酸法地浸采铀过程中地下水控制的实践

重点总结了伊犁某矿床酸法地浸采铀过程中,钻井布置、施工、监测井布置与监测、采区酸化与开采运行以及特殊情况处理等环节中有关地下水控制的具体措施。近30年的地浸开采实践、退役采区所做的地下水污染调查以及相关历史数据表明:地浸采铀过程中可通过适当的控制措施,做到不对采区外围及上下含水层造成污染,使地下水各项离子浓度均处于环保要求之内;地浸溶液的扩散运移范围处于可控状态。     

一种适用于无源射频电子标签改进型PMOS整流器

分析了二极管和COMS电压整流器的结构特点及性能.提出一种适用于射频电子标签的高效率改进型PMOS电压整流器,采用0.13 μmCMOS工艺进行模拟验证.ADS仿真表明在输入功率-10 dBm时,输出电压1 V、电流8 μA.此电路结构简单,减小了衬偏效应、改善了高频性能,提高了整流效率.根据欧洲EPC标准,最大工作距离可到8 m.     

路桥工程项目管理浅析

近些年来，我国交通路桥项目不管是在理论方面还是在实践方面都取得了很好的成果，伴随着一批又一批造价省、进度快、质量好的精品工程、优质工程的建成，已经取得了很好的经济效益和社会效益。现如今，建筑企业之间的竞争日益激烈，各大企业的企业管理人员和企业家也逐渐意识到了企业管理能够产生很好的效益，下面，笔者就对路桥工程项目管理进行简要的分析。     

用二氧化碳减缓碱法地浸采铀中的化学沉淀堵塞

通过分析地下水系统的Eh值及pH值对难溶物质溶解度和饱和指数的影响,得出溶浸剂pH值的变化是造成伊宁铀矿某矿床碱法地浸条件试验中出现化学沉淀堵塞的主要原因,提出了用CO2调节溶浸剂pH值来减少或避免化学沉淀堵塞的技术措施。试验结果表明,该措施可在一定程度上缓解化学沉淀堵塞,从而提高了浸出液中的铀浓度,并使钻孔的抽注能力有所恢复。     

一种适用于超高频标签芯片的低功耗电压基准电路

提出了一种适用于超高频无源电子标签芯片的低功耗电压基准电路。电路采用N+注入栅的PMOS管和亚阈值区温度补偿技术。芯片采用TSMC 0.18μm CMOS混合工艺流片。测试结果表明:该芯片可以在1.2~2.4 V的电源电压范围下工作,1.2 V电源电压下电压基准电路静态功耗为60 nW。电路面积为0.01 mm2,TT/FF/SS工艺角无校准条件下输出电压温度系数为75×10^(-6)/℃。     

集成温度传感器的超高频无源电子标签芯片设计

提出了实现具有温度传感功能的RFID无源标签芯片电路设计思路,针对900MHz超高频EPC Class0协议,采用多电压设计思想提出电子标签结构及参考电路,包括射频前端接收电路、数字逻辑控制部分、温度传感及量化、存储器四部分.采用Chartered0.35μm CMOS工艺库仿真.芯片工作电流15.4μA(不包括存储器),温度量化采用一个低功耗8位逐次逼近模数转化器实现,输出温度量化误差在-10~120℃范围内为±2℃.     

新疆某铀矿空气预氧化矿层地浸采铀现场试验

天然成因试剂地浸采铀在我国是一项较新的铀矿开采方法，空气预氧化矿层技术是其核心内容。空气预氧化铀矿层的基本原理是向矿层送入压缩空气，利用空气中的氧氧化铀矿石，再利用地下水中的碳酸氢根或碳酸根将铀浸出。为了积累更多的基础资料和经验以便在我国推广应用空气预氧化铀矿层技术，在新疆某铀矿进行了现场试验。试验中浸出液铀浓度最高达230mg／L，钻孔抽液量可逐渐恢复到原始抽水试验最大值10．5m^3／h。该结果表明：空气预氧化工艺可成功实现矿石中铀的氧化，节约氧化剂成本，提高铀的浸出率，并且对矿石渗透性能影响较小，可以避免高矿化度地下水条件下的化学堵塞。     

六角中空钢轧制过程模拟及微观组织演变建模

建立了六角中空钢轧制过程的三维塑性变形模型,定量计算了中空钢轧制过程的速度场、应变场、应力场;建立了中空钢轧制过程的微观组织演变模型,得到了主要工艺参数轧制速度对微观组织演变的影响规律。