煤的新型气化技术与多联产理论

介绍以煤炭、石英矿资源和电力资源，采用电热还原法生产高纯CO（煤）气并伴生四高SiC栽能新材料的煤的新型气化技术．阐述在循环经济理念下，研发并实施以煤、电为基础资源实现煤的新型气化生产大气量高纯CO-醋酸-四高SiC栽能新材料产品的多联产理论及意义．     

低变质烟煤新型气化联产高品质碳化硅实验研究

笔者提出了一种低变质烟煤新型气化的方法。以青海石英砂为固体气化剂,将陕北低变质烟煤转化成了较高热值的煤气,研究了混合煤气的组成、浓度、热值、酸碱性、气流量、集气空间气体压力和温度分布等特征参数,分析了混合煤气的用途,探讨了气化时间对SiC副产品的产量和质量的影响,用XRD对25h气化所得SiC副产品的品质和结晶形态进行了分析。     

内热式金属镁冶炼真空炉温度机理研究

对新型内热式金属镁冶炼真空炉炉内温度机理进行了研究,采用迦辽金法和环形区域矩形化等方法,推导得出内热式真空炉的温度分布方程,从理论上给出了真空冶炼炉内温度传递的影响因素.并指出采用迦辽金法和有限差分法可以求解温度矩阵,可以得出各个时刻的温度场.     

煤新型气化的气体参数分析

利用自行发明的多热源电热气化炉，以煤和天然石英砂为原料合成煤气，同时伴生大量副产品SiC新材料．研究表明，煤气中以CO气体为主，平均含量可达78．5％，CO＋H2平均含量达85％，CO＋H2＋CH。平均含量达87．5％．实验分析了两种煤气化后合成气组成、酸碱性、气体流量和炉内气体压力等参数，研究了合成气组成随气化工艺的变化规律，探讨了装炉工艺和保温料厚度对气体流量和炉压的影响．     

热还原法炼镁的技术现状及进展

综述了热还原法炼镁工艺的特点，分析了硅热法存在的问题，介绍了我国皮江法炼镁工艺技术的发展状况，提出了一种内热法炼镁的新思路。     

SiC产业多联产关键技术及其应用与Matrix区域的变化

针对我国SiC产业的技术现状和面临的形势,提出用多热源生产SiC新技术生产高性能SiC新材料,回收并利用其副产品CO为主的气体生产多种化工产品或发电,走资源综合利用的煤-SiC新材料-CO气-化工产品(电)多联产之路,彻底改变行业落后现状,实现可持续发展.     

新型煤气化炉内温度场影响因素研究

采用电热还原的方法将固体煤转化为可燃气体（煤气），为煤的气化提供了一条新思路．通过研究煤新型气化炉内温度场的成因以及各因素对温度场的影响，获取了不同高度空间温度场的主控因素．实验结果表明，气化功率、煤的种类、集气罩材料和排气速率等对气化炉内温度场均有较大影响；气化炉内的炉表近区域温度场主要由辐射场控制，集气罩近区域温度场受对流场控制．研究成果为煤新型气化温度场控制和气化炉经济密封高度的选择提供了依据．     

β-SiC微粉中杂质碳的去除工艺研究

借助激光粒度仪、综合热分析仪、X射线衍射仪和化学分析手段,研究了无限微热源法合成的β-SiC微粉中杂质碳的粒度组成和氧化特性,以及主成分β-SiC的氧化特性,得到了空气氧化法去除β-SiC微粉中杂质碳的最佳工艺条件为:氧化温度800～900℃,氧化持续时间为1h。     

SiC／Al基电子封装复合材料的无压浸渗法制备与热性能研究

用网格堆积法制备SiC多孔陶瓷,以此作为增强体,用无压浸渗工艺制备45%～65%体积分数的SiC/Al基电子封装复合材料,测定25～300 ℃热导率和热膨胀系数.实验结果表明,增强体经高温氧化处理后能显著的改善SiC/Al的浸润性能;提高浸渗温度和延长浸渗时间可以改善浸渍效果,浸渗温度在1 050 ℃,浸渗时间5 h浸渗效果最好;Mg是促进浸渗的有利因素,可有效改善铝在增强体内的渗透深度.该工艺制备的SiC/Al复合材料,热膨胀系数较经典模型计值低,热导率达189 W(m·K),可以较好的满足电子封袋材料的要求.     

皮江法炼镁工艺还原罐内温度场研究

通过对皮江法炼镁工艺还原罐内传热介质的物性参数分析、物料传热分析、温度场的计算机模拟,研究了还原罐内热量传递规律和温度场分布规律,得出了皮江法还原罐内热量传递速率决定还原时间和生产效率的结论,并提出了改进我国皮江法炼镁工艺技术的思路。