微波退火非晶硅薄膜低温晶化研究

多晶硅薄膜晶体管以及其独特的优点在液晶显示领域中起着重要的作用。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温制备（＜600℃高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文章研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺;微波退火非晶硅薄膜固相晶化法,利用X射线衍射、拉曼光谱和扫描电镜分析了微波退火工艺对非晶硅薄膜固相晶化的影响,成功实现了低温制备多晶硅薄膜。     

圆高强钢管UHPC梁抗弯性能研究

高强钢管高强混凝土的应用越来越广泛,但目前对于其徐变特性的试验研究较少。该文对15根不同含钢率的高强钢管高强混凝土轴压短柱进行了365 d的收缩和徐变测试,并将试验结果与常用的徐变预测模型MC90、ACI209和MC2010等进行了对比。试验结果表明：高强钢管高强混凝土的徐变系数远小于素混凝土,当加载365 d后,素混凝土的徐变系数是高强钢管高强混凝土的2倍以上;含钢率对钢管混凝土试件的徐变有一定影响,徐变系数随着含钢率的增大而减小。在对比的3种常用徐变预测模型中,MC2010模型的徐变预测结果与试验结果吻合最好,可推荐用于高强钢管高强混凝土的收缩和徐变效应计算。此外,还将高强钢管高强混凝土与普通钢管混凝土的徐变试验结果进行了对比,结果表明,钢管混凝土的徐变随着核心混凝抗压强度的增加而减小。研究成果可为高强钢管高强混凝土轴心受压构件在正常使用阶段的徐变预测及徐变变形控制提供依据。     

工程中的徐变外部不确定性分析及应用

根据施工现场实测资料的统计分析结果,利用拉丁超立方抽样法,分析了我国现行规范规定的徐变模式在工程应用中的外部不确定性和徐变计算参数之间的相对重要性。结果表明,在进行徐变外部不确定性分析时,不能忽略加载龄期变异的影响;在实际工程中,由徐变外部不确定性产生的预测误差将会超过10%。在不确定研究结果的基础上,通过引入徐变预测不确定因子作为衡量徐变预测不确定性的指标,提出一种用徐变预测不确定因子的均值和置信限为代表值分析结构不确定性的方法。数值算例证明,该方法是一种可行的高效的分析方法。     

基于敏感度分析的B3模式钢管混凝土徐变计算实用公式

为简化B3模式基本徐变的计算,收集了国内20座已建成的钢管混凝土拱桥核心混凝土的配合比资料,并对其进行统计分析,在此基础上提出了钢管混凝土的一种标准配合比。采用拉丁超立方抽样法,以通径系数和偏相关系数为指标对徐变各计算参数进行敏感性分析。结果表明,各计算参数对B3模式基本徐变度影响的大小顺序为:强度-骨灰比-水泥含量-水灰比。将变异性较小的计算参数按常数处理,从而得到钢管混凝土徐变系数计算的实用公式。该公式只与加载龄期和计算龄期有关,大大简化了相关参数的计算。     

阶梯垛型点云边界快速提取方法研究

目的 针对阶梯垛型点云边界检测中,现有边界提取算法效率不高的问题,提出一种适用于阶梯垛型点云的快速边界提取算法。方法 首先使用Kd–Tree对点云数据进行拓扑关系构建,其次搜索采样点及其近邻点,构建单位平面向量,并进行向量叠加,根据叠加后的向量模长来判断是否为候选边界点,然后使用近邻点最大夹角法来进行边界点精提取,最后使用Kinect相机获取阶梯垛型点云数据,进行算法对比验证。结果 实验结果表明,文中算法在保证垛型边界提取精度的同时,比经典边界提取算法的运行时间缩短了75.14%,比优化前的边界提取算法运行时间缩短了11.06%。结论 提出的边界提取算法能够快速准确地提取阶梯垛型点云边界,可为自动码垛系统的设计提供参考。     

斜拉桥状态评估的指标体系

新型智慧城市的发展进程日渐加快,桥梁作为城市交通的重要组成部分,其健康状态也越来越受到重视,文章采用层次分析法对斜拉桥进行状态评估.结合大跨径斜拉桥的特点对层次分析法中涉及的指标体系选取、评分和权重计算三个关键步骤进行探讨,给出相应的评估案例,为斜拉桥的状态评估提供参考.     

堇青石在红外辐射陶瓷材料中的应用

本文通过分析红外辐射加热技术的现状和发展趋势,同时结合本人近年来在红外辐射陶瓷材料研究中的工作成果,综述了堇青石在红外辐射陶瓷材料中的研究现状及应用前景。     

铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜

为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温（＜６００℃）制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点．本文研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺：金属诱导非晶硅薄膜低温晶化法．在非晶硅薄膜上蒸镀金属铝薄膜,并光刻形成铝膜图形,而后于氮气保护中退火．利用光学显微镜和拉曼光谱等测试方法,研究了Ａｌ诱导下非晶硅薄膜的晶化过程,结果表明;在５６０℃退火６ｈ后;铝膜下的非晶硅已完全晶化,确定了所制备的是多晶硅薄膜．初步探讨了非晶硅薄膜金属诱导横向晶化机理．     

晶化前后有源层的刻蚀对poly—Si TFT性能的影响

在普通玻璃衬底上低温（600度以下）制备poly-Si TFT有源矩阵液晶显示器是当前的研究热点,采用金属诱导横向晶化法低温研制了poly-Si TFT。分析了晶化前后有源层的刻蚀有poly-Si TFT性能的影响。     

实现多晶硅薄膜等离子氢化的新工艺

根据多晶硅薄膜氢化的微观机理,提出改进氢化效果的工艺方法,在不增加设备投资的情况下,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果,从而提高薄膜晶体管的性能,ＩＯＮ／ＩＯＦＦ从１０＾３量级,氢化工艺的处理时间也相应缩短。