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研究了不同气氛下(空气、氧气和氮气)248nm准分子激光辐照对ZnO薄膜光致发光谱和电学性质的影响;采用高斯线形对不同气氛下激光辐照ZnO薄膜的光致发光谱进行了拟合,并对位于3.31、3.28、3.247、3.1eV附近的发光峰进行了归属指认和机理分析。激光辐照ZnO薄膜导致紫外光致发光峰强度明显下降并伴有少量红移,并且使得位于3.274eV的一级声子伴线(D0X-1LO)发射峰和位于3.203eV的二级声子伴线(D0X-2LO)发射峰合并形成一个峰。富氧条件下激光辐照ZnO薄膜会造成受主浓度增加,施主浓度减少;而缺氧条件下激光辐照ZnO薄膜会造成受主浓度减少,施主浓度增加。激光辐照后ZnO薄膜的载流子浓度上升了2个数量级,载流子迁移率上升了1个数量级,电阻率下降了3个数量级。 相似文献
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采用KrF准分子激光直写刻蚀技术在聚偏氟乙烯(PVDF)材料表面引入刻蚀缺陷,利用刻蚀点缺陷和线缺陷的活性中心作用实现了聚偏氟乙烯表面导电层的快速制备。实验结果表明,通过激光刻蚀在该材料表面产生的刻蚀点或刻蚀线均可起到活性中心的作用,轻易地控制导电层的形成,降低了激光改性阈值,低阈值实现了导电层快速制备的目的。通过激光扫描共聚焦显微镜(LSCM)及扫描电镜(SEM)观察,刻蚀缺陷边缘产生类导电层的二维规整网络微结构,为导电层的初期形式。激光刻蚀过程中的激光热交联反应及激光辐照交联反应的交替作用是聚偏氟乙烯导电层快速产生并大面积形成的主要原因。 相似文献
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采用激光烧结技术,制备出相对密度为97.5%的Sr1.86Ca0.14NaNb5O15(SCNN)无Pb压电陶瓷。最佳烧结条件为:激光烧结功率密度为1.99W/mm2;激光烧结时间为60s;激光功率密度升降速率为0.50W/mm2.min。与传统炉烧SCNN陶瓷相比,激光烧结SCNN陶瓷室温下1MHz的介电常数κ从1312增长到1419,机电耦合系数k33从17%增长到了27%,压电常数d33从60pC/N提高到93pC/N。扫描电镜(SEM)观测发现:与传统炉烧陶瓷相比,激光烧结SCNN陶瓷的晶粒尺寸较小,气孔较少,Na挥发较少;陶瓷片的X射线衍射(XRD)分析表明,激光烧结陶瓷的晶粒具有一定程度的取向生长。 相似文献
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(Ta2O5)0.92(TiO2)0.08介电陶瓷的激光烧结改性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用CO2 激光对 (Ta2 O5) 0 .92 (TiO2 ) 0 .0 8陶瓷的烧结改性进行了系统研究 ,分析了改性微观机理。所制备的陶瓷试样比普通炉烧试样的介电常数值提高了约 3倍 ,平均值约为 4 5 0 ,同时具有良好的热稳定性。通过X射线衍射相结构分析 ,确定激光烧结陶瓷试样中存在H -TiTa18O47高温相 ,采用金相和扫描电镜的分析方法 ,首次获得了陶瓷试样的 3D显微结构信息 ,激光烧结试样具有与普通炉烧试样明显不同的显微结构特征。相结构及显微结构的差异应是激光烧结试样介电性能改善的主要原因。 相似文献
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混合价态钙钛矿锰氧化物在外界温度变化和磁场作用下表现出巨大的磁电阻 (Colossalmagnetoresistance ,简称CMR)效应 ,引起了人们的广泛关注。由于CMR材料在传感器、探测器以及硬盘读出磁头等应用器件研发上极具潜力 ,科学家们对其进行了大量研究。本文在简单介绍CMR材料结构和机理的基础上 ,着重报道了我们利用CMR薄膜的激光感生热电电势 (LITV)制备激光功率 能量探测器和利用电阻在室温附近的巨大变化研制的光热辐射探测器 (Bolometer)方面的新进展 相似文献
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在室温下测量了KBr衬底上C(60)薄膜的付立叶变换红外外吸收谱,除了4个红外活性的F(1u)模外,还观测到17条强度微弱的谱线。在群论分析基础上,它们被初步指认为C(60)的二阶红外光谱,由此表明:C(60)中非谐性的影响较大;分子间相互作用较弱。 相似文献
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在室温(23.7℃)下用X射线四圆衍射仪收集了BaTiO_3单晶的衍射数据1300个,其中独立衍射444个,利用最小二乘法对四方相晶体结构作了进一步研究,结果表明,在四方相中,Ti原子是部分无序的,和先前的结果作了比较,并讨论了和立方相结构的关系。 相似文献
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在大量实验的基础上,从分析CO_2激光加工陶瓷等硬脆性无机非金属材料的物理过程入手,研究了在激光功率和材料特性一定的条件下,切割速度、激光频率及占空比对材料温度场、热影响区及裂纹产生的影响;并通过数值模拟,分别给出了硬脆性无机非金属材料激光切割和制孔的应力分布分析解,利用所得到的裂纹评价准则很好地解释了实验结果,确定了实现激光无裂纹切割厚板陶瓷的可行性。对比实际实验结果,分析得出,由于加工路径的限制,实际激光切割速度的提高存在阈值,但可以通过调节频率和占空比来弥补加工速度,以此减少热影响区积累,阻止熔渣及裂纹产生。采用3500W CO_2激光器,当频率为200Hz,占空比为20%~30%,切割速度125~200mm/min时,可以完成对厚板氧化铝陶瓷的无裂纹切割。 相似文献