陶瓷／聚合物压电复合材料的国内外概况和应用展望

引言 压电材料是指材料在外力作用下产生电流,或反过来在电流作用下产生力或形变的一种功能材料。压电复合材料是70年代发展起来的一类功能复合材料,一般是由压电陶瓷和聚合物基体按照一定的连接方式、一定的体积或质量比例和一定的空间几何分布复合而成。由于这种复合材料兼有组成复合材料各组分的性能,因而某些性能将得到大幅度的提高。传统的压电陶瓷PZT（锆钛酸铅）,PT（钛酸铅）等,由于密度高、声阻抗大、性脆,不能制成大面积薄片和复杂的形状,还有不易与水和人体等轻质负载匹配的缺点。而压电聚合物如PVDF具有密度低、柔性好、阻抗低,易与轻质负载匹配的特性,但缺点在于压电常数低,有强的各向异性以及极化困难等。压电复合材料则克服了两者的不     

p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器

报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0.022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0.19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收.     

空间用紫外探测及AlGaN探测器的研究进展

文中介绍了与空间应用有关的紫外探测。首先，介绍了美、欧等西方国家在空间天文以及行星、卫星探测等方面多年来的紫外应用情况，包括卫星探测器上搭载的紫外有效载荷；然后，评述了目前在空间使用的紫外探测器状况，以及在未来的空间应用中极具发展潜力的AlGaN紫外探测器；最后，对AlGaN紫外焦平面探测器国内外近年来的研究进展进行了阐述。     

大型露天矿计算机安全管理模式研究

分析了矿山企业安全管理方面存在的主要问题，认为建立矿山企业的计算机安全管理系统可提高矿山企业的整体安全管理水平。以德兴铜矿为例，阐述了矿山安全管理信息的基本内容，应用计算机网络和数据库技术，对基于Intranet的大型露天矿山安全管理信息系统进行了总体设计。     

大型露天矿计算机安全管理模式初探

根据现代矿山科学安全管理科学的原则,应用计算机网络技术,通过对德兴铜矿安全管理模式系统的设计,力求把矿山的安全管理做到自动、高效、迅捷,提高了矿山的安全管理水平.     

高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器

研究了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能.p区采用Al组分含量为0.1的AlGaN外延材料形成窗口层,使340～365nm波段的紫外光可以直接透过p区到达i区并被吸收,有效提高了这个波段的响应率与量子效率.并且研究了不同p区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响,制备了两种不同p区厚度(0.1μm和0.15μm)的器件,测试结果表明,p区的厚度对200～340nm波段光吸收的量子效率影响较大,而i区的晶体质量的提高可以有效提高340～365nm波段光吸收的量子效率.并且当p区AlGaN厚度为0.15μm时,器件的峰值响应率达到0.214A/W,在考虑表面反射时外量子效率高达85.6%,接近理论极限,并且在零偏压时暗电流密度为3.16nA/cm2,表明器件具有非常高的信噪比.     

基于FLUENT数值模拟的高层建筑排烟方式

以FLUENT模拟高层建筑单层消防排烟方式对火灾发生时温度以及烟气分布的影响。分别对三种火灾排烟工况进行模拟,对于每一种工况都截取了60s和180s时的结果。通过数值模拟发现,在自然排烟、正压排烟以及负压排烟三种排烟模式下,火灾发生180s时温度最高分别达到820、752、769K,烟气质量分数最高分别达到0.028、0.013、0.019,由此可以看出正压排烟效果比较好。     

表面二次阳极氧化对HgCdTe光导器件性能的影响

采用微波光电导衰退法(μ-PCD)测试了二次阳极氧化膜和传统氧化膜钝化的中波n型HgCdTe芯片的少子寿命.利用俄歇电子能谱(AES)研究了传统方法与新方法生成的氧化膜的组分变化.结果表明二次阳极氧化能显著提高少数载流子寿命,采用此工艺制作的光导器件的信号、响应率、D·优于常规方法制作的器件.     

p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器

报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0.022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0.19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收.