Y分叉处的非对称电极和弯曲波导的弯曲电极处施加一定的同步电压,实现了比没有S弯曲的开关更低的串扰.此种设计采用有限差分光束传播方法(FDBPM)来分析,模拟结果显示,在光波长为1.55 μm时,开关电压8 V,串扰＜-25 dB.