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1.
2.
细胞凋亡在保证多细胞生物生长发育过程中扮演着重要角色,其在医学领域也有很大的发展空间,对于肿瘤等疾病可以通过诱导突变细胞自主凋亡的思路来治愈疾病。在细胞凋亡过程,抗凋亡因子具有重要的调控作用,因此靶向这些分子可以人为干预细胞凋亡。本研究设计了利用计算机辅助药物设计的方法发现促细胞凋亡药物分子的研究方案,在广泛调研文献的基础上,了解抗凋亡因子Bcl-2家族、p53、c-FLIP,P13K-AKT参与细胞凋亡过程的作用机理,筛选出候选药物靶标,结合计算机辅助药物的方法寻找潜在药物分子,再运用流式细胞仪检测细胞凋亡率,最终筛选出促细胞凋亡的最佳药物分子,该方案为之后的实验和理论研究奠定基础,帮助探索治疗恶性肿瘤等疾病的可能方法。 相似文献
3.
互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)在空间应用时会受到单个粒子辐照影响,这通常会导致CIS采集图像出现异常,严重时会导致器件功能失效。本文从不同粒子的角度:重离子、质子、电子和中子,从CIS容易发生的单粒子效应类型:单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)、单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)、单粒子闩锁(Single Event Latchup,SEL)、单粒子功能中断(Single Event Functional Interrupt,SEFI)等方面综述了CIS单粒子效应研究进展。简要介绍了CIS单粒子效应加固技术研究进展。分析总结了目前CIS单粒子效应及加固技术中亟待解决的问题,为今后深入开展相关研究提供理论参考。 相似文献
5.
研究了辐照过程中施加背栅偏置对掩埋氧化层(BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。测试了130 nm部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管在不同背栅偏置条件下辐射损伤规律,试验结果显示辐照过程中施加正向背栅偏置可以显著增强辐射陷阱电荷产生,而施加负向背栅偏置并不能明显抑制氧化物陷阱电荷的产生,甚至在进一步提高负向偏置时会使氧化物陷阱电荷的数量上升。通过TCAD器件模拟仿真研究了背栅调控机理,研究结果表明:尽管负向背栅偏置可使辐射感生陷阱电荷远离沟道界面,但随着BOX层厚度减薄该区域电荷仍可导致器件电参数退化,且提高负向偏置电压可进一步增强陷阱电荷产生,加剧辐射损伤。 相似文献
6.
为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验。分析了电子辐照导致NMOSFET阈值电压和饱和电流退化的情况,以及器件的辐射损伤敏感性。实验结果表明,电子辐照导致两种NMOSFET器件的参数退化情况以及辐射损伤敏感性类似。导致器件参数退化的主要原因是界面陷阱电荷,同时氧化物陷阱电荷表现出了一定的竞争关系。实验结果为研究CCD电子辐照导致的辐射效应提供了基础数据支持。 相似文献
7.
8.
This paper presents 3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in domestic silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBTs). 3D damaged model of SiGe HBTs single-event effects (SEE) is built by TCAD simulation tools to research ions angled strike dependence. We select several different strike angles at variously typical ions strike positions. The charge collection mechanism for each terminal is identified based on analysis of the device structure and simulation results. Charge collection induced by angled strike ions presents a complex situation. Whether the location of device ions enters, as long as ions track through the sensitive volume, it will cause vast charge collection. The amount of charge collection of SiGe HBT is not only related to length of ions track in sensitive volume, but also influenced by STI and distance between ions track and electrodes. The simulation model is useful to research the practical applications of SiGe HBTs in space, and provides a theoretical basis for the further radiation hardening. 相似文献
9.
10.
基于灰预测模糊PID的随动系统负载模拟器力矩控制研究 总被引:1,自引:1,他引:0
为了抑制多余力矩的幅值,提高随动系统负载模拟器加载力矩的控制精度,提出了一种基于灰预测模糊PID的力矩控制器。由灰模型根据力矩传感器测量数值序列的变化趋势,预测加载力矩的未来数值,并以此预测值作为力矩控制器的运算依据。力矩控制器在大误差时采用Bang-Bang控制,小误差时采用模糊PID控制;同时引入伸缩因子,根据误差大小动态调整输入变量的论域,以增强模糊控制器的控制能力。仿真分析和实验结果表明,与传统的PID控制相比,所提出的控制策略能够将多余力矩的幅值进一步削弱接近1/2,可以用于随动系统的动态力矩加载控制。 相似文献