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1.
本文报道了用胶体法和溶胶一凝胶法制备高T_cYBCO体材料和厚膜的主要结果。胶体法体材料样品的T_(co)和J_c分别达到89.7K和613安/厘米~2;溶胶-凝胶法体材料样品的T_(co)和J_c分别为90.1K和—400安/厘米~2。在钇稳定的ZrO_2陶瓷基片上,溶胶-凝胶法YBCO厚膜样品的T_c(起始)=93K,T_(co)=89.7K,△T_c=2.1K,J_c=130安/厘米~2。
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2.
用MOCVD法在Ag基体上以-15cm/h的带速连续制备YBCO超导带,在800-850℃之间沉积的样品均呈强裂c-轴取向;而在750-800℃间,c-轴取向明显减弱,前者为不规则排列的大片状晶结构,而后者为不规则排列的小棒状晶和发育不育的片状晶,或者为小粒状晶集,所制亲品的Jc(78K,o)一般在0.5-1×10^4A/cm^2之间,最好的达到1.4×10^4A/cm^2。
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