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改良西门子法生产的多晶硅,其产品质量中碳杂质的一个重要来源是原料高品质三氯氢硅中的甲基氯硅烷,而四氯化硅冷氢化法生产的原料粗三氯氢硅,在精馏过程中较难脱除的甲基氯硅烷是甲基二氯氢硅和三甲基氯硅烷,在生产中,结合工艺流程优化控制方法,实现产品三氯氢硅中甲基氯硅烷的稳定控制。 相似文献
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主要介绍了多晶硅行业冷氢化系统中重金属杂质对生产的影响,结合实际情况,探讨并分析其产生的原因,提出相应的解决措施,缓解了该系统中堵塞的问题。 相似文献
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本文对煅后焦中的微量元素钒进行了单因素试验,并对炭阳极的二氧化碳反应性、空气反应性进行了测试。结果表明: 在480ppm~1480ppm时,V元素可改善炭阳极在CO2中的残极率(达83.35%)、粉化率(仅为5.42%);V元素添加可显著恶化炭阳极在空气中反应性(低至34.16%),增加其在空气中的粉化率(增幅为18.8%)。 相似文献
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介绍了在大批量定制生产和检测中所需使用的硬盘驱动架尾孔的机器视觉检测系统。阐述了该机器视觉检测系统的总体设计,提出了一种改进的随机Hough变换和基于圆周点的拟合方法求取圆的直径,并给出了重复性和相关性测试的数据。检测结果表明,该检测系统具有非接触、在线实时、速度快、精度合适等优点,能实现产品的零废品生产的目标。 相似文献
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山东省东营市委、市政府连续四年将“数字化东营”重点项目列为年度重点建设的“十大工程”之一。“数字化东营”异地容灾系统由本地数据备份中心、数据传输系统和异地容灾存储、备份系统三部分组成。该系统吸取了当前国内外容灾系统的先进成果和经验,也解决了全市重要信息资源的安全问题。东营市在异地容灾系统的建设和利用方面以及信息安全方面走在了全省乃至全国中小城市的前列。本文主要从系统的体系结构、工作原理、规划设计和应用实现进行了分析,可为其他地市建设异地容灾系统提供参考。 相似文献
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本文简述了触摸屏硬件控制电路及其工作原理,详细分析了触摸屏控制芯片(ADS7846)和SPI总线的工作原理,并对LPC2210与ADS7846之间的通信过程进行了具体介绍。重点论述了uClinux下驱动程序的结构,并结合触摸屏硬件控制平台给出了触摸屏驱动程序设计的详细开发过程。 相似文献
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本文介绍了一种基于AT89S52单片机的电阻炉温度控制系统,阐述了系统的工作原理、硬件电路以及软件设计.详细论述了数字PID控制器的原理及其在电阻炉温控系统中的应用,采用Ziegler-Nichols参数整定法与经验法对PID控制参数进行整定,并且在PC机上开发了一套温度监控软件,通过串口实时监控系统的温度.该系统经过实验,取得了较为满意的控制效果. 相似文献
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研究了图像矢量化的关键技术,并将其应用到数控切绘机自动编程系统中.系统的输入为衣服、鞋帽等样片的扫描图,通过中值滤波、二值化、边缘提取、轮廓跟踪和曲线拟合等处理,实现了样片轮廓信息的矢量化.这种方法的应用扩展了数控切绘机自动编程系统的造型功能,增强了切绘机的适用性. 相似文献
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分别以平均粒径为10μm和20μm的两种规格碳化硅(SiC)粉末为原料、聚碳硅烷(PCS)为粘结剂,通过包混、过筛、模压成型、1000℃热解等工序制备了SiC多孔陶瓷,研究了PCS含量对SiC多孔陶瓷微观形貌、线收缩率、孔隙率与抗弯强度的影响,并对两种规格粉末制备的SiC多孔陶瓷性能进行了对比。结果表明:随着PCS含量的增加,两种规格粉末制备的SiC多孔陶瓷微观形貌都逐渐变得致密,当PCS含量为13%时,两种规格粉末制备的多孔陶瓷都出现了微观裂纹。随着PCS含量的增加,两种规格粉末制备的SiC多孔陶瓷孔隙率都逐渐降低,线收缩率都逐渐增大,抗弯强度先增大后降低,在PCS含量为10%时,平均粒径为10μm与20μm的SiC粉末制备的多孔陶瓷抗弯强度取得最大值,分别为31.6MPa与29.0MPa。 相似文献
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提出了一种在视觉检测中用于多圆提取的改进随机Hough变换算法,该算法采用一种新的取点方法来进行计算,避免了随机Hough变换由于随机采样造成的大量无效累积。并在计算圆的几何参数时充分利用了圆的几何特征,因此检测速度快,占用内存空间小,精度高,具有良好的抗噪和抗干扰能力。最后文中还分别给出了人工合成图和实物图的实验结果。 相似文献
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