关于小家电产品开关电源的设计研究

本文通过对开关电源原理进行基本介绍基础上，对开关电源的基础进行了初步介绍，并进一步对小家电产品设计中开关电源的要点进行详细分析，在反馈电路选择、PCB板选择以及电磁兼容设计的详细分析与介绍下，希望对相关研究人员提供必要的参考。     

装粉方式对钛粉压制成形影响的数值模拟

用MSC.Marc软件模拟了在3种不同装粉方式下钛粉压制成形过程中粉末的流动情况以及压坯的密度分布规律。研究结果表明:装粉方式对粉末压制过程及压坯密度具有较大的影响,与平式装粉方式相比,采用凸式装粉,试样的烧结坯密度提高6％,孔隙分布的均匀性得到相应的改善。     

“城”里乾坤大，“域”中日月长——城域网全景

城域网已经热了一段时间了,去年下半年其发展脚步开始放缓,但在可以看到的今后的一段时间内,还是会有相当的热度的——就像电饭煲,“加热”键可能已经弹起来了,“保温”模式总是能持续相当长时间的。下面这篇文章,便从整体上说明了城域网是什么,它的概念是如何兴起的,它采用了什么技术等问题,为我们描画出城域网的全貌。     

产品与服务并重

随着社会进步，物质文化水平的提升，人们对生活的追求已不单单是舒适化，而是趋向于品质化。人们从对衣、食、住、行的关注，提升到对健康，对生活品质的层面更加重视。     

Thermal analysis of remote phosphor in LED modules

Phosphor plays an important role in LED packages by converting the wavelength of light and achieving specific color.The property and degradation of phosphor are strongly affected by the temperature.Some structural factors have been investigated in this paper and their effects are evaluated.Remote phosphor is an effective approach to improve the performance and reliability of LED modules and products.It is a trade-off that the final product design depends on both the thermal performance and the cost.     

基于OpenMP的电力系统并行故障计算实现

故障计算是电力系统最基本的计算。随着电网规模与电力节点数日益增大,计算需要花费的时间越来越长。传统的串行计算方法已不太可能在计算速度上获得实质性进展,多核并行计算正引领着软件的研发方向。介绍了Open MP编程技术和故障计算原理,并基于Open MP编写故障计算程序,提出并行故障计算方法。通过用串行和并行两种方式对系统进行故障计算测试,仿真结果发现并行计算的时间明显低于串行计算,的确是一种低成本、高效率的解决方案。     

二组元粉体的混合实验研究

实验测定了铁粉和钛粉(Fe-Ti)、铁粉和三氧化二铝粉(Fe-Al2O3)、铁粉和铝粉(Fe-Al)3种二组元粉末体系在圆筒型混合器中混合过程的均匀度。研究结果表明:粉末物性的差别对混合效果产生明显的影响,当填充率和转速相同时,不同物性的二组元粉末体系的混合运动状况不尽相同,混合均匀度表现出明显的差异。在50s内,流动性较好的AlO3粉和Al粉分别与Fe粉较均匀地混合;而流动性较差的Ti粉与Fe粉没有有效地混合。Fe-Ti体系、Fe-Al体系和Fe-Al2O3体系的最终混合均匀度分别为0.275,0.048和0.025。     

圆筒型混合器中颗粒混合运动的研究

对硅胶颗粒在圆筒型混合器中的混合运动和机理进行了实验研究,分析了填充率、转速等因素对混合过程的影响。研究结果表明:混合过程中颗粒运动的流线不断被拉伸和弯曲,是形成颗粒扩散运动的重要机制;填充率和转速对颗粒的混合运动有明显影响,当填充率不变时,混合效果随混合器转速的提高而提高(接近离心状态之前);当转速不变时,混合效果随填充率增大(不超过70％)而提高。当填充率和转速提高时,颗粒的运动模式由rolling模式向cascading模式发展。     

低损耗衬底上实现无源低通滤波器

分析比较了不同种类衬底上无源器件(片上电感和电容)的损耗机理,在OPS(氧化多孔硅)和HR(高阻硅)低损耗衬底上分别实现了片上低通滤波器.为了研究衬底损耗,设计了平面螺旋电感,其Q值在两种衬底上的仿真结果都超过了20.在OPS衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.9GHz,通带插入损耗在500MHz为0.87dB;在HR衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.3GHz,通带插入损耗在500MHz为0.42dB.     

一种K波段双桥电容式RF MEMS开关的设计与制作

介绍了一种K波段双桥结构的电容式RF MEMS开关．该开关的结构特点是,以共面波导上的悬空金属膜为双桥结构,并且膜桥的支撑呈折叠弹簧结构．使用Agilent ADS软件对该开关进行了设计和优化,结果表明,相比传统电容式单桥开关,该开关隔离度性能得到了很大提高．利用表面微机械工艺,在高阻硅衬底上制备了开关样品．双桥开关的在片测试结果表明：驱动电压为19.5V,“开”态的插入损耗约1.6dB@19.6GHz,“关”态的隔离度约46.0dB@19.6GHz．