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1.
在核结构研究中,磁矩有很重要的作用,它能够给出直接和确定的核结构信息。高自旋态的核结构研究中,核子是从集体运动还是从核子顺排获得角动量是个前沿的问题。按照能量,变形核可以从高j轨道的准粒子顺排获得自旋角动量。质子和中子顺排对磁矩的大小和符号的影响不同,质子顺排导致磁矩增大,而中子顺排使磁矩减小甚至出现负值。转动带g因子系统测量,能够澄清核子是从集体运动还是从准粒子顺排获得角动量。为此,我们系统测量了83Y正宇称转动带的g因子。实验测量是在中国原子能科学研究院的HI-13串列加速器进行的。用98MeV的Si束流轰击58N,…  相似文献   
2.
通过模型试验,研究了高速艇从压栽半潜状态自由变深到高速滑行状态的水动力现象.结果表明,当客积傅氏数大于1.25时,与舷外相通的水能完全自动排出.高速艇自由变深主要有以下5个原因:惯性作用、压栽水逐渐排出导致的艇体上抬作用、艇艉由于负压形成的空穴对压戢水的吸附作用、艇体动升力导致的艇体上抬作用、有利的艉倾作用.其中对具有较快加速运动的情形,惯性作用起重要地位,艇体动升力在排出流道水方面所发挥的作用相对较小,但在保持流道水排空方面发挥主导作用.  相似文献   
3.
由于质子与中子不同的形状驱动效应影响,A=130缺中子核区的核在高自旋态下可呈现丰富多彩的核结构特性,如形状共存、扁椭形变、旋称反转、手征二重带结构等。对双奇核^122Cs与^136La进行了高自旋态研究,目的是在^122Cs中寻找手征二重带,在^136La中研究旋称反转与扁椭形变特性。  相似文献   
4.
稀土区的核往往表现出多样的核形状和核结构。152Dy(N=86,Z=66)核在低自旋态时有3个带共存于扁椭形的单粒子态中[1]。对于同中子数的153Ho(N=86,Z=67)和154Er(N=86,Z=68)也发现了与在152Dy中相同的3种结构:单粒子结构、SD结构和形变的转动结构[2]。即N≤90的Dy、Ho和Er同位素核  相似文献   
5.
在质量数为150的核区,原子核显示了很强的单粒子性和集体性的竞争。核子数增加或减少一两个都会引起原子核结构很大的变化。156Tm是远离双幻数的稀土区核,目前为止对156Tm核的研究工作比较少[1,2],已有的能级结构信息也很少。在中子数N≥88时原子核显示了集体性,而在中子数N≤8  相似文献   
6.
最近,在47≤Z≤50和N≥50的过渡核区的研究中,发现它们的转动带以M1跃迁为主,并且它们的B(M1)/B(E2)的值在10到50(μN/eb)2之间变化。对实验上观察到的这个现象,理论上用倾斜轴推转壳模型作出了解释。在这个区域,中子与质子数都接近于幻数,因此基态形变较小,非主轴转动模型中讲到,它们具有这样的耦合模式,处在高j轨道的价中子和价质子的角动量随着自旋的升高,逐渐的向总角动量靠拢,顺排起来。由于这种非主轴转动,旋称不再是好的量子数,产生了一序列规则的以M1跃迁为主的转动带。为了验证这一核区的系统性现象,将102Ag作为研究对象。前人…  相似文献   
7.
吴晓光  孔令学  朱里  武玉琴  黄振  李爽 《纺织学报》2012,33(10):128-133
摘要 基于磁悬浮理论,提出将电磁力直接作用在织针上的悬浮式驱动织针理论研究,探讨针织圆纬机的悬浮驱动选针控制原理的可行性研究;针对磁悬浮式驱动织针方式,提出了一种悬浮式织针基本结构,通过磁悬浮式织针装置磁路分析、织针摩擦热及热分析,获得了织针的热运动分析结果;文中还介绍了织针位置检测与控制模型的研究、以及采用陶瓷作为动织针的位移传感器的绝缘基底材料,传感器极片涂层方法等,为后续进一步研究磁悬浮式驱动织针理论,实现织针在狭小空间内织针提花驱动方式提供可靠的理论依据。  相似文献   
8.
密度调节装置是电脑横机编织的关键部件,其可以改变织物密度,编制出较复杂的嵌花组织。本文提出 了一种新型的密度调节装置,该装置利用棘轮、凸轮及滑块机构,并通过步进电机驱动齿轮传动,快速精确的实 现了横机度目密度调节功能。利用该装置可将现有国产双系统电脑横机所需配置的八个步进电机控制的密度调节 机构,简化为仅需要四个步进电机驱动即可实现,且机构简单、运行稳定、准确,降低了企业的生产成本、管理 和维修方便,具有实际工程价值。文中控制部分采用DSP以及CAN总线控制系统来实现。  相似文献   
9.
联轴器是一种常用的联接两轴或其他回转零件 ,使其一同回转并传递转矩和运动的机械装置 ,部分类型已标准化生产。一般可按许用转矩、最高转速及工作条件来选取类型和型号。其中 NZ挠性爪型联轴器和水泵用爪型联轴器具有装配方便的特点 ,更适合用于液压泵和液压马达与传动轴之间的快速联接。按机械工程手册设计要求 ,为平稳传递动力 ,联轴器与轴伸的配合通常采用 H7/ r6 或 H7/ n6 ,即过盈或过渡配合 ,其中 H7/ n6 也是最偏紧的一种过渡配合。一般更换联轴器时 ,必须要采用专用工具如“三爪轴承拉子”才能将联轴器拆下 ,同样 ,安装也很麻烦…  相似文献   
10.
利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜. 双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7%. 磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K. 观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K.  相似文献   
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