Simulation Investigation on Particle Transmission Characteristics of Two Different Ion Barrier Films

The simulation calculation and analysis of electron transmittance and ion stopping power for ion barrier films （IBFs） of Al2O3 and SiO2 are performed by Monte Carlo methods. The interaction model between particles and solids are described. It is found that at the same conditions, the electron transmittance for SiO2 IBF is relatively higher than that of Al2O3 IBF, and the ion stopping power of SlOE IBF is relatively lower than that of Al2O3 by Monte Carlo simulations. It is also indicated that SiO2 is one of the ideal materials for fabricating IBFs.     

基于差分图像的多尺寸形态滤波在X射线影像系统的应用

新型低强度X射线影像系统主要是由平板式单近贴静电聚焦X射线像增强器和CCD数据采集系统构成.文章简述了低强度X射线影像系统的图像噪声来源和特点,并根据图像噪声的特点,先进行多帧叠加平均预处理,再进行数学形态学滤波.区别于传统的形态滤波方法,在多尺寸形态滤波的基础上,引入差分图像的概念,先得到一组包含不同尺寸的噪声和图像信息的差分图像,将各个差分图像应用小波变换去噪后,与最后一级形态滤波平滑的图像相加,就得到了既去除噪声又保留图像细节的目标图像,通过对峰值信噪比的计算,表明该方法能取得较好效果.     

UV成象探测器

将紫外辐射转换成可见光的成象器件——UV成象探测器,其结构原理虽与一般象转换器基本相同,但在器件设计时,窗口     

基于多帧平均和小波分析的X射线影像图像去噪处理

分析了低强度X射线影像系统图像噪声来源及特点，以此提出了处理该图像噪声的“多帧平均滤波 小波变换滤波”的复合算法。通过对峰值信噪比的计算表明，该方法明显优于任何单一算法，取得较好效果。     

二维电子倍增器及其新发展

概述了二维电子倍增器ＲＬＳＧ－ＭＣＰ的发展的概况和工艺和局限性,提出了用半导体工艺制作ＡＴ－ＭＣＰ的技术途径,阐述了ＡＴ－ＭＣＰ的优点;介绍了新型ＭＳＰ电子倍增器的原理和特点,最后展望了电子倍增器的发展前景。     

硅基高长径比微孔列阵及其应用

介绍了硅基高长径比微孔列阵形成的多路感应耦合等离子体刻蚀和电化学刻蚀等半导体工艺技术,给出了实验系统、原理、方法和实验结果,指出了工艺中出现的新现象和亟待解决的新问题,阐述了其在二维通道电子倍增器-微通道板中的应用。     

硅诱导坑形成及深孔列阵电化学微加工工艺方案的探讨

本文采用P型单晶硅片,在三极电解槽中,进行了电化学深刻蚀的探索性实验.对湿法刻蚀和电化学刻蚀中的工艺问题进行了初步的理论和实验研究,同时,采用SEM对实验样品进行了形貌分析,并采用电流突破模型对电化学深孔刻蚀机理进行了理论分析.通过理论和实验研究,发现即使硅片晶向不准,仍能刻蚀出方孔列阵.其结果对进一步开展这方面的研究工作具有指导意义,在进一步深入开展研究电化学体硅微加工技术时,可有望成为实现硅深孔列阵加工的新技术.     

利用电化学刻蚀ェ艺制备P型硅基大孔深通道阵列

在自制的三极电解槽中，采用浓度不同的氢氟酸(HF)电解液在一定掺杂浓度的p型硅基上，研究了大孔深通道阵列的形成过程。通过一系列实验、电化学测试与分析，从理论上论述了D型大孔深通道阵列的形成微观机制，同时解释了电化学刻蚀反应与HF浓度的关系，指出了HF浓度决定电化学反应刻蚀的进行与否与样品质量的关键。提供了一种利用电化学刻蚀工艺制备p型大孔深通道阵列经济实用的方法，实验结果对其形成具有指导意义。     

测量微通道板电子增益的紫外光电法

本文介绍了一种测量微通道板电子增益的紫外光电法,给出了实验装置、方法和结果,分析和说明了本方法的优点,指出了利用本法同时实现微通道板综合参数测试和象管模拟的可能性。     

双近贴聚焦紫外成象系统的实验研究

本文就两种双近贴聚焦紫外成象系统进行了实验研究。给出了实验装置,某些实验现象和曲线,并从电子光学角度做了定性分析。最后强调指出MCP作为紫外光电阴极时的优点和两种系统的应用。