长距离桥上输水管道无伸缩补偿器设计

本文结合工程实例,介绍了在大型桥梁上敷设输水管道,不设置伸缩器,利用滑动支座解决输水管道因温度变化引起的纵向变形和减小管道水流冲击力对桥梁的影响的方法.     

大型贮水构筑物在湿陷性黄土上的地基处理

湿陷性黄土受水后会产生较大的不均匀沉降 ,从而会危害上部结构的安全。湿陷性黄土地基处理形式很多 ,不同场地、不同的结构形式对这样的地基处理有不同的要求。本文结合工程实例 ,针对大型贮水构筑物建造在湿陷性黄土地基上的地基处理方案选择和施工注意事项进行阐述     

注碳外延硅的荧光特性研究

研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV,剂量为2×1016cm-2的碳离子注入后的外延单晶硅片,在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提,并且不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大。不同的激发光波长亦可影响发光谱的峰位。     

严桥支线工程曲线钢顶管设计

介绍了青草沙水源地原水工程严桥支线工程中采用的曲线钢顶管设计方案。根据工程场地的周边环境和地质条件,通过采取特殊的钢管管节接头设计、合理的管节长度划分等技术措施,实现了大口径长距离钢管在较小曲率半径下的曲线顶进,取得了较好的技术、经济及社会效益。     

机关对基层要“四”号

基层是一切工作的出发点和落脚点。抓基层、打基础是大庆油田的优良传统，是油田一次创业战胜困难，取得胜利的重要依靠。油田进入二次创业、提出建设“百年油田”后，对基层建设提出了更高的要求。新的发展形势、新的历史任务，要求基层队伍的执行力、战斗力必须更强，基础管理水平必须更扎实、更可靠。机关作为本级和上级方针政策的宣传、执行机构，是引导基层完成各项工作任务的指引者，是基层建设的组织者、推动者，机关对基层能否实施正确有方、有力的指导，直接关系到企业的大政方针在基层贯彻落实的效果，关系到企业各项工作目标完成的质量。特别是大庆石油管理局集团化运作后，局属各集团全面实施了结构调整和扁平化管理，成员企业机关的工作将直接面向基层队，因此，加强对基层建设的指导是机关的重要职责。各级领导机关必须要以时不我待的精神，进一步加大工作力度，切实加强对基层建设的指导，在加速提高基层建设层次和水平，打牢企业发展根基中充分发挥自己的作用。     

心血管疾病的核素心功能检查

用ＳＰＥＣＴ门控心血池显像检测７２例心血管病患者心功能,结果表明：高血压病对心功能影响不大,仅见ＴＰＦＲ↓、心室相角程↑,２７％－６６％的病例的室壁运动、收缩波传导及振幅图有异常;冠心病对心功能影响较为明显,可见ＬＶＥＦ↓、２５％ＦＦ↓、５０％ＦＦ↓、心室相角程↑、２５％－５１％病人室壁运动、收缩波传导及振幅图有异常;冠心病发生心肌梗塞后,ＬＶＥＦ进一步减低、心室相角程进一步增宽,同时出现ＰＥＲ、     

氨化温度对Si基GaN纳米结构质量的影响(英文)

通过磁控溅射技术在Si(111)衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同温度下氨化制得GaN纳米结构。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行了表征。结果显示合成的GaN纳米结构具有六方纤锌矿结构,且纳米结构的生长受温度影响很大。PL谱显示在388nm处有一强的紫外发光峰,表明其在低维激光器件方面的应用优势。同时对纳米结构的生长机制进行了简单讨论。     

Au点阵模板控制生长ZnO堆垒单晶棒

采用磁控溅射技术在Si(111)衬底上溅射Au薄膜,900℃退火生成Au点阵模板,在Au点阵模板上溅射ZnO薄膜,O2气氛下1 000℃退火制备了ZnO堆垒单晶棒。研究了不同直径Au点阵模板对ZnO单晶棒结构性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对样品结构形貌进行了分析。结果表明,生成有序排列的ZnO棒均由诸多六方纤锌矿单晶堆垒而成,较小Au点阵生成单晶棒的直径约为100nm。室温光致发光PL谱表明在376nm出现一个较强近紫外发射,在488nm附近出现一个较宽的深能级绿光发射,说明所制备样品具有良好的发光特性。     

氧化物缓冲层制备Si(111)基GaN纳米线

采用氧化物缓冲层,通过射频磁控溅射系统依次在n型Si(111)衬底上沉积Ga2O3/ZnO(Ga2O3/MgO)薄膜,然后将薄膜于950℃氨化合成GaN纳米结构,氨化时间为15min。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品的结构进行了分析,结果显示两种缓冲层下制备的样品均为六方纤锌矿单晶GaN纳米结构,且缓冲层的取向对纳米线的生长方向有很大影响;采用扫描电镜(SEM)对样品的形貌进行了测试,发现纳米线表面光滑,长度可达几十微米,表明采用氧化物缓冲层制备了高质量的GaN线。同时对GaN纳米线的生长机理进行了简单讨论。