机械合金化LaNi5-26wt%Mg合金的结构及性能研究

采用X -射线衍射仪 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、差热分析仪 (DTA)及电池性能测试仪等研究了机械合金化及热处理等工艺因素对LaNi5 2 6wt%Mg合金的组织形貌、热稳定性及电化学贮氢性能等的影响。结果表明 :经 2 80r/min机械合金化 2 5 0h后 ,样品由镧、镁、镍等非晶和MgNi2 纳米晶(3 1nm)组成 ,颗粒形状为规则的球形或近球形 ,粒径为 0 0 6～ 12 6μm ,其中约有 95 %的颗粒的粒径为0 5～ 2 0 μm。该样品经首次充放电活化时即达到其最大的放电容量 (4 2 0mAh/g) ,具有较好的室温电化学活化特性。经 763K保温 3 5d ,样品由热稳定性较好的具有纳米尺度 (2 4 1nm)的Mg2 NiLa、Mg2 Ni、MgNi2 三相组成。     

机械力化学作用对低介硅灰石瓷料的相变和相组成的影响

采用X射线衍射仪(XRD)、差热分析(DTA)手段详细研究了由氧化物粉末制备硅灰石陶瓷时,机械力化学作用及后续热处理对硅灰石陶瓷相组成和相变过程的影响,分析了机械力化学在球磨过程中的作用机理主要是细化晶粒、使晶格畸变、晶格缺陷增多、非晶化和诱导低温化学反应。结果表明:高能球磨中的机械力化学作用能够有效地降低硅灰石陶瓷的烧成温度(11160~11220℃)。探明了经高能球磨的样品在烧成过程中的晶相转变规律。瓷料最终的晶相为单一的-硅灰石(高温变体)。     

液相共沉淀法制备BaPbO3导电陶瓷的研究

利用液相共沉淀法 ,以BaCO3和PbO为原料制备了BaPbO3陶瓷粉末。讨论了原料、焙烧温度、升温速度、保温时间对粉末性能的影响 ,并用X射线衍射及SEM对粉末的结构和形貌进行了研究。实验结果表明 :采用液相共沉淀法能明显降低BaPbO3粉末的合成温度 ,其合成温度约为 65 0℃左右 ;液相法制备的BaPbO3粉末的纯度高、粒度细 ;适当地提高升温速度可提高BaPbO3粉体的合成率和降低BaPbO3粉体的合成温度 ;液相共沉淀法制得的BaPbO3导电陶瓷的室温电阻率约为 3.4× 10 - 4 Ω·cm ,并在 75 0℃具有优良的正温度系数阻温 (PTC)特性     

铜铟铋硫对Sn-Ag基无铅焊料性能的影响

研究了Cu、In、Bi、S元素对Sn-Ag基无铅焊料熔点和铺展性的影响。结果表明:Sn-Ag-Cu三元合金成分为95.5%Sn3.5%Ag1%Cu时具有较低熔点(215℃)和好的铺展性;加入适量的In可降低Sn-Ag合金的熔点和改善铺展性能;随w(Bi)的增加Sn-Ag-Bi三元合金的熔点降低、铺展性变好;Sn-Ag合金的熔点随w(S)的增加而升高,加入少量S能改善Sn-Ag合金的铺展性。     

VARIATION OF Sb CONCENTRATION IN MELT DURING GROWTH OF HEAVILY Sb-DOPED Si SINGLE CRYSTAL

本文建立了描述重掺Sb的si单晶生长过程中熔体内Sb浓度变化规律的数学模型。用该模型计算的理论曲线与实验曲线一致。结果表明,减压拉晶能有效地控制拉晶过程中由于溶质分凝造成的熔体内Sb浓度的增加,从而能大大地推迟“析出”。当炉膛压力大约减至2.7kPa时,能保持熔体中Sb浓度几乎不变。     

热处理对球磨LaNi5-15%Mg合金相组成及热稳定性的影响

采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、示差热分析仪(DTA)研究了热处理对球磨LaNi5-15%(质量分数,下同)Mg合金的组织形貌、结构变化及热稳定性的影响.结果表明,经250r/min球磨250h,样品由La、Mg、Ni非晶体及微量的晶体Ni、MgNi2组成,其DTA曲线上只出现了一个峰值温度为564.0K的放热峰.球磨粉末为规则的球形或近球形,颗粒直径范围为0.05～9.00μm,其中94%的颗粒尺寸为0.05～1.00μm;经763K×35天热处理后,样品由具有纳米尺度的MgNi2、LaMg2Ni9、Mg2NiLa三相组成,其平均晶粒直径为21.7nm,热处理样品的DTA曲线上没有吸热或放热峰出现,具有较好的热稳定性能.     

《533》轴向取向稀土超磁致伸缩合金棒的制备与性能

利用非自耗真空电弧熔炼炉,通过恰当控制熔炼温度和热流方向,成功生长了具有<533>轴向取向的多晶稀土-铁系超磁致伸缩合金棒材.对其磁致伸缩性能测试结果表明,所制备的棒材具有较高的磁致伸缩应变,在0MPa压应力、400 kA·m-1的磁场下,其轴向饱和磁致伸缩系数λ//达1045×10-6,饱和磁致伸缩系数As为856×10-6.X射线衍射结果表明,该材料在轴向主要有(533)强衍射峰,同时还具有(311),(110)等弱峰;径向则有(110),(220),(311),(511)等衍射峰,但各峰强度均很弱,证明该方向上的取向性不如轴向.另外,本实验还对超磁致伸缩材料的磁滞同线进行了测试分析.     

真空退火时间对ZAO薄膜的结构与性能的影响

采用射频磁控溅射法制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究了真空退火对其组织结构和光电性能的影响规律.结果表明,所制备的ZAO薄膜厚度均匀、组织致密,具有(002)择优取向的六方纤锌矿结构,400℃真空退火后,薄膜晶粒粗大,(002)晶面择优取向性进一步加强.延长退火时间对薄膜的相结构、组织形貌及晶粒大小没有明显的影响.随着退火时间的增加,薄膜的电阻率呈降低趋势,退火3 h时电阻率最低,为2.25×10-3Ω·cm,但长时间退火,电阻率变化不大.薄膜样品的透光率随真空退火时间的延长先降低,后升高,再降低;样品在真空退火4 h时对可见光的平均透过率最佳,在80%以上.退火后,ZAO薄膜的吸收边发生了蓝移现象,光学禁带宽度增大.     

电沉积铁硫化制备FeS2电极及其性能

使用电沉积方法在Au基体上沉积了一层铁薄膜.铁薄膜与粉末S密封于石英玻璃管中并在300℃温度进行热处理得到硫化铁样品.应用XRD衍射仪测试其结构,结果证明薄膜为黄铁矿(FeS2).能谱仪对样品进行元素分析,表明薄膜中的Fe/S的比例为2 0.从Fe电沉积电量分析,得到的黄铁矿薄膜厚约为5 04μm.薄膜电极与锂片共同组成的电池中,在室温时120次循环充放电过程中具有114μAh cm-2·μm-1的可逆充放电容量.     

硅钼混合粉末反应烧结合成MoSi2

系统研究了按Mo-66.6%Si配比的混合粉末反应烧结合成MoSi2的相变过程,并从热力学和动力学的角度给予分析.结果表明,反应烧结合成纯MoSi2的最低温度为1 200℃左右,且由低温至高温相的形成顺序为Mo Si→Mo3Si Si→Mo5Si3 Si→MoSi2.