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利用水热法在不同条件下在ITO-PET(tin-doped indium oxide polyethylene terephthalate)上制备氧化锌纳米棒阵列, 通过一些定量的参数, 如纳米棒的直径、长度和棒密度来表征纳米棒的形貌. 通过改变反应条件可以调节上述参数. 分别讨论了两个重要条件: 反应时间和前驱体浓度. 研究表明前驱体浓度对长径比有重要影响. 柔性基底上的氧化锌纳米棒作为染料敏化电池的新型光阳极, 长径比的改变对柔性电池有重要的影响. 可通过调节反应条件来提高柔性染料敏化电池的性能. 相似文献
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在前期对冷等静压制备柔性染料敏化太阳电池(DSC)研究的基础上, 开展了浆料的优化及叠层DSC的研究。首先利用水热法处理由小颗粒P25调配的浆料, 发现处理后浆料的稳定性及DSC的效率得到了大幅提高。在P25浆料中加入不同比例200 nm TiO2大颗粒提高光散射, 当P25与200 nm TiO2比例为4:1时, DSC获得最高光电转换效率3.11%。在此基础上, 尝试用N719和N749双层染料敏化, 发现双层染料敏化后电池的效率介于N719和N749单独敏化的电池效率, 这可能是由于光阳极变厚不利于电子传输以及染料相互接触影响染料纯度, 光阳极厚度及电池结构有待于进一步优化。 相似文献
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利用溶胶凝胶法在Al2O 3衬底上制备出了c轴择优取向的钼掺杂氧化锌(MZO)透明导电薄膜,研究了钼的掺杂量(0~1 at%)对钼掺杂氧化锌薄膜光电性能的影响。研究结果表明:所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构且表面平整、致密,通过高温真空退火,MZO薄膜的电阻率明显降低,且随着钼含量的增加,MZO薄膜的电阻率呈现出先减小后增大的趋势,当钼含量为0.4at.%时,获得最小电阻率为0.13 Ωcm。薄膜在近红外区域(800~2000 nm)的平均透过率大于85%,这可以有效地拓宽光电器件的光谱范围。 相似文献
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采用脉冲激光沉积法制备了CuAlO2薄膜.在沉积激光能量100~180mJ范围内原位沉积的薄膜并在N2气氛下900℃异位退火1h处理后,所有薄膜均为高度c轴取向的单相CuAlO2薄膜,晶粒尺寸~49nm.随着沉积激光能量的增大,薄膜厚度增加,表面颗粒尺寸明显增大,在可见光区的平均透射率下降.室温光致发光谱发现,CuAlO2薄膜在350nm附近有一个自由激子复合发光峰,说明在CuAlO2宽带隙半导体中存在直接带间跃迁,这对于该材料在光电子领域如发光二极管的应用具有重要意义. 相似文献
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采用化学溶液法在n型和p型Si衬底上成功制备了单相CuAlO2薄膜。薄膜的电导率-温度曲线显示,薄膜在200K-300K温度范围内呈热激活导电模式,激活能约为0.3eV。电流-电压特性测试显示,p-CuAlO2/n-Si异质结具有明显的整流特性,开启电压约为1.6V,在±3V处的整流率约为35,而p-CuAlO2/p-Si同型异质结表现出类似肖特基结的电学性质,由于p-CuAlO2导电性远低于p-Si衬底,正向电流受空间电荷限制。 相似文献
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