功率型白光LED的热特性研究

大功率LED照明单元在光通量提高的同时伴随着散热，且普通功率型白光LED多采用蓝光芯片激发荧光粉的方法，随着温度的提升，荧光粉对应的波长会发生漂移。本文从功率型白光LED的发热原理出发，试验了其在脉冲源作用下，用于照明的可能性。试验表明，在此激励源的作用下，LED输出与散热很好，并从理论上进行了解释。     

ZnSe-ZnS超晶格的量子尺寸效应

本文报导了我们用常压MOCVD生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。我们首次制备了阱宽低达10(?)的ZnSe-ZnS应变超晶格。     

以低压MOVPE法在GaAs衬底上生长的ZnSe—ZnS_(0.1)Se_(0.9)应力层超晶格的蓝色发光

ZnS 和 ZnSc 是宽禁带的Ⅱ—Ⅵ族化合物,是制备光电器件十分理想的材料,其光谱可复盖从可见到紫外的范围。对于这样的应用,生长高质量的外延薄膜是十分重要的。但是因为没有质量足够高的块状单晶可以用作衬底材料,所以这些材料外延生长的研究集中在异质外延上。例如,GaAs 特别被选用为外延生长 ZnSc 的衬底,因为这二种材料的晶格常数差异很小。但是这个屏质外     

AlN／蓝宝石模板上生长的 Al 0．6Ga0．4N薄膜结构与光学性能研究

采用MOCVD方法在 AlN/蓝宝石模板上生长高铝组分 Al0．6 Ga0．4 N 薄膜,并采用高分辨率XRD（HRXRD）及阴极荧光（CL）方法对其进行了表征．结果表明,AlGaN薄膜产生了相分离,其原因为厚膜中的应力弛豫及Al原子低的表面迁移率．     

双基色电子显示屏设计研究

介绍了双基色LED电子显示屏的原理和结构,并分析了其设计的几种方法,利用直接扫描、模拟传送方式可以降低成本,提高性能。     

掺Si对AlGaInP/GaInP多量子阱发光性能的影响

研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响.样品分为两类:一类只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构;另一类为完整的多量子阱LED结构.对于只生长了(Al0.3Ga0.7)In0.5P/Ga0.5In0.5P多量子阱结构的样品,掺Si没有改变量子阱发光波长,但使得量子阱发光强度略有下降,发光峰半高宽明显增大.这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的.而在完整LED结构的情况下,掺Si却大大提高了量子阱的发光强度.相对于未掺杂多量子阱LED结构,垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了13倍,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了28倍,并对这一现象进行了讨论.     

发光二极管技术在光生物及医学领域的应用

简要综述了近年来发光二极管(tight emitting diode,LED)技术在植物、动物细胞、动物模型、人体临床、生物医学材料、环境保护等方面的研究与应用.     

Effect of n-type barrier doping on steady and dynamic performance of InGaN light-emitting diodes

The steady and dynamic properties are comparatively simulated results show that the n-doped LED exhibits is mainly attributed to the higher carrier radiative experimental results perfectly. investigated for the n-doped and non-doped InGaN LEDs. The the superior luminescence and modulation performance, which rate of n-doped LED. The results can explain the reported     

用于细胞及组织培养的低强度LED生物光源

研制出可用于细胞及组织培养的低强度发光二极管光源。介绍了此光源的光路原理和简要结构，测试了该光源的辐射照度及其强度分布，使用统计分析软件SPSS拟合得到该光源的辐射照度经验公式。     

InGaN太阳能电池材料电学与光学性质的辐射研究

研究表明，In1-xGaxN合金材料的能隙能连续地从0．7eV改变到3．4eV，使得该材料有可能成为太阳能全光谱材料系．研究发现这些合金材料的电学特性表现出用高能质子（2MeV）照射比当前常用的太阳能光伏材料如GaAs和CaInP有更高的电阻，因此，给受到强辐射的太阳能电池提供了巨大的应用潜力．实验观察到这种材料对辐照损伤具有不敏感的特征，该特征可用带边局域的平均振荡结合缺陷能给予解释．该缺陷能用In1-xGaxN合金的Fermi能级的稳态能描述．