外延GaN基薄膜表面晶体结构RHEED图像研究

论述了反射高能电子衍射(RHEED)作为外延薄膜进行原位监测的一个重要手段以及RHEED图像与外延薄膜的表面形貌的关系,提出了以RHEED图像分析外延GaN基薄膜晶格结构的演变情况,并从衬底α-Al2O3的等离子体清洗、氮化进行了具体的分析和演算.结论指出,RHEED不仅是进行外延薄膜原位监测,而且还可以作为分析外延薄膜晶体结构演变的一个有力手段.     

基于WZ-2188超声波流量计煤气流量检测及其补偿中的应用

根据梅山钢厂石灰窑现有采用孔板流量计测量煤气流量所存在的问题,提出了一种基于WZ-2188超声波流量检测为基准,结合孔板流量计流量检测的双重检测方法,实现了石灰窑供气系统煤气流量的准确测量,并以此为基础实现煤气流量在线补偿。此补偿方法对于采用孔板流量计测量煤气流量的套筒石灰窑均适用。     

基于CCVS等效空心变压器的戴维南定理分析

结合空心变压器的电气分析在教学中的特点,分析了空心变压器的基本结构和基本特点,运用电流控制电压源CCVS对之进行了等效变换,然后将空心变压器的输入电路和输出电路看成一端口,运用戴维南定理分别对其输入端口和输出端口等效成一个电压源与一个电阻的串联形式,并进行了详细的讨论.     

Smith预估补偿控制策略在转炉煤气回收系统中的应用

通过分析转炉烟气生成机理和煤气回收工艺特点,以及影响回收效果重要参数,并针对转炉炉口压差控制系统对象具有非线性、纯滞后、不确定、干扰大的特点,提出了基于Smith预估补偿的非线性PID控制策略.应用此控制算法对实际转炉对象的辨识模型进行仿真分析,并投入应用,结果表明此控制策略能够明显地改善控制系统的动态品质和抗干扰性能,达到了较好的生产应用效果.     

电网严重畸变情况下的锁相策略研究

针对传统三相软件锁相环PLL(phase-locked loop)在电网电压同时含有较低次谐波分量和负序分量等严重畸变情况下不能完成精准锁相的问题,提出基于滑动离散傅里叶变换DFT(discrete Fourier transform)滤波原理的新型三相软件PLL。滑动DFT算法可以准确地从含有各次谐波的电网电压中提取单位基波信息,再结合基于延时信号对消的基波正负序分量分离方法提取出基波中的正序分量,最后采用同步参考坐标系锁相环SRF-PLL(synchronous reference frame phase locked loop)得到基波正序相位信息。结果表明,新型锁相环在电网电压同时处于不平衡、含有高次谐波和低次谐波以及直流分量的情况下均能够完成精准的锁相。     

GaN基材料半导体激光器综述

叙述了激光器材料的发展,回顾了GaN薄膜制备的几个技术进展,总结了GaN基材料激光器(LDs)的发展历程。     

标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究

在经过校温的ECR-PEMOCVD装置上，通过分析RHEED(反射高能电子衍射)图像研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底进行清洗、氮化实验，结果表明：经常规清洗的蓝宝石衬底的表面晶质差异很大；按照经验清洗30min是不能清洗充分的，那么根据情况进行多步清洗就显得很重要了；结果表明清洗得很充分的衬底经20min的氮化出来，而未清洗充分的衬底20min或更长的时间是不能氮化出来的。     

从RHEED图像间距分析外延GaN基薄膜表面晶格演变

通过简单叙述作为外延薄膜进行原位监测的一个重要手段的反射高能电子衍射(RHEED)以及RHEED图像的条纹或点阵与GaN基薄膜表面形貌的关系,提出了基于RHEED图像分析外延GaN基薄膜晶体结构演变情况,并从衬底α-Al2O3的氢氮等离子体清洗、氮化、生长缓冲层以及生长外延层进行具体的分析、比较和演算。     

基于双热电偶校准ECR-PEMOCVD薄膜生长温度分析研究

通过简单叙述Ⅲ族GaN基氮化物薄膜,以及了解半导体薄膜生长系统的温度变化情况重要性,提出了基于双热电偶校准薄膜生长装置ECR-PEMOCVD温度的方法.试验表明,置放样品的托盘温度(薄膜的生长的真实温度)与生长环境温度(设定温度)是不一样的,两者的差异甚至很大.最后讨论了在经过校温的系统上进行蓝宝石衬底的氢氮等离子体清洗实验,并通过RHEED图像评价清洗结果质量.