金属有机沉积法制备SrTiO3薄膜

采用金属有机沉积( MOD)法制备了SrTiO3 (STO)外延薄膜作为YBa2Cu3O7-δ涂层导体的缓冲层.以乙酸锶、钛酸丁酯为前驱物配制了Sr离子浓度为0.125 mol ·L-1的SrTiO3前驱溶液.研究了950℃下不同烧结时间(90、120、150 min)对在双轴织构的Ni -W(200)金属基带上沉积S...     

Microstructure and texture analysis of YBCO thick film with peritectic growth on unoriented silver substrate

YBCO textured thick film was prepared by direct periteetic growth method. Microstructure of the film was characterized. Electron backscattered diffraction (EBSD) technique was applied to the film for quantitative texture analysis. The main difficulty in resolving the ori-entation of YBCO pseudo-cubic structure was investigated. Automated orientation mapping was performed on YBCO thick film. Local tex-ture was presented in the form of orientation maps. Misorientation distribution and crystal growth characterization in the YBCO thick film were revealed. Large domains with well-aligned YBCO grains were formed. Each domain presented clear in-plane and out-plane textures.     

Corrosion Process and Surface Protection for YBCO Superconductor

１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅＹＢＣＯｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏｒｒｅａｃｔｓｖｅｒｙｅａｓｉｌｙｗｉｔｈｍｏｉｓｔｕｒｅａｎｄｃａｒｂｏｎｄｉｏｘｉｄｅｉｎｔｈｅａｉｒｔｏｆｏｒｍａｌｋａｌｉ．Ｔｈｉｓｒｅｄｕｃｅｓｔｈｅｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕ...     

电沉积制备铜钴颗粒膜

采用电沉积方法制备了铜钴巨磁电阻功能膜,研究了电沉积工艺参数,包括镀液的主盐离子浓度、配合剂浓度、pH值以及沉积时的电流密度等对铜钴颗粒膜层的组成的影响.用扫描电镜、金相显微镜、EDX能谱仪和XRD分析了镀层组成、表面形貌和结构.膜层的组成成分、晶粒大小与镀液的主盐离子浓度、配合剂浓度、pH值以及沉积时的电流密度有着直接的联系.镀液中钴离子浓度增大时,镀层中的钴含量相应的提高,镀层结晶更加粗大.镀层中铜离子浓度增大时,镀层中的铜含量提高,镀层结晶变得致密.配合剂柠檬酸钠浓度增加对镀层中钴的含量起到一定的抑止作用,而对铜的沉积则有促进作用,同时颗粒膜层结晶更加致密.低pH值下有利于铜的沉积,但此时镀层的晶粒较为粗大.控制电流密度可以改变镀层的组成,较高的电流密度有利于钴的沉积.     

全化学法制备缓冲层和YBaCuO超导涂层

用化学溶液沉积法,尤其是金属有机物沉积法（MOD）制备第二代超导带材,包括缓冲层和YBaCuO涂层,在当前超导带材研究中具有重要的意义．因为其成本低、操作简单、便于规模化生产,可能成为制备高温超导带材最有前途的方法．文内详述了用化学气相沉积,化学溶液沉积,电泳共沉积以及超声雾化热分解等方法制备YBaCuO超导涂层的国内外进展,介绍了在LaAlO3单晶上以及金属基带上制备钙钛矿结构缓冲层的主要种类和特征,也介绍了当前研究的热点之一,导电缓冲层的作用、制备方法和研究进展．     

含聚四氟乙烯涂膜的物理性能研究

以聚笨硫醚(PPS)和聚酰亚胺(PI)为复合粘结剂与聚四氟乙烯(PTFE)混合于合适的溶剂中,制成含PTFE的涂料。分别研究了复合粘结剂中PPS和PI的配比以及涂料中PTFE与复合粘结荆的配比对涂膜性能的影响。结果表明,当复合粘结剂中m(PPS):m(PI)=75:25,涂料中m(PIFE):m(复合粘结剂)=65:35时,所得涂膜性能优良:附着力1级,柔韧性1mm,冲击强度大于500 N／cm2。经过100℃,200℃和250℃的加热-淬冷以及十次加热-淬冷循环实验后,涂膜的物理性能不改变。     

电沉积制备CuCo颗粒膜微观结构和巨磁电阻效应研究

采用电化学的方法在半导体Si表面沉积了CuCo颗粒膜.研究了膜层电沉积过程中颗粒膜生长的显微结构及热处理过程颗粒膜元素的分布情况.经过450℃退火处理1h后Cu80Co20薄膜GMR达到最大值,随着温度的升高膜层的电阻率也随之下降.面扫描元素分析和XRD分析表明经过退火处理膜层中出现Co粒子的析出,出现了局部富钴的区域.磁阻测量表明此时有利于提高膜层的GMR值.更高温度的退火处理使GMR值降低.磁性能测量发现随着退火温度的提高膜层的饱和磁化强度Ms、矫顽力Hc和剩余磁化强度Mr也随着变大.     

籽晶诱导法制备YBaCuO超导圆环

用熔融织构生长法制备了YBaCuO圆环，其尺寸为：外径58mm，内径42mm，高12mm。圆环外形规则无裂纹。X射线衍射分析和扫描电镜（SEM）观察表明YBaCuO超导圆环具有良好取向。圆环通过30A电流时仍然处于超导态。     

Heat Treatment of Nd1＋x Ba2-x Cu3o7-δ Superconductors

ComparedwithYBaCuOsuperconductor ,theNdBaCuOhashighercriticalcurrentdensity (Jc)inhighmagneticfield[1] .Jc equalsabout 1× 10 3A·cm- 2 in 10TfieldforNdBaCuOwhereasforYBaCuOitis 1× 10 2 A·cm- 2 atthesamefieldatliquidnitro gentemperature .NdBaCuOshowedhighergrowthspeedwhenBridgmenmethodwasusedtopreparetheorientedmaterial[2 ] .Ataspeedof 5 0mm·h- 1,thesamplecouldstillgethighdegreeoforientationforNdBaCuO ,butforYBaCuOthegrowthspeedwaslim itedtoonly 1or 2mm·h- 1.Becauseofitshighcr…