铝硅焊片对异种铝合金电子束焊接焊缝组织性能的影响

采用电子束焊接技术,研究厚度为20 mm的AlCu0.5,AlSiCu,AlSi1三种高纯铝合金分别与6061铝合金的焊接效果。通过添加铝硅焊片来改善异种铝合金焊接的组织性能。对焊缝区域组织的分析表明,不同焊片添加量改变铝合金焊缝中的Si含量,从而对焊接的裂纹敏感性有显著的影响。当焊缝中Si含量在1%左右时容易产生裂纹缺陷,随着焊缝中Si含量的增高,焊缝中的裂纹逐渐减小,直至没有裂纹缺陷的产生。焊缝的硬度也随焊缝中Si含量的增高而变大。针对不同的高纯铝合金与6061的焊接,通过添加合适的铝硅焊片,能获取组织性能优异的焊缝。     

半导体行业用靶材及蒸发源材料

在不同产业相对比较之下，半导体产业对于溅射靶材、蒸发源材料的要求是最高的。半导体领域应用靶材是世界靶材市场的主要组成之一。本文主要介绍了靶材的分类、半导体行业用靶材的种类及制备工艺以及未来半导体行业用靶材的发展趋势。     

采用EBSD方法研究高纯Al溅射靶材的微观结构

高纯Al溅射靶材在电子信息产品制造业有着广泛应用。微观结构与组织的均匀性、晶粒尺寸和取向分布对高纯Al溅射靶材的性能有很大的影响。本文采用EBSD技术对高纯Al溅射靶材的晶粒取向分布进行了分析,探索了晶粒取向与溅射速率关系,并采用EBSD大面积扫描对高纯Al溅射靶材的晶粒尺寸及微观结构与组织均匀性进行了研究。     

退火温度对高纯Al-1% Si-0.5% Cu合金晶粒、异常长大的影响

介绍了在同一变形条件下,退火温度对高纯Al-1%Si-0.5%Cu(质量分数,下同)合金的再结晶晶粒尺寸的影响。实验证明纯度达到99.999%以上的Al-1%Si-0.5%Cu合金锭坯,经过均匀化处理、多向锻造、中间退火及冷轧、再结晶退火后,在420～450℃时即可形成均匀、细小的等轴晶粒,但当退火温度≥480℃时,局部区域出现晶粒异常长大现象,最大晶粒异常长大温度约为480℃。研究认为退火温度较高时,改变了局部区域第二相的溶解析出行为,造成局部区域第二相减少、粗化,所提供的阻力不足以克服晶界移动的驱动力,则在一些晶界阻力不均匀的地方会发生个别晶粒异常长大。因此在该变形条件下,应控制再结晶退火温度低于480℃,在420～450℃时可得到平均晶粒尺寸近50μm的锭坯。     

镍过渡层对钛/铜软钎焊性能的影响

针对金属Ti、Cu之间难以直接进行钎焊的状况,采用在Ti基体上制备过渡层Ni的方法改善其可焊性,研究了不同Ni层厚度对Ti的In焊料软钎焊的影响.采用超声C扫描(C-Scan)对焊件的焊接结合率进行了分析,观察了焊缝微观组织结构及焊接断面,同时分析了焊件的结合强度.结果表明:Ni层有效提高了金属Ti的可焊性,当Ni层厚度为10 μm时可以获得最佳焊接效果.     

集成电路制造用溅射靶材

溅射靶材常用于半导体产业、记录媒体产业和先进显示器产业。在不同产业中,半导体集成电路制造业对溅射靶材的质量要求最高。对用于集成电路制造的溅射靶材的材质类型、纯度要求、外形发展进行了阐述,并讨论了溅射靶材微观组织对溅射薄膜性质的影响,以及靶材中夹杂物、晶粒尺寸、晶粒取向的控制方法。