基于NPBX掺杂CzHQZn的黄色有机电致发光器件

利用一种既具有空穴传输特性又具有发光特性的新型荧光染料N-乙基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌[(E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl)quinolato-zinc,CzHQZn]掺杂在NPBX中作为空穴传输层,CzHQZn同时还作为发光的主体,制备了结构为ITO/2T-NATA(30nm)/NPBX:25%CzHQZn(xnm)/BCP(10nm)/Alq3(60-x)nm/LiF(0.5nm)/Al的有机发光器件(x为掺杂发光层的厚度),掺杂发光层的厚度按照15,20,25,30nm进行变化,相应改变Alq3的厚度,使得这两者的总厚度为60nm保持不变。当掺杂发光层的厚度是20nm,Alq3的厚度是40nm,其他层厚度保持不变时,器件在4V电压下实现了黄光发射,色坐标为(0.514 6,0.470 5),亮度是1.078cd/m2。在14V的电压下,器件最大发光亮度为449 0cd/m2,最大发光效率为0.98cd/A。     

基于水声信号的水下衬砌基础结构破坏检测技术

水下衬砌基础破坏无损检测是目前水下检测工作的一个难题。为解决水下衬砌结构和基础破坏检测问题,利用Biot-Stoll理论深入分析了水声信号在水下破坏介质中的传播规律,同时结合声波数值模拟分析了不同衬砌基础破坏的声学信号反射特征,给出了进行基础破坏检测的声学参数。实际水下衬砌基础结构破坏检测案例表明,基于水声信号的水下衬砌基础结构破坏检测技术可有效分析水下衬砌基础破坏类型及破坏范围。     

用有机层厚度匹配法制作的有机电致蓝光器件

采用各有机层厚度匹配的方法制备了具有较好性能的有机电致蓝光器件.器件的基本结构为:ITO/2T-NATA/NPBX/DPVBi/Alq3/LiF/Al.当2T-NATA的厚度为20nm, NPBX的厚度为15nm, DPVBi的厚度为35nm, Alq3的厚度为30nm, LiF的厚度为0.5nm时,器件的性能最好.在电流密度为796mA/cm2时,最大亮度达到11600cd/m2,在电流密度为30mA/cm2,器件的效率达到最大为2.32cd/A.器件的开启电压较低,在6V工作电压下,亮度达到207.3cd/m2.在5～13V较大的范围内,色度几乎不随驱动电压或电流密度的改变而改变,稳定在x=0.16,y=0.15附近.     

多层结构对有机电致发光器件性能的影响

将发光层进行多次堆叠,构造出有机电致发光器件.在堆叠过程中,改变各发光层厚度的相对比例,发现在总厚度相同、结构相同,而各发光层比例不同的条件下,器件呈现不同的发光特性.器件的电致发光光谱有着明显的变化,器件颜色由蓝光到近白光改变极其明显,器件的亮度和器件的效率也有不同程度的改变.     

不同空穴阻挡材料对白色OLED性能的影响

采用Alq3、TPBi和BCP分别作为电子传输材料和空穴阻挡材料,制备了三种器件,研究了用不同的空穴阻挡材料对器件性能的影响。实验结果表明:只采用30nm Alq3作电子传输层的器件的电流效率最大值为7.84cd/A(9V),而采用10nm Alq3作电子传输层,插入20nm的BCP和TPBi作空穴阻挡层的器件获得的电流效率最大值分别为9.72cd/A和12.21cd/A(9V)。这些结果说明空穴阻挡材料能改善器件的性能,TPBi比以BCP作为空穴阻挡层的器件性能有了很大的改善,制备的白色OLED的最大亮度和电流效率分别为22400cd/m2(17V)和12.21cd/A(9V)。     

空穴传输层NPBX厚度对白光OLED性能的影响

讨论了空穴传输层材料NPBX厚度对白光有机电致发光器件(OLED)性能的影响.采用了ITO/2T-NATA/NPBX/DPVBi/Rubrene/DPVBi/Rubrene/Alq3/LiF/Al的多层结构器件.在这种多层结构的器件中,其他材料的厚度保持不变,使NPBX的厚度按10、15、20、25 nm的规律改变.当NPBX厚度为15 am时,器件性能最好.该器件在14 V电压下最大亮度为19 300cd/m2,在7 V的电压下最大效率为5.326 cd/A,色坐标为(0.27,0.33).     

基于IP网络的媒体点播系统设计

设计了基于IP网络的媒体点播系统,对媒体服务器的主要性能参数进行了测试,分析了在特定环境下影响服务器性能的主要原因,为优化媒体服务器提供了依据.     

无氧溅射方法制备OLED的ITO透明电极

采用氧化铟锡(ITO)合金材料作为靶材,通过射频磁控溅射制备ITO膜.将获得的ITO膜应用于结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(100 nm)的有机电致发光器件(OLED),得到了最大亮度为11560 cd/m2(电压为25V)、最大效率为2.52 cd/A(电压为14 V)的结果.为了获得双面发光,制作了结构为ITO/m-MTDATA(30 nm)/NPB(20 nm)/Alq3(50 nm)LiF(0.8 nm)/Al(20 nm)/ITO(50 nm)的器件,其阳极出光的最大亮度为14460 cd/m2(电压为18V)、最大效率为2.16 cd/A(电压为12V),阴极出光的最大亮度为1 263 cd/m2(电压为19 V)、最大效率为0.26 cd/A(电压为16V).     

掺杂荧光染料的高亮度有机蓝光电致发光器件

利用蓝色发光材料DPVBi掺杂高荧光染料rubrene做发光层制备了蓝色发光器件.在掺杂浓度为1.5%(wt)左右的情况下,当改变掺杂层的总的厚度时,器件的亮度、效率和色坐标都有明显的改变.当掺杂层DPVBi和rubrene的厚度为40nm,电子传输层Alq3的厚度为20nm,器件所加的电压是13v时,其最大亮度为14000cd/m2,此时的色坐标为(0.24,0.24),为蓝光发射.这种掺杂明显的提高了蓝光器件的发光效率.使最大效率达到2.5cd/A.     

基于3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole(TAZ)制备的薄膜电阻的磁效应

讨论了采用热蒸镀方法制备的结构为ITO/β-NPB(55-xnm)/Alq3(45nm)/TAZ(xnm)/LiF(0.5nm)/Al的器件的磁效应。在室温下研究了x分别取0、5、10、15nm时器件的电阻率与磁场之间的变化关系。结果表明,x=0nm时,在10V电压下,电阻率变化率Δρ/ρ随磁场强度的增大而增大;当磁场强度B=110mT时,Δρ/ρ达到最大,仅为8.22%。当x分别取5、10、15nm时,Δρ/ρ为随磁场的增大而减小;在相同磁场强度下,x越大,Δρ/ρ越大;当B=110mT,x=15nm,电压为10V时,Δρ/ρ的数值达到最大,为-16.92%。