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利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ga、Mn、As样品,在不同的温度条件下进行退火后组分和元素分布的变化。结果表明退火有助于样品内部元素的均匀分布,温度为400℃会导致MnO2和Ga5.2Mn的结晶。 相似文献
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离心泵机械密封泄漏现象分析 总被引:1,自引:0,他引:1
基于机械密封是离心泵的结构和工作原理,分析了离心泵用机械密封常见的泄漏现象,分析了泄漏原因,并提出了解决方案. 相似文献
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在硅衬底上利用具有质量选择功能的低能离子束沉积技术沉积碳离子制备出除碳、硅之外无其他杂质元素的纯净的立方SiC薄膜.利用X射线光电子谱、俄歇电子能谱、X射线衍射对样品进行了表征.结果显示常温和400℃制备的样品为非晶结构,在800℃制备的样品由一富碳的表面层和有着良好化学计量比的SiC层组成,碳化硅晶体薄膜是(111)织构的.通过分析可知衬底温度、离子沉积能量和样品保温扩散时间等因素综合在一起对于在硅上沉积SiC薄膜起着重要作用.远远大于TRIM预测厚度的SiC薄膜的获得是高的衬底温度、一定注入能量的碳离子引起的增强扩散以及通道注入效应综合作用的结果. 相似文献