子结构质量对MSCS的控制效果分析

建立了随机脉动风载下巨-子型有控结构(MSCS)的动力方程;基于复模态理论,推导了MSCS在随机风载激励下的协方差函数、位移及加速度响应功率谱和均方响应表达式;讨论了子结构质量对MSCS控制效果的影响。     

埋地钢质管道腐蚀防护综合评价系统软件的功能与设计

管道安全高效运行的关键是正确的维护管理和有效的腐蚀防护系统,数据库可以对管道信息进行高效的管理,而将防腐检测数据软件化处理能提高工作效率。论文阐述埋地钢质管道腐蚀防护综合评价系统软件的设计思路、实现方法及主要功能,又结合我国当代相关行业的有关标准和法律法规,评价其检测检验结果,具有可靠性和先进性。     

现场发泡夹心墙抗震抗剪承载力性能研究

为解决节能墙体的耐久性问题,提出一种新型节能墙体——现场发泡夹心墙,并对其抗震性能进行研究。制作13片发泡夹心墙和1片实心墙,进行平面内的抗震性能试验,分析一些构造措施对墙体受力性能和变形性能的影响,并分析竖向压力和保温层厚度对相对位移差的影响。试验研究结果表明钢筋混凝土梁挑耳在加强内外叶墙连接、可靠地传递内力方面起主要作用,拉接件在现场发泡夹心墙体大变形的情况下,对保证已开裂墙体不致脱落、倒塌起到关键作用。另外,构造柱可以有效地改善墙体的变形能力。内外叶墙协同工作性能研究结果表明夹心墙抗震抗剪承载力计算应考虑外叶墙的有利影响。采用组合截面抗剪计算模式,根据试验结果回归得出内外叶墙协同工作系数,推导出现场发泡夹心墙抗震抗剪承载力计算公式。公式计算值与试验结果对比表明标准差与变异系数均满足规范要求,表明现场发泡夹心墙抗震抗剪承载力计算公式与实际情况符合较好。     

大调谐质量比减振结构中巨梁层竖向地震响应分析

基于随机振动分析方法对大调谐质量比减振结构及普通巨型框架结构中巨梁层竖向地震响应问题进行探讨,并从实际构造的角度为解决大跨度巨梁层竖向动力响应过大问题提供设计建议。研究结果表明:巨梁层上最大竖向地震响应分布于中段附近;巨梁层于建筑上的位置越高,其竖向地震响应越大;相比其他巨梁层,大跨度巨梁层竖向地震响应同比增大;在大跨度巨梁层上设置子框架可对该巨梁层竖向地震响应起到抑制作用。     

浅析极简主义建筑的艺术表达

介绍了极简主义建筑发展的现状,解释了极简主义的内涵及其发展的原因,从极简主义建筑的环境、造型、材质、光影、细部五个方面进行了分析,从而对极简主义建筑有进一步的了解,最后提出了极简主义建筑在我国发展的建议。     

采用摩擦阻尼器的MSCS在地震作用下的控制性能研究

位移响应和加速度响应是结构振动控制的2个重要指标,为了更进一步控制巨-子型结构的振动响应,文章选用摩擦阻尼器,均匀布置于主子结构中,确定了采用摩擦阻尼器的巨-子型结构控制方案。建立了有限元模型,通过有限元分析软件SAP2000,对巨-子型有控结构进行了多遇地震作用下的弹性动力时程分析,研究了摩擦阻尼器控制方案的控制效果和控制特点,以及各层阻尼器的滞回特性。对比普通框架表明,结构控制方案合理可行,能有效控制结构振动响应。     

罕遇地震作用下巨子型有控结构二阶效应影响分析

通过有限元分析软件sap2000建立了巨子型有控结构(MSCSS)的有限元模型,在考虑二阶效应的情况下,对MSCSS进行了罕遇地震作用下的弹塑性时程分析,并与不考虑二阶效应的结构地震响应情况进行比较,研究了二阶效应对塑性铰的生成、结构侧移以及杆件内力的影响。研究结果表明:选择不同地震波激励时,考虑二阶效应的作用会使塑性铰数量分布有不同的变化规律;第二子结构层间侧移受二阶效应的不利影响随楼层增加而增加,最大增幅达到6.4%,同时,巨型柱的弯矩和第二子结构梁弯矩均受到二阶效应不利影响,其最大增幅分别为7.2%和7.4%。因此在对MSCSS进行罕遇地震下的弹塑性响应情况分析时,必须考虑二阶效应对结果的影响。     

水平地震作用下巨-子型有控结构的动力响应研究

针对巨-子型有控结构存在的因子结构加速度过大及位移过大可能会造成主、子结构碰撞的问题,本文设置了一种实际的粘滞阻尼器,分析水平地震作用下其对巨-子型有控结构动力响应的控制效果,通过改变粘滞阻尼器的安装位置,进一步讨论了粘滞阻尼器安装位置对其控制效果的影响,研究表明：粘滞阻尼器的设置不会影响子结构的调频作用,且能改善巨-子型有控结构的控制效果,减小主结构位移、子结构加速度响应,其在结构中的安装位置对控制效果影响显著。     

1V以下基于Vgs权重的CMOS恒压源

提出了一种新型CMOS恒压源的制作方案,它基于nMOS和pMOS的饱和区栅源电压随温度变化权重不同的原理,将两者做相关运算,得到零温度系数的恒压源.该电压源没有采用二极管和寄生三极管,并用SMIC 0.18μm数模混合工艺模型参数仿真并制造.测试结果表明,温度系数达到了44ppm/℃,PSRR为-46dB,650mV以上的电源电压就可以完全正常工作.芯片面积约为0.05mm2.