深亚微米体硅器件电离辐射及退火与温度的相关性研究

对经过Co60不同剂量剂量率辐照的体硅MOS器件(NMOSFET与PMOSFET)分别进行了室温和高温下的退火实验,并对退火结果进行分析,讨论了退火温度对MOS器件阈值电压及辐射感生的氧化层陷阱电荷与界面态电荷产生的影响.     

基于高海拔地区的大气中子单粒子效应实时测量试验研究

开展65 nm高速大容量静态随机存取存储器（SRAM）大气中子单粒子效应特性及试验评价技术研究,基于4 300 m高海拔地区大面积器件阵列实时测量试验,突破效应甄别、智能远程测控等关键技术,在153 d的试验时间内共观测到错误43次,其中器件内单粒子翻转39次,多单元翻转（MCU）在单粒子翻转中占比23%,最大的MCU为9位。对高能中子、热中子和封装α粒子的贡献比例进行了分析,并基于多地中子通量数据,推演得到北京地面和10 km高空应用时的单位翻转（SBU）和MCU失效率（FIT）。发现地面处软错误的主要诱因为封装α粒子,随着海拔的增高,大气中子对软错误的贡献比例明显增大;MCU全部由高能中子引起,北京10 km高空处的MCU FIT值明显增大,其占比由地面的8%增大至26%。结合器件版图布局,对MCU产生机理进行了深入分析。最后,提出一种目标导向的存储器软错误加固策略优化方法。     

MOS器件的X射线辐照效应

研究了在10keVX射线辐照情况下，MOS器件的阈值电压随总剂量和剂量率的改变而变化的趋势。实验结果表明，辐照后，与用Co^60作为辐射源辐照所做实验结果明显不同的是，NMOS器件的阈值电压漂移幅度远大于PMOS器件的漂移幅度。文中对这种现象进行了讨论。     

偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响

采用10 keV X射线,对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象.实验结果表明,对于NMOSFET,On偏置条件是最劣偏置条件,Off偏置条件是最优偏置条件.     

10keV X射线空间辐照总剂量试验可行性研究

传统辐照总剂量试验的辐射源均采用^60Co,对环境危害较大。X射线作为辐射源具有安全、剂量率控制准确等优点,可进行硅片级的测试甚至在线测试,从而大大降低封装、测试、运输的成本。提高研发效率。从辐射机理和辐射对栅氧化层影响的角度深入地论证了用10keV X射线代替^60Co作为总剂量试验辐射源的可行性。     

KGD质量和可靠性保障技术

通过裸芯片可靠性保障技术研究,在国内形成了一部完整的已知良好芯片(KGD)质量与司靠性保证程序,建立了从裸芯片到KGD的质量与可靠性保证系统,确立了裸芯片测试、老化和评价技术,实现了工作温度为-55～ 125℃的裸芯片静态、动态工作频率小于100MHz的测试和工作频率小于3MHz的1 25℃动态老化筛选,可保障裸芯片在技术指标和可靠性指标上达到封装成品的等级要求.     

从边界扫描技术协议讨论其发展与应用

边界扫描测试技术作为当前电子测试技术的热点，其应用与发展是令人瞩目的。本文通过对边界扫描技术一系列协议的简单介绍和剖析，讨论了边界扫描技术各个阶段的应用与发展情况，并对边界扫描技术未来的发展给出了一些预测。     

多晶硅梁疲劳损坏特性的研究

针对多晶硅的疲劳失效机理,人们已经提出了一些解释的模型.然而,到目前为止没有一种模型能够全面地阐述疲劳失效机理.本文旨在采用参量的渐变,如平均杨氏模量E,来反映MEMS多晶硅梁的疲劳.通过测试周期性载荷下双端固支梁结构的pull-in电压变化,确定杨氏模量E的变化,进而表征梁的疲劳失效状态.     

SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究

研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应.采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件前栅与寄生背栅晶体管辐照前后的阈值电压的漂移.实验结果表明,加固样品的抗辐射性能优越,且不同的辐照偏置对SOI MOSFET器件的辐照效应产生不同的影响.     

电离辐射中SOI MOSFETs的背栅异常kink效应研究

采用10keV X射线研究了部分耗尽SOI MOSFETs的总剂量辐射效应.实验结果显示,在整个辐射剂量范围内,前栅特性保持良好;而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink效应.分析表明电离辐射在埋氧/顶层硅(BOX/SOI)界面处产生的界面态陷阱是导致异常kink效应产生的原因.基于MEDICI的二维器件模拟结果进一步验证了这个结论.