不同破口大小对B型主动脉夹层假腔内压力的影响

为了研究夹层内的血流动力学变化对夹层转归的重要影响,并期望为临床判断主动脉夹层发展及转归提供理论依据,通过3D打印技术制作不同出入口比例及破口大小的B型主动脉夹层模型,对主动脉夹层内血流变化进行模拟,并测量观察主动脉夹层模型假腔内压力变化及流场情况.真腔内固定压力为18.620、21.280 k Pa两组中,不同破口比例的假腔入口压力比普遍均小于夹层模型内其他假腔位置,且压力值低于真腔压力;真腔内压力为23.940 k Pa组中,破口比例为2∶1的夹层模型内假腔压力比较其他破口比例模型的压力比明显升高;所有模型真腔固定水压为21.280、23.940 k Pa下均可观测到同真腔压力下,真腔流速更快,其内部压力低于假腔.同一模型中,假腔压力普遍低于真腔压力;相同压力下,原发破口大的模型假腔流速相对较低,而涡流明显;相同模型相同压力下,假腔流速低于真腔,假腔的涡流更为明显,复杂的涡流和旋动对壁面造成冲击进而使假腔破裂风险增加.     

基于Voronoi图和复合泊松过程的WSN覆盖算法设计

设计了一种基于Voronoi图和复合泊松过程的分布式算法。利用Voronoi图的性质,传感器节点能够同时进行冗余判定和感知半径调节来消除覆盖冗余;利用休眠节点的复合泊松探测过程,能够及时发现工作节点的失效并弥补网络的覆盖漏洞,使网络由单纯的完成监测任务变为动态调整拓扑以适应环境变化。仿真结果表明网络能准确调度节点状态,并且对工作节点失效具有很好的鲁棒性。     

蜗轮蜗杆减速机在垂直切片机中的应用

通过对FT624型叶片(垛)垂直分切机挡料板控制传动机构的改造,解决生产过程中物料"堵料"和"断料"现象,提高过程质量控制的稳定性、降低操作工劳动强度。     

矿用电机车制动器的设计与温度场仿真及试验测试

为了实现矿用电机车在大速度、高载荷下的快速制动,首先分析了矿用电机车现有制动方式的工作原理,以及其在制动过程中存在的不足;针对6 t矿用电机车制动系统进行了设计。采用钳盘式制动器,分析计算了制动器的制动盘、闸瓦和驱动机构等主要零部件结构尺寸,根据所设计的制动器结构和得到的计算尺寸,采用有限元仿真软件对电机车制动过程进行了温度场仿真分析,最终得到制动盘在不同黏着系数下制动的温度分布云图和温度分布变化规律以及制动过程中温度的最大值。仿真结果满足行业对电机车制动器规定的温度要求。最后,对所设计的电机车进行了试验分析,仿真和试验的综合结果揭示了制动器设计的合理性。     

一种改进的联合信源信道编码算法

分析了信源信道率失真模型及端到端的总失真模型。在此基础上,提出了一种改进的联合信源信道失真估计模型。     

便携式饮品包装自加热装置的研究与设计

针对冬季热饮快速降温造成口感和消费体验下降的问题,设计了一种基于自发热技术的便携式饮品包装加热装置,并对加热剂的放热规律进行了实验研究。基于多项式回归拟合建立了加热剂质量、反应水容量与放热能力之间的关系模型,为合理配比加热剂用量提供了理论指导,在自加热食品包装领域具有良好的推广和应用价值。     

空气冷却器与空气加热器性能测试解析

为正确理解标准条款、准确检测空气冷却器与空气加热器产品的性能提供指导,基于GB/T 14296-2008《空气冷却器与空气加热器》的性能试验要求和JG/T 21-1999《空气冷却器与空气加热器性能试验方法》的性能试验方法,详细解读了空气冷却器与空气加热器的性能测试方法和测试工况,归纳了现行空气冷却器与空气加热器产品标准和性能试验方法标准中存在的问题和不足,并给出了相应的建议,对于这类年代比较久的标准,建议结合社会需求,考虑产品的发展和检验检测技术的进步,及时对相关标准加以制（修）订。     

某复杂高硫低钼铜多金属矿综合回收试验研究

针对某复杂嵌布的高硫低钼铜多金属矿石进行了综合回收试验研究。在原矿入选品位含Cu 0.57%、含Mo 0.019%、含S 8.48%的条件下,采用铜钼混合浮选—粗精矿再磨精选—铜钼分离浮选—混浮尾矿选硫的工艺流程,获得了铜精矿含铜品位18.06%、铜回收率78.88%,钼精矿含钼品位45.98%、钼回收率60.22%,以及硫精矿含硫品位46.86%、硫回收率88.35%的选别指标,实现了铜钼硫多种资源的综合回收。     

CCD分段测量的光学位移测量系统

为了高精度地实现大量程的位移测量,采用传统激光三角法的测量原理,提出一种基于虚拟探测器的激光三角法来测量位移。该方法基于3个CCD分段测量的思想,将3个CCD互相独立且沿光轴均匀分布,以此扩大传统方法测量的范围。使用平面反射镜作为虚拟探测器进行探测,当成像光束经平面镜反射后在CCD上成像时,系统相当于增加了一个CCD,扩展了测量量程。由准直系统、偏振片、光阑组成准直滤光系统,缩小探测器光敏面上像点的直径,减小被测表面非理想光点对测量精度的影响,从而实现了较高精度下的大位移测量。最后通过实验验证了方法的可行性。     

A Low On-Resistance SOI LDMOS using a Trench Gate and a Recessed Drain Ge Rui(葛锐), Luo Xiaorong(罗小蓉)?, Jiang Yongheng(蒋永恒), Zhou Kun(周坤),

本文提出了一种超低比导通电阻(R_on,sp) SOI槽栅凹漏MOSFET(TGRD MOSFET)。正向导通时,槽栅和凹漏的结构增加了导电区域,缩短了电流流经的路径,从而降低了比导通电阻。并且此结构中采用了RESURF结构提高了漂移区浓度,进一步降低了比导通电阻。当TGRD MOSFET的半个元胞尺寸为6.5μm时,它的击穿电压为97V,R_on,sp为0.985mΩ.cm₂。与SOI槽栅MOSFET(TG MOSFET)和常规MOSFET(Conventional MOSFET)相比,在相同的BV下,TGRD MOSFET的R_on,sp分别地降低了46%和83%。或者在相同的R_on,sp下,与SOI槽栅槽漏MOSFET(TGTD MOSFET)相比, BV提高了37%。